电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | G3S12010C | 10.8200 | ![]() | 8007 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 33.2a | 765pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S06506DT | 4.8300 | ![]() | 4519 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIC (碳化硅) | TO-263 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 24a | 395pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G4S06508HT | 4.6900 | ![]() | 4952 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SIC (碳化硅) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 18.5a | 395pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S12010H | 17.2000 | ![]() | 4267 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SIC (碳化硅) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 16.5a | 765pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S06510AT | 6.3000 | ![]() | 6640 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 36a | 645pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S06520B | 12.7000 | ![]() | 5244 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 40a | 690pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S06502AT | 2.4300 | ![]() | 9761 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 9.6a | 124pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S06504QT | 3.0800 | ![]() | 4440 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | 4-POWERTSFN | SIC (碳化硅) | 4-DFN(8x8) | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.55 V @ 4 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 14a | 181pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S06506AT | 4.8300 | ![]() | 2979 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 24.5A | 395pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S06504H | 3.0800 | ![]() | 2030 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SIC (碳化硅) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 4 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 10a | 181pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S12010B | 16.0500 | ![]() | 1220 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 39A(DC) | 1.7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | G3S12010M | 15.1400 | ![]() | 7383 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SIC (碳化硅) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 23.5a | 765pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G4S06510JT | 4.8600 | ![]() | 8183 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2隔离选项卡 | SIC (碳化硅) | TO-220ISO | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 31.2a | 550pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G4S12010PM | 17.6300 | ![]() | 6429 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 0 ns | 30 µA @ 1700 V | -55°C 〜175°C | 33.2a | - | ||||
![]() | G52yt | 2.7300 | ![]() | 3166 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | SIC (碳化硅) | SMA | 下载 | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 5.8a | 116.75pf @ 0v,1MHz | ||||
![]() | G3S12005D | 7.6200 | ![]() | 3385 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIC (碳化硅) | TO-263 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 34a | 475pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G4S6508Z | 4.8300 | ![]() | 4284 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | SIC (碳化硅) | 8-DFN(4.9x5.75) | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 30.5a | 395pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S06508B | 5.1600 | ![]() | 4452 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 650 v | 14A(DC) | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | G3S06504C | 3.0800 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 4 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 11.5A | 181pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S06505A | 4.8600 | ![]() | 3839 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 22.6a | 424pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S06560B | 37.5400 | ![]() | 2593 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 650 v | 95A(DC) | 1.7 V @ 30 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | G3S12050p | 44.0600 | ![]() | 8536 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 150 A | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 117a | 7500pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G4S06515DT | 8.3300 | ![]() | 2967 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIC (碳化硅) | TO-263 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 38a | 645pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S12040BM | 43.4000 | ![]() | 7005 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | 下载 | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 62A(DC) | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | ||||
![]() | G3S06506H | 4.0700 | ![]() | 2999 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SIC (碳化硅) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 15.4a | 424pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S12010D | 12.6300 | ![]() | 2899 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIC (碳化硅) | TO-263 | 下载 | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 30.9a | 825pf @ 0v,1MHz | ||||
![]() | G3S06550p | 37.4900 | ![]() | 7840 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 50 A | 0 ns | 100 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 105a | 4400pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S17010A | 33.3600 | ![]() | 3150 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1700 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 100 µA @ 1700 V | -55°C 〜175°C | 24a | 1500pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S06508QT | 6.2000 | ![]() | 7166 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | 4-POWERTSFN | SIC (碳化硅) | 4-DFN(8x8) | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 44.9a | 550pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | GAS06520A | 11.1000 | ![]() | 9864 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 66a | 1390pf @ 0v,1MHz |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库