SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
1N5229BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5229BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5229BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 1 V 4.3 v 22欧姆
FR207BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FR207Bulk 0.2800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 标准 do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-FR207Bulk 8541.10.0000 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.3 V @ 2 A 500 ns 10 µA @ 1000 V -65°C〜150°C 2a 15pf @ 4V,1MHz
1N4734AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4734AT/r。 0.0650
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4734AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 2 V 5.6 v 5欧姆
1N748AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N748AT/R。 0.0300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N748AT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 1 V 3.9 v 23欧姆
1N4756AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4756AT/r。 0.0600
RFQ
ECAD 30 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4756AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 35.8 V 47 V 80欧姆
1N4749AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4749AT/r。 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4749AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 18.2 V 24 V 25欧姆
1N4760AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4760AT/r。 0.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4760AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 51.7 V 68 v 150欧姆
1N5239BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5239BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5239BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 7 V 9.1 v 10欧姆
1N4728AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4728AT/R。 0.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 - rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-1N4728AT/RTR 5,000 1.2 V @ 200 ma 100 µA @ 1 V 3.3 v 10欧姆
BR602 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR602 0.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,BR-6 标准 BR-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR602 8541.10.0000 200 1 V @ 3 A 10 µA @ 200 V 6 a 单相 200 v
BR1508 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1508 2.5600
RFQ
ECAD 700 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR1508 8541.10.0000 50 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 800 V 15 a 单相 800 v
1N5396T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5396T/r 0.0400
RFQ
ECAD 40 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5396T/RTR 8541.10.0000 5,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 500 v 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 500 V -65°C〜175°C 1.5a 15pf @ 4V,1MHz
1N5244BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5244BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5244BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 10 V 14 V 15欧姆
MR850BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. MR850BULK 0.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-MR850BULK 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.25 V @ 3 A 150 ns 10 µA @ 50 V -65°C〜150°C 3a 28pf @ 4V,1MHz
KBP204 EIC SEMICONDUCTOR INC. KBP204 0.8500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -50°C〜125°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBP 标准 KBP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-KBP204 8541.10.0000 100 1 V @ 1 A 10 µA @ 400 V 2 a 单相 400 v
BR2504 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR2504 2.9600
RFQ
ECAD 650 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR2504 8541.10.0000 50 1.1 V @ 12.5 A 10 µA @ 400 V 25 a 单相 400 v
SZ6515 EIC SEMICONDUCTOR INC. SZ6515 0.1052
RFQ
ECAD 3 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 DO-214AA,SMB 5 w DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-SZ6515TR 8541.10.0000 3,000 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 11.5 V 15 v 2.5欧姆
1N5357BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5357BBULK 0.3800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 5 w do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5357BBULK 8541.10.0000 500 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 15.2 V 20 v 3欧姆
1N5223BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5223BT/r。 0.0400
RFQ
ECAD 20 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5223BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 V @ 200 ma 75 µA @ 1 V 2.7 v 30欧姆
1N5232BBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5232BBULK 0.1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5232BBULK 8541.10.0000 500 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3 V 5.6 v 11欧姆
1N4732AG EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4732AG 0.1800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4732AG 8541.10.0000 500 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 1 V 4.7 v 8欧姆
FKBL406MBULK EIC SEMICONDUCTOR INC. FKBL406MBULK 1.8500
RFQ
ECAD 900 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBL 标准 KBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-FKBL406MBULK 8541.10.0000 50 1.4 V @ 4 A 10 µA @ 600 V 4 a 单相 600 v
HER303BULK EIC SEMICONDUCTOR INC. Her303Bulk 0.2500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-HER303BULK 8541.10.0000 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.1 V @ 3 A 50 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C 3a 50pf @ 4V,1MHz
1N4758ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4758ABULK 0.1800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4758ABULK 8541.10.0000 1,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 42.6 V 56 v 110欧姆
BR1502 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR1502 2.3500
RFQ
ECAD 900 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,BR-50 标准 BR-50 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR1502 8541.10.0000 50 1.1 V @ 7.5 A 10 µA @ 200 V 15 a 单相 200 v
1N4747ABULK EIC SEMICONDUCTOR INC. 1n4747777abulk 0.1800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4747777abulk 8541.10.0000 1,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 15.2 V 20 v 22欧姆
1N5393T/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5393T/r 0.0400
RFQ
ECAD 15 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5393T/RTR 8541.10.0000 5,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.1 V @ 1.5 A 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1.5a 15pf @ 4V,1MHz
1N4736AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4736AT/R。 0.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4736AT/RTR 8541.10.0000 5,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 4 V 6.8 v 3.5欧姆
1N5361AT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5361AT/r。 0.1500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 5 w do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5361AT/RTR 8541.10.0000 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 19.4 V 27 V 5欧姆
1N5256BT/R EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N5256BT/R。 0.0400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N5256BT/RTR 8541.10.0000 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 23 V 30 V 49欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库