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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
HVR320BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HVR320Bulk 0.7500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-HVR320Bulk 8541.10.0000 500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 2000 v 2.2 V @ 3 A 10 µA @ 2000 V -40°C〜150°C 3a 36pf @ 4V,1MHz
FR303BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR303Bulk 0.2100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-FR303Bulk 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
BR3504W EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3504W 2.5900
RFQ
ECAD 600 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,BR-50W 标准 BR-50W 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR3504W 8541.10.0000 40 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 400 V 35 a 单相 400 v
1N757AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N757AT/r。 0.0300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N757AT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.2 V @ 200 ma 100 na @ 1 V 9.1 v 10欧姆
KBP210 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBP210 0.8500
RFQ
ECAD 200 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -50°C〜125°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBP 标准 KBP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-KBP210 8541.10.0000 100 1 V @ 1 A 10 µA @ 1000 V 2 a 单相 1 kV
FR102BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR102Bulk 0.2100
RFQ
ECAD 38 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-FR102Bulk 8541.10.0000 600 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜150°C 1a 50pf @ 4V,1MHz
AR3504 EIC SEMICONDUCTOR INC. AR3504 0.3100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 汽车 积极的 表面安装 微型按钮 标准 微型按钮 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-AR3504 8541.10.0000 500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 35 A 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 35a -
1N748ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N748ABULK 0.2100
RFQ
ECAD 14 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N748ABULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 1 V 3.9 v 23欧姆
HER101T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER101T/r。 0.0500
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-HER101T/RTR 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜150°C 1a 50pf @ 4V,1MHz
HER108BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER108BULK 0.2400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-HER108BULK 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -65°C〜150°C 1a 50pf @ 4V,1MHz
1N5819BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5819Bulk 0.2100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N5819 肖特基 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5819Bulk 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 600 mV @ 1 A 1 mA @ 40 V -65°C〜125°C 1a 110pf @ 4V,1MHz
BR3500 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3500 2.6600
RFQ
ECAD 500 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR3500 8541.10.0000 50 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 50 V 35 a 单相 50 V
HER302BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Her302Bulk 0.2400
RFQ
ECAD 7 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-HER302BULK 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.1 V @ 3 A 50 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C 3a 50pf @ 4V,1MHz
BR1510 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1510 2.6600
RFQ
ECAD 450 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR1510 8541.10.0000 50 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 1000 V 15 a 单相 1 kV
HER107BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER107BULK 0.2400
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-HER107BULK 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜150°C 1a 50pf @ 4V,1MHz
MR854BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. MR854Bulk 0.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-MR854Bulk 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.25 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜150°C 3a 28pf @ 4V,1MHz
HER101BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER101BULK 0.2100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-HER101BULK 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜150°C 1a 50pf @ 4V,1MHz
FR306T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR306T/r。 0.1500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-FR306T/RTR 8541.10.0000 1,250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.3 V @ 3 A 500 ns 10 µA @ 800 V -65°C〜150°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
BR2502 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR2502 2.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR2502 8541.10.0000 50 1.1 V @ 12.5 A 10 µA @ 200 V 25 a 单相 200 v
BR2500 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR2500 2.5400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR2500 8541.10.0000 50 1.1 V @ 12.5 A 10 µA @ 50 V 25 a 单相 50 V
1N749ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N749ABULK 0.2100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N749ABULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 2 µA @ 1 V 4.3 v 22欧姆
FR305T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR305T/r。 0.1400
RFQ
ECAD 11 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-FR305T/RTR 8541.10.0000 1,250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 3 A 250 ns 10 µA @ 600 V -65°C〜150°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
BR804 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR804 0.9200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4平方,BR-10 标准 BR-10 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR804 8541.10.0000 200 1 V @ 4 A 10 µA @ 400 V 8 a 单相 400 v
3EZ150D5 EIC SEMICONDUCTOR INC. 3EZ150D5 0.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 3 W do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-3EZ150D5 8541.10.0000 500 1.5 V @ 200 ma 500 NA @ 114 V 150 v 550欧姆
MR850T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. MR850T/R。 0.1100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-MR850T/RTR 8541.10.0000 1,250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.25 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 50 V -65°C〜150°C 3a 28pf @ 4V,1MHz
HER305T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. Her305t/r 0.2000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-HER305T/RTR 8541.10.0000 1,250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.1 V @ 3 A 50 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜150°C 3a 50pf @ 4V,1MHz
FR103BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR103Bulk 0.2100
RFQ
ECAD 38 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-FR103Bulk 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜150°C 1a 50pf @ 4V,1MHz
BYD33GBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. BYD33GBULK 0.2100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 雪崩 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BYD33GBULK 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 1 A 250 ns 1 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1.3a -
HER102T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. HER102T/r。 0.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-HER102T/RTR 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜150°C 1a 50pf @ 4V,1MHz
FBR804 EIC SEMICONDUCTOR INC. FBR804 1.3800
RFQ
ECAD 200 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 4平方,BR-10 标准 BR-10 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-FBR804 8541.10.0000 200 1.3 V @ 4 A 10 µA @ 400 V 8 a 单相 400 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库