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（2089）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
GBPC1504W GeneSiC Semiconductor GBPC1504W 2.4180
RFQ
 ECAD 1714年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，GBPC-W GBPC1504 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） GBPC1504WGS Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 400 V 15 a 单相 400 v
GBPC1510W GeneSiC Semiconductor GBPC1510W 2.4180
RFQ
 ECAD 8311 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，GBPC-W GBPC1510 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） GBPC1510WGS Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V 15 a 单相 1 kV
GBPC3501W GeneSiC Semiconductor GBPC3501W 2.8650
RFQ
 ECAD 5121 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，GBPC-W GBPC3501 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） GBPC3501WGS Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 100 V 35 a 单相 100 v
GBPC3502W GeneSiC Semiconductor GBPC3502W 2.8650
RFQ
 ECAD 7330 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，GBPC-W GBPC3502 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） GBPC3502WGS Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 200 V 35 a 单相 200 v
GBPC5001W GeneSiC Semiconductor GBPC5001W 4.0155
RFQ
 ECAD 7784 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，GBPC-W GBPC5001 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 100 V 50 a 单相 100 v
GBPC5008W GeneSiC Semiconductor GBPC5008W 4.0155
RFQ
 ECAD 3277 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，GBPC-W GBPC5008 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 800 V 50 a 单相 800 v
KBP204G GeneSiC Semiconductor KBP204G 0.2280
RFQ
 ECAD 9945 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，KBP KBP204 标准 KBP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） KBP204GGS Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 400 V 2 a 单相 400 v
KBP210G GeneSiC Semiconductor KBP210G 0.2280
RFQ
 ECAD 2792 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，KBP KBP210 标准 KBP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 2 A 10 µA @ 1000 V 2 a 单相 1 kV
KBPC2504W GeneSiC Semiconductor KBPC2504W 2.2995
RFQ
 ECAD 3961 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，KBPC-W KBPC2504 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 400 V 25 a 单相 400 v
KBPC2510W GeneSiC Semiconductor KBPC2510W 2.2995
RFQ
 ECAD 6108 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，KBPC-W KBPC2510 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 12.5 A 10 µA @ 1000 V 25 a 单相 1 kV
KBPC35005W GeneSiC Semiconductor KBPC35005W 2.4720
RFQ
 ECAD 7866 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，KBPC-W KBPC35005 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 50 V 35 a 单相 50 V
KBPC3510T GeneSiC Semiconductor KBPC3510T 2.4750
RFQ
 ECAD 6256 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） QC终端 4平方英尺，KBPC-T KBPC3510 标准 KBPC-T 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 17.5 A 5 µA @ 1000 V 35 a 单相 1 kV
KBPC5010W GeneSiC Semiconductor KBPC5010W 2.5875
RFQ
 ECAD 3036 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4平方英尺，KBPC-W KBPC5010 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 A 5 µA @ 1000 V 50 a 单相 1 kV
GBU15D GeneSiC Semiconductor GBU15D 0.6120
RFQ
 ECAD 9784 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBU GBU15 标准 gbu 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） GBU15DGN Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 15 A 5 µA @ 200 V 15 a 单相 200 v
S25JR GeneSiC Semiconductor S25JR 5.2485
RFQ
 ECAD 5636 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 S25J 标准，反极性 - 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S25JRGN Ear99 8541.10.0080 250 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.1 V @ 25 A 10 µA @ 50 V -65°C〜175°C 25a -
FST10060 GeneSiC Semiconductor FST10060 65.6445
RFQ
 ECAD 4181 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 TO-249AB 肖特基 TO-249AB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） FST10060GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 60 V 100a 750 mv @ 100 a 2 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRTA800150 GeneSiC Semiconductor MBRTA800150 -
RFQ
 ECAD 3664 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 18 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 400a 880 mv @ 400 A 5 ma @ 150 V -55°C〜150°C
GBJ20K GeneSiC Semiconductor GBJ20K 0.9120
RFQ
 ECAD 1418 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBJ GBJ20 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ20K Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 10 A 5 µA @ 800 V 20 a 单相 800 v
MUR2X100A10 GeneSiC Semiconductor MUR2X100A10 48.6255
RFQ
 ECAD 5406 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MUR2X100 标准 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 2独立 1000 v 100a 2.35 V @ 100 A 25 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C
1N3765R GeneSiC Semiconductor 1N3765R 6.2320
RFQ
 ECAD 1506 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3765R 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3765RGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 700 v 1.2 V @ 35 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜190°C 35a -
MBRT120100 GeneSiC Semiconductor MBRT120100 75.1110
RFQ
 ECAD 8632 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT120100GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 60a 880 mv @ 60 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
1N3294A GeneSiC Semiconductor 1N3294A 33.5805
RFQ
 ECAD 6744 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 1N3294 标准 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 1N3294AGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.5 V @ 100 A 13 ma @ 800 V -40°C 200°C 100a -
MBRT60035L GeneSiC Semiconductor MBRT60035L -
RFQ
 ECAD 5242 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 35 v 300A 600 MV @ 300 A 3 ma @ 35 V -55°C〜150°C
MBR2X100A100 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A100 50.2485
RFQ
 ECAD 5931 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 MBR2X100 肖特基 SOT-227 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 52 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 100 v 100a 840 mv @ 100 a 1 mA @ 100 V -40°C〜150°C
MBRT12080 GeneSiC Semiconductor MBRT12080 75.1110
RFQ
 ECAD 5417 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT12080GN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 80 V 60a 880 mv @ 60 a 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MUR30010CTR GeneSiC Semiconductor MUR30010CTR 118.4160
RFQ
 ECAD 3859 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 双子塔 MUR30010 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MUR30010CTRGN Ear99 8541.10.0080 40 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对公共阳极 100 v 150a 1.3 V @ 100 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
150K100A GeneSiC Semiconductor 150K100A 35.5695
RFQ
 ECAD 8311 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-205aa，do-8，螺柱 150K100 标准 DO-205AA（DO-8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） 150K100AGN Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 1000 v 1.33 V @ 150 A 24 mA @ 1000 V -40°C 200°C 150a -
S70GR GeneSiC Semiconductor S70GR 9.8985
RFQ
 ECAD 9048 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 S70G 标准，反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） S70GRGN Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.1 V @ 70 A 10 µA @ 100 V -65°C〜180°C 70a -
MBRT50030 GeneSiC Semiconductor MBRT50030 -
RFQ
 ECAD 4648 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） MBRT50030GN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 30 V 250a 750 MV @ 250 A 1 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MBRF12045 GeneSiC Semiconductor MBRF12045 -
RFQ
 ECAD 6183 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB 肖特基 TO-244AB - （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 45 v 60a 700 mv @ 60 a 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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