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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
1N5360BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5360BBULK 0.4000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 5 w do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5360BBULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 1 A 500 na @ 19 V 25 v 4欧姆
1N757ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N757ABULK 0.2100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N757ABULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 100 na @ 1 V 9.1 v 10欧姆
SF54-BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. sf54-bulk 0.6400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-SF54-ULK 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 mv @ 5 a 35 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C 5a 50pf @ 4V,1MHz
1N4738A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4738A 0.0500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 盒子 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 - rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4738A 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 6 V 8.2 v 4.5欧姆
FR304T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. FR304T/r。 0.1300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-FR304T/RTR 8541.10.0000 1,250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜150°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
BR1502M EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1502M 2.3500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR1502M 8541.10.0000 50 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 200 V 15 a 单相 200 v
BY133T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. by133t/r 0.0400
RFQ
ECAD 140 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BY133T/RTR 8541.10.0000 5,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1300 v 1.1 V @ 1 A 1.5 µs 5 µA @ 1300 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
BR1506 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1506 2.4100
RFQ
ECAD 200 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR1506 8541.10.0000 50 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 600 V 15 a 单相 600 v
KBL406M EIC SEMICONDUCTOR INC. KBL406M 1.1800
RFQ
ECAD 800 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBL 标准 KBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-kbl406m 8541.10.0000 100 1.1 V @ 4 A 10 µA @ 600 V 4 a 单相 600 v
BR806 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR806 0.9100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4平方,BR-10 标准 BR-10 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR806 8541.10.0000 200 1 V @ 4 A 10 µA @ 600 V 8 a 单相 600 v
BR5001 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR5001 2.9300
RFQ
ECAD 900 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR5001 8541.10.0000 50 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 100 V 50 a 单相 100 v
BR3501 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3501 2.6900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR3501 8541.10.0000 50 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 100 V 35 a 单相 100 v
BR3506 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR3506 3.1300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR3506 8541.10.0000 50 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 600 V 35 a 单相 600 v
1N5234BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5234BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5234BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 4 V 6.2 v 7欧姆
1N4736BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4736Bulk 0.2000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±10% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4736Bulk 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 4 V 6.8 v 3.5欧姆
1N4746ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4746ABULK 0.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4746ABULK 8541.10.0000 1,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 13.7 V 18 V 20欧姆
1N4751AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4751AT/r。 0.0600
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4751AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 22.8 V 30 V 40欧姆
1N5395BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5395卷 0.1800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5395Bulk 8541.10.0000 500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1.5a 15pf @ 4V,1MHz
RBV810 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV810 1.3000
RFQ
ECAD 700 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV810 8541.10.0000 100 1 V @ 4 A 10 µA @ 1000 V 8 a 单相 1 kV
RBV2506 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV2506 2.0600
RFQ
ECAD 100 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV2506 8541.10.0000 100 1.1 V @ 12.5 A 10 µA @ 600 V 25 a 单相 600 v
RBV1008 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV1008 1.4600
RFQ
ECAD 900 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV1008 8541.10.0000 100 1 V @ 5 A 10 µA @ 800 V 10 a 单相 800 v
1N5255BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5255BT/R。 0.0850
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5255BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 21 V 28 V 44欧姆
1N5927BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5927BT/R。 0.1300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1.5 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5927BT/RTR 8541.10.0000 5,000 1 µA @ 9.1 V 12 v 6.5欧姆
1N5358BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5358BBULK 0.3800
RFQ
ECAD 500 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 5 w do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5358BBULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 16.7 V 22 v 3.5欧姆
1N5256BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5256BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5256BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 23 V 30 V 49欧姆
BR1004 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1004 0.9800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4平方,BR-10 标准 BR-10 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR1004 8541.10.0000 200 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 400 V 10 a 单相 400 v
1N4750A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4750A 0.1800
RFQ
ECAD 11 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4750A 8541.10.0000 1,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 20.6 V 27 V 35欧姆
BR2510 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR2510 2.8100
RFQ
ECAD 250 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR2510 8541.10.0000 50 1.1 V @ 12.5 A 10 µA @ 1000 V 25 a 单相 1 kV
RBV3504 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV3504 2.3100
RFQ
ECAD 800 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV3504 8541.10.0000 100 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 400 V 35 a 单相 400 v
1N759ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N759ABULK 0.2100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N759ABULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 100 na @ 1 V 12 v 30欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库