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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | P3D12020K2 | 12.4100 | ![]() | 5644 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 管子 | 的积极 | TO-247-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D12020K2 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 0纳秒 | 60μA@650V | -55℃~175℃ | 51A | ||||||
![]() | P3D06008E2 | 3.3300 | ![]() | 2523 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 卷带式 (TR) | 的积极 | TO-252-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D06008E2TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 650V时为36μA | -55℃~175℃ | 22A | ||||
![]() | P3D12020K3 | 12.4100 | ![]() | 第1272章 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 管子 | 的积极 | TO-247-3 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D12020K3 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 0纳秒 | 50μA@650V | -55℃~175℃ | 70A | ||||||
![]() | P3D06004G2 | 2.1000 | ![]() | 6325 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 卷带式 (TR) | 的积极 | TO-263-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-263-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D06004G2TR | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 650V时为20μA | -55℃~175℃ | 14A | ||||||
![]() | P3D06002T2 | 2.1000 | ![]() | 5217 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 管子 | 的积极 | TO-220-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D06002T2 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 650V时为10μA | -55℃~175℃ | 6A | ||||||
![]() | P3D06006T2 | 2.5000 | ![]() | 2115 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 管子 | 的积极 | TO-220-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D06006T2 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 650V时为30μA | -55℃~175℃ | 23A | ||||||
![]() | P3D12020G2 | 12.4100 | ![]() | 4772 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 卷带式 (TR) | 的积极 | TO-263-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-263-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D12020G2TR | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 0纳秒 | 60μA@650V | -55℃~175℃ | 49A | ||||||
![]() | P3D06020T2 | 8.8400 | ![]() | 2609 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 管子 | 的积极 | - | TO-220-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D06020T2 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.6V@20A | 0纳秒 | 650V时为100μA | -55℃~175℃ | 45A | 904pF @ 0V、1MHz | |||
![]() | P3D06020I2 | 8.8400 | ![]() | 9682 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 管子 | 的积极 | TO-220I-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220I-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D06020I2 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 50μA@650V | -55℃~175℃ | 35A | ||||||
![]() | P3D12010K3 | 6.5400 | ![]() | 3747 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 管子 | 的积极 | TO-247-3 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D12010K3 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 0纳秒 | 650V时为44μA | -55℃~175℃ | 46A | ||||||
![]() | P3D12005K2 | 4.5000 | ![]() | 6239 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 管子 | 的积极 | TO-247-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D12005K2 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 0纳秒 | 650V时为44μA | -55℃~175℃ | 23A | ||||||
![]() | P3D06016I2 | 7.7800 | ![]() | 2155 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 管子 | 的积极 | TO-220I-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220I-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D06016I2 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 45μA@650V | -55℃~175℃ | 28A | ||||||
![]() | P3D12020GS | 12.4100 | ![]() | 9668 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 卷带式 (TR) | 的积极 | TO-263S | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-263S | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D12020GSTR | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 0纳秒 | 60μA@650V | -55℃~175℃ | 50A | ||||||
![]() | P3D06006G2 | 2.5000 | ![]() | 3063 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 卷带式 (TR) | 的积极 | TO-263-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-263-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D06006G2TR | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 650V时为30μA | -55℃~175℃ | 21A | ||||||
![]() | P3D12030K2 | 14.9200 | ![]() | 2635 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 管子 | 的积极 | TO-247-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D12030K2 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 0纳秒 | 650V时为65μA | -55℃~175℃ | 57A | ||||||
![]() | P3D06020F2 | 8.8400 | ![]() | 7762 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 管子 | 的积极 | TO-220F-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220F-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D06020F2 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 50μA@650V | -55℃~175℃ | 29A | ||||||
![]() | P3D06004E2 | 2.1000 | ![]() | 8434 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 卷带式 (TR) | 的积极 | TO-252-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D06004E2TR | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 650V时为20μA | -55℃~175℃ | 12A | ||||||
![]() | P3D06006I2 | 2.5000 | ![]() | 8790 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 管子 | 的积极 | TO-220I-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220I-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D06006I2 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 650V时为30μA | -55℃~175℃ | 18A | ||||||
![]() | P3D12005E2 | 4.5000 | ![]() | 1816 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 卷带式 (TR) | 的积极 | TO-252-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D12005E2TR | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 0纳秒 | 650V时为44μA | -55℃~175℃ | 19A | ||||||
![]() | P3D06008F2 | 3.3300 | ![]() | 6959 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 管子 | 的积极 | TO-220F-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220F-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D06008F2 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 650V时为36μA | -55℃~175℃ | 18A | ||||||
![]() | P3D06010G2 | 4.1600 | ![]() | 5972 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 卷带式 (TR) | 的积极 | TO-263-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-263-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D06010G2TR | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 650V时为44μA | -55℃~175℃ | 30A | ||||||
![]() | P3D06008I2 | 3.3300 | ![]() | 4460 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 管子 | 的积极 | TO-220I-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220I-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D06008I2 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 650V时为36μA | -55℃~175℃ | 21A | ||||||
![]() | P3D06006F2 | 2.5000 | ![]() | 2548 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 管子 | 的积极 | TO-220F-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220F-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D06006F2 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 650V时为30μA | -55℃~175℃ | 15A | ||||||
![]() | P6D12002E2 | 2.6900 | ![]() | 9835 | 0.00000000 | PN结半导体 | P6D | 卷带式 (TR) | 的积极 | TO-252-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P6D12002E2TR | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 0纳秒 | 50μA@650V | -55℃~175℃ | 8A | ||||||
![]() | P3D06010E2 | 4.1600 | ![]() | 8153 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 卷带式 (TR) | 的积极 | TO-252-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D06010E2TR | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 650V时为44μA | -55℃~175℃ | 28A | ||||||
![]() | P3D06040K3 | 13.8400 | ![]() | 2820 | 0.00000000 | PN结半导体 | P6D | 管子 | 的积极 | TO-247-3 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D06040K3 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 650V时为100μA | -55℃~175℃ | 106A | ||||||
![]() | P3D06004T2 | 2.1000 | ![]() | 2096 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 管子 | 的积极 | TO-220-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D06004T2 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 650V时为20μA | -55℃~175℃ | 15A | ||||||
![]() | P3D06002G2 | 2.1000 | ![]() | 4224 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 卷带式 (TR) | 的积极 | TO-263-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-263-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D06002G2TR | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 650V时为10μA | -55℃~175℃ | 7A | ||||||
![]() | P3D06010F2 | 4.1600 | ![]() | 5570 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 管子 | 的积极 | TO-220F-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220F-2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D06010F2 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 650V时为44μA | -55℃~175℃ | 21A | ||||||
![]() | P3D06020P3 | 8.8400 | ![]() | 6681 | 0.00000000 | PN结半导体 | P3D | 管子 | 的积极 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-3PF-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH旅行 | 4237-P3D06020P3 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 0纳秒 | 650V时为44μA | -55℃~175℃ | 40A |
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