SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
BYV96E T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. byv96e t/r。 0.0800
RFQ
ECAD 18 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 雪崩 do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BYV96ET/RTR 8541.10.0000 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.6 V @ 1.5 A 300 ns 5 µA @ 1000 V 175°C 1.5a -
BR5001 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5001 2.9300
RFQ
ECAD 900 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR5001 8541.10.0000 50 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 100 V 50 a 单相 100 v
BR602 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR602 0.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,BR-6 标准 BR-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR602 8541.10.0000 200 1 V @ 3 A 10 µA @ 200 V 6 a 单相 200 v
BY550-1000G EIC SEMICONDUCTOR INC. BY550-1000G 0.9100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BY550-1000G 8541.10.0000 50 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 5 A 20 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 5a 50pf @ 4V,1MHz
1N5923BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5923BBULK 0.1600
RFQ
ECAD 7 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1.5 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5923BBULK 8541.10.0000 500 5 µA @ 6.5 V 8.2 v 3.5欧姆
BZX55C18T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. BZX55C18T/r。 0.0300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BZX55C18T/RTR 8541.10.0000 500 1 V @ 100 ma 100 na @ 13 V 18 V 50欧姆
BR3501 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3501 2.6900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR3501 8541.10.0000 50 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 100 V 35 a 单相 100 v
BR604 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR604 0.7500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,BR-6 标准 BR-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR604 8541.10.0000 200 1 V @ 3 A 10 µA @ 400 V 6 a 单相 400 v
BR3506 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3506 3.1300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR3506 8541.10.0000 50 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 600 V 35 a 单相 600 v
FR101BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR101Bulk 0.2100
RFQ
ECAD 39 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-FR101Bulk 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜150°C 1a 50pf @ 4V,1MHz
BR2510 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR2510 2.8100
RFQ
ECAD 250 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR2510 8541.10.0000 50 1.1 V @ 12.5 A 10 µA @ 1000 V 25 a 单相 1 kV
BY299BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. By299Bulk 0.2300
RFQ
ECAD 500 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 标准 do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BY299Bulk 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.3 V @ 2 A 250 ns 10 µA @ 800 V -50°C〜125°C 2a 28pf @ 4V,1MHz
MR754T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. MR754T/r。 0.2900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 汽车 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 D-6,轴向 标准 D6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-MR754T/RTR 8541.10.0000 800 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 900 mv @ 6 a 25 µA @ 400 V -65°C〜175°C 6a -
BR1504 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1504 2.5400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR1504 8541.10.0000 50 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 400 V 15 a 单相 400 v
1N752AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N752AT/r。 0.0300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N752AT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 1 V 5.6 v 11欧姆
1N4752ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4752ABULK 0.1800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4752ABULK 8541.10.0000 1,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 25.1 V 33 V 45欧姆
1N5255BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5255BT/R。 0.0850
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5255BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 21 V 28 V 44欧姆
1N5240BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5240BT/r。 0.0400
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5240BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 8 V 10 v 17欧姆
1N4935BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4935散装 0.1800
RFQ
ECAD 51 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4935Bulk 8541.10.0000 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.2 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜150°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4750A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4750A 0.1800
RFQ
ECAD 11 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4750A 8541.10.0000 1,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 20.6 V 27 V 35欧姆
1N5236BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5236BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5236BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 6 V 7.5 v 6欧姆
1N5234BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5234BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5234BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 4 V 6.2 v 7欧姆
1N5231BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5231BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5231BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 2 V 5.1 v 17欧姆
1N4732AG EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4732AG 0.1800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4732AG 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 1 V 4.7 v 8欧姆
1N5357BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5357BBULK 0.3800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 5 w do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5357BBULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 15.2 V 20 v 3欧姆
1N5349BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5349BBULK 0.3600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 5 w do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5349BBULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 1 A 2 µA @ 9.1 V 12 v 2.5欧姆
1N4732AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4732AT/R。 0.0600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4732AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 1 V 4.7 v 8欧姆
1N5360BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5360BBULK 0.4000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 5 w do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5360BBULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 1 A 500 na @ 19 V 25 v 4欧姆
1N4972 EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4972 0.1800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 5 w do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4972 8541.10.0000 1,000 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 29.7 V 39 v 14欧姆
1N4736AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4736AT/R。 0.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4736AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 4 V 6.8 v 3.5欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库