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二极管（（453）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 htsus 标准包 速度 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
BR804 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR804 0.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4平方，BR-10 标准 BR-10 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-BR804 8541.10.0000 200 1 V @ 4 A 10 µA @ 400 V 8 a 单相 400 v
FR103T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR103T/r。 0.0400
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-FR103T/RTR 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜150°C 1a 50pf @ 4V，1MHz
FR303BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR303Bulk 0.2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 通过洞 DO-201 AD，轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-FR303Bulk 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.3 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C 3a 60pf @ 4V，1MHz
BR1002 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1002 0.9400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4平方，BR-10 BR1002 标准 BR-10 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-BR1002 8541.10.0000 200 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 200 V 10 a 单相 200 v
HER305BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Her305散装 0.2600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 通过洞 DO-201 AD，轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-HER305BULK 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.1 V @ 3 A 50 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜150°C 3a 50pf @ 4V，1MHz
BR1500 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1500 2.3400
RFQ
 ECAD 700 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 4平方英尺，BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-BR1500 8541.10.0000 50 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 50 V 15 a 单相 50 V
1N4006BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4006散装 0.1300
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 标准 do-41 - rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-1N4006Bulk 1,000 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V，1MHz
1N5247BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5247BBULK 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±5％ 175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5247BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 13 V 17 V 19欧姆
1N4744 EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4744 0.0350
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1 w do-41 - rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N4744TR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 11.4 V 15 v 14欧姆
1N4738T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4738T/r 0.0500
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N4738T/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 6 V 8.2 v 4.5欧姆
1N5377ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5377777abulk 0.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±10％ -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 do-204ac，do-15，轴向 5 w do-15 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5377ABULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 65.5 V 91 v 75欧姆
BR5006W EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5006W 3.7500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，BR-50W 标准 BR-50W 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-BR5006W 8541.10.0000 50 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 600 V 50 a 单相 600 v
RBV5008 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV5008 3.9300
RFQ
 ECAD 620 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV5008 8541.10.0000 100 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 800 V 50 a 单相 800 v
1N5818T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5818T/r 0.1000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 肖特基 do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5818T/RTR 8541.10.0000 5,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 30 V 550 mv @ 1 a 1 ma @ 30 V -65°C〜125°C 1a 110pf @ 4V，1MHz
1N4759AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4759AT/r。 0.0500
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N4759AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 47.1 V 62 v 125欧姆
1N5338A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5338A 0.4100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±10％ -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 do-204ac，do-15，轴向 5 w do-15 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5338A 8541.10.0000 3,000 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 1 V 5.1 v 1.5欧姆
HER107BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. HER107BULK 0.2400
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 通过洞 do-204al，do-41，轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-HER107BULK 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 800 v 1.7 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜150°C 1a 50pf @ 4V，1MHz
Z1200-T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. Z1200-T/R。 0.0400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-Z1200-T/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 152 V 200 v 1900欧姆
BR2506 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR2506 2.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 4平方英尺，BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-BR2506 8541.10.0000 50 1.1 V @ 12.5 A 10 µA @ 600 V 25 a 单相 600 v
1N4752AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4752AT/r。 0.0600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N4752AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 25.1 V 33 V 45欧姆
RBV3506 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV3506 2.8100
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV3506 8541.10.0000 100 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 600 V 35 a 单相 600 v
RBV2501 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2501 1.6400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-RBV2501 8541.10.0000 100 1.1 V @ 12.5 A 10 µA @ 100 V 25 a 单相 100 v
KBL410 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBL410 1.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -50°C〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，KBL 标准 KBL 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 根据要求获得可用的信息 2439-KBL410 8541.10.0000 100 1.1 V @ 4 A 10 µA @ 1000 V 4 a 单相 1 kV
1N749ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N749ABULK 0.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 ±5％ 175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N749ABULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 2 µA @ 1 V 4.3 v 22欧姆
1N5359B EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5359B 0.1150
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 do-204ac，do-15，轴向 5 w do-15 - rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5359BTR 8541.10.0000 3,000 1.2 V @ 1 A 500 na @ 18.2 V 24 V 3.5欧姆
1N5359A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5359A 0.1330
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 do-204ac，do-15，轴向 5 w do-15 - rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5359ATR 8541.10.0000 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 17.3 V 24 V 3.5欧姆
1N4738 EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4738 0.0500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1 w do-41 - rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N4738TR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 6 V 8.2 v 4.5欧姆
1N5362BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5362BT/R。 0.1100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 do-204ac，do-15，轴向 5 w do-15 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5362BT/RTR 8541.10.0000 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 21.2 V 28 V 6欧姆
BR1001 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1001 0.9500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 包 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 4平方，BR-10 BR1001 标准 BR-10 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-BR1001 8541.10.0000 200 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 100 V 10 a 单相 100 v
1N5402T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5402T/r 0.0800
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 通过洞 DO-201 AD，轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 2439-1N5402T/RTR 8541.10.0000 1,250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 200 v 950 mv @ 3 a 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 3a 28pf @ 4V，1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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