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二极管（（453）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
3EZ150D5	0.2100	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			3 W	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-3EZ150D5	8541.10.0000	500			1.5 V @ 200 ma		500 NA @ 114 V						150 v	550欧姆
MR850T/R。	0.1100	RFQ	1	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-MR850T/RTR	8541.10.0000	1,250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.25 V @ 3 A	150 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	3a	28pf @ 4V，1MHz
Her305t/r	0.2000	RFQ	5	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-HER305T/RTR	8541.10.0000	1,250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	3a	50pf @ 4V，1MHz
FR103Bulk	0.2100	RFQ	38	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-FR103Bulk	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
BYD33GBULK	0.2100	RFQ	5	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		雪崩		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-BYD33GBULK	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.3 V @ 1 A	250 ns	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1.3a	-
HER102T/r。	0.0500	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-HER102T/RTR	8541.10.0000	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
FBR804	1.3800	RFQ	200	EIC半导体公司	-	包	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方，BR-10		标准		BR-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-FBR804	8541.10.0000	200			1.3 V @ 4 A		10 µA @ 400 V		8 a		单相	400 v
HER103T/r。	0.0500	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-HER103T/RTR	8541.10.0000	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
1N749AT/r。	0.0300	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-1N749AT/RTR	8541.10.0000	10,000			1.2 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V						4.3 v	22欧姆
BR1006	0.9800	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方，BR-10	BR1006	标准		BR-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-BR1006	8541.10.0000	200			1.1 V @ 5 A		10 µA @ 600 V		10 a		单相	600 v
FBR5006	4.4000	RFQ	599	EIC半导体公司	-	包	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，BR-50		标准		BR-50	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-FBR5006	8541.10.0000	50			1.3 V @ 25 A		10 µA @ 600 V		50 a		单相	600 v
BR1001	0.9500	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方，BR-10	BR1001	标准		BR-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-BR1001	8541.10.0000	200			1.1 V @ 5 A		10 µA @ 100 V		10 a		单相	100 v
MBRA210L	0.3900	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		肖特基		SMA（do-214ac）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-MBRA210L	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	10 v	350 mv @ 2 a		700 µA @ 10 V	-65°C〜150°C	2a	-
BR2501	2.7400	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，BR-50		标准		BR-50	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-BR2501	8541.10.0000	50			1.1 V @ 12.5 A		10 µA @ 100 V		25 a		单相	100 v
HER102BULK	0.2100	RFQ	5	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-HER102BULK	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
BR5000	2.8100	RFQ	250	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，BR-50		标准		BR-50	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-BR5000	8541.10.0000	50			1.1 V @ 25 A		10 µA @ 50 V		50 a		单相	50 V
BR1500	2.3400	RFQ	700	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方英尺，BR-50		标准		BR-50	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-BR1500	8541.10.0000	50			1.1 V @ 7.5 A		10 µA @ 50 V		15 a		单相	50 V
BR5006W	3.7500	RFQ	1	EIC半导体公司	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，BR-50W		标准		BR-50W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-BR5006W	8541.10.0000	50			1.1 V @ 25 A		10 µA @ 600 V		50 a		单相	600 v
BYD33MBULK	0.2100	RFQ	5	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		雪崩		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-BYD33MBULK	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1000 v	1.3 V @ 1 A	300 ns	1 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	1.3a	-
FR105Bulk	0.2100	RFQ	10	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-FR105Bulk	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.3 V @ 1 A	250 ns	5 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	1a	50pf @ 4V，1MHz
1N5949BT/R。	0.1300	RFQ	5	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-1N5949BT/RTR	8541.10.0000	5,000					1 µA @ 76 V						100 v	250欧姆
FR305Bulk	0.2100	RFQ	7	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	DO-201 AD，轴向		标准		Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-FR305Bulk	8541.10.0000	500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.3 V @ 3 A	250 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	3a	60pf @ 4V，1MHz
1N5396Bulk	0.1800	RFQ	20	EIC半导体公司	-	包	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-1N5396Bulk	8541.10.0000	500	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	500 v	1.1 V @ 1.5 A		5 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	1.5a	15pf @ 4V，1MHz
1N4759AT/r。	0.0500	RFQ	20	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-1N4759AT/RTR	8541.10.0000	5,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 47.1 V						62 v	125欧姆
1N4738ABULK	0.1800	RFQ	3	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-1N4738ABULK	8541.10.0000	500			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 6 V						8.2 v	4.5欧姆
1N4753ABULK	0.1800	RFQ	4	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-1N4753ABULK	8541.10.0000	1,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 27.4 V						36 V	50欧姆
1N5243BT/r。	0.0400	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-1N5243BT/RTR	8541.10.0000	10,000			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 9.9 V						13 V	13欧姆
1N4933T/r	0.0400	RFQ	70	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-1N4933T/RTR	8541.10.0000	5,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.2 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
1N5226BBULK	0.1800	RFQ	5	EIC半导体公司	-	包	积极的	±5％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-1N5226BBULK	8541.10.0000	500			1.1 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V						3.3 v	28欧姆
1N4761AT/r。	0.0500	RFQ	10	EIC半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	2439-1N4761AT/RTR	8541.10.0000	5,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 56 V						75 v	175欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（453）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²