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二极管（（453）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4749Bulk	0.1800	RFQ	10	EIC半导体公司	-	包	积极的	±10％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4749Bulk	8541.10.0000	1,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 18.2 V						24 V	25欧姆
BYD33GBULK	0.2100	RFQ	5	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		雪崩		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-BYD33GBULK	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.3 V @ 1 A	250 ns	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1.3a	-
RBV5002	1.8300	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RBV-25		标准		RBV-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-RBV5002	8541.10.0000	100			1.1 V @ 25 A		10 µA @ 200 V		50 a		单相	200 v
BR1006	0.9800	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方，BR-10	BR1006	标准		BR-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-BR1006	8541.10.0000	200			1.1 V @ 5 A		10 µA @ 600 V		10 a		单相	600 v
1N475555555	0.1800	RFQ	8	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4755555	8541.10.0000	1,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 32.7 V						43 V	70欧姆
FR103Bulk	0.2100	RFQ	38	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-FR103Bulk	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
1N5396Bulk	0.1800	RFQ	20	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5396Bulk	8541.10.0000	500	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	500 v	1.1 V @ 1.5 A		5 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	1.5a	15pf @ 4V，1MHz
HVR320Bulk	0.7500	RFQ	2	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-HVR320Bulk	8541.10.0000	500	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	2000 v	2.2 V @ 3 A		10 µA @ 2000 V	-40°C〜150°C	3a	36pf @ 4V，1MHz
1N4744A	0.0650	RFQ	100	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N474444ATR	8541.10.0000	5,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 11.4 V						15 v	14欧姆
RBV802	1.1500	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RBV-25		标准		RBV-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-RBV802	8541.10.0000	100			1 V @ 4 A		10 µA @ 200 V		8 a		单相	200 v
1N5238BT/R。	0.0400	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5238BT/RTR	8541.10.0000	10,000			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6.5 V						8.7 v	8欧姆
1N4738AT/R。	0.0500	RFQ	5	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4738AT/r。	8541.10.0000	5,000			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 6 V						8.2 v	4.5欧姆
Z1200-T/R。	0.0400	RFQ	5	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-Z1200-T/RTR	8541.10.0000	5,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 152 V						200 v	1900欧姆
RBV2501	1.6400	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RBV-25		标准		RBV-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-RBV2501	8541.10.0000	100			1.1 V @ 12.5 A		10 µA @ 100 V		25 a		单相	100 v
1N5407裸体	0.1800	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5407Bulk	8541.10.0000	500	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	950 mv @ 3 a		5 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	3a	28pf @ 4V，1MHz
HER102T/r。	0.0500	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-HER102T/RTR	8541.10.0000	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
1N5400块	0.1800	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5400块	8541.10.0000	500	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	50 V	950 mv @ 3 a		5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	3a	28pf @ 4V，1MHz
Her302Bulk	0.2400	RFQ	7	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-HER302BULK	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	3a	50pf @ 4V，1MHz
RBV5006	3.0000	RFQ	400	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RBV-25		标准		RBV-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-RBV5006	8541.10.0000	100			1.1 V @ 25 A		10 µA @ 600 V		50 a		单相	600 v
FR305Bulk	0.2100	RFQ	7	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-FR305Bulk	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.3 V @ 3 A	250 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	3a	60pf @ 4V，1MHz
HER108BULK	0.2400	RFQ	2	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-HER108BULK	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1000 v	1.7 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 1000 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
FR103T/r。	0.0400	RFQ	35	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-FR103T/RTR	8541.10.0000	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
RBV1510	1.6100	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RBV-25		标准		RBV-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-RBV1510	8541.10.0000	100			1.1 V @ 7.5 A		10 µA @ 1000 V		15 a		单相	1 kV
1N5250BT/R。	0.0400	RFQ	40	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5250BT/RTR	8541.10.0000	10,000			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 15 V						20 v	25欧姆
1N5400T/r。	0.0900	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5400T/RTR	8541.10.0000	1,250	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	50 V	950 mv @ 3 a		5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	3a	28pf @ 4V，1MHz
1N4738ABULK	0.1800	RFQ	3	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N4738ABULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 6 V						8.2 v	4.5欧姆
1N5355BBULK	0.4000	RFQ	2	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204ac，do-15，轴向			5 w	do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-1N5355BBULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 13.7 V						18 V	2.5欧姆
MBRA210L	0.3900	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		肖特基		SMA（do-214ac）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-MBRA210L	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	10 v	350 mv @ 2 a		700 µA @ 10 V	-65°C〜150°C	2a	-
RBV806	1.2500	RFQ	100	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，RBV-25		标准		RBV-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2439-RBV806	8541.10.0000	100			1 V @ 4 A		10 µA @ 600 V		8 a		单相	600 v
BR2501	2.7400	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，BR-50		标准		BR-50	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2439-BR2501	8541.10.0000	50			1.1 V @ 12.5 A		10 µA @ 100 V		25 a		单相	100 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（453）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²