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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MMSZ5244C-HE3_A-18 | 0.0566 | ![]() | 6632 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | 112-MMSZ5244C-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 10 V | 14 V | 15欧姆 | ||||||
![]() | NTE5079A | 0.6000 | ![]() | 780 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1 w | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 2368-NTE5079A | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 20 v | 22欧姆 | |||||||
![]() | JANTXV1N4970 | - | ![]() | 6935 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 在sic中停产 | ±4.85% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | 轴向 | 1N4970 | 5 w | 轴向 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 25.1 V | 33 V | 10欧姆 | |||||||
![]() | 1N3154A-1 | 6.4500 | ![]() | 1946年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 1N3154 | 500兆 | do-7 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 10 µA @ 5.5 V | 8.8 v | 15欧姆 | ||||
![]() | 1N4622 | 2.6250 | ![]() | 5082 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500兆 | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N4622 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 2 V | 3.9 v | 1650年 | |||||
1N4569A-1 | 67.3350 | ![]() | 1595年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±1% | -55°C〜100°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4569 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 200欧姆 | |||||
JANTX1N555520C-1 | 18.8850 | ![]() | 1771年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5520 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 1 V | 3.9 v | 22欧姆 | ||||
![]() | 1 PMT5956CE3/TR13 | 0.7350 | ![]() | 2781 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 3 W | do-216aa | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 152 V | 200 v | 1200欧姆 | |||
JANTX1N4461DUS | 69.9450 | ![]() | 1849年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N4461 | 1.5 w | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 MA | 5 µA @ 4.08 V | 6.8 v | 2.5欧姆 | ||||
![]() | JANTXV1N4976US/TR | 16.1250 | ![]() | 3524 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTXV1N4976US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 42.6 V | 56 v | 35欧姆 | ||||||
![]() | JANS1N4466DUS/TR | 330.4050 | ![]() | 6591 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JANS1N4466DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 A | 300 NA @ 8.8 V | 11 V | 6欧姆 | ||||||
![]() | 1N5340E3/TR12 | 2.6250 | ![]() | 7233 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±20% | -65°C〜150°C | 通过洞 | T-18,轴向 | 1N5340 | 5 w | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 1 µA @ 3 V | 6 V | 1欧姆 | |||
![]() | 1N5373BRL | - | ![]() | 7816 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | T-18,轴向 | 1N5373 | 5 w | 轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 51.7 V | 68 v | 44欧姆 | |||
![]() | BZT52C56S RRG | - | ![]() | 6297 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | BZT52C | 200兆 | SOD-323F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 45 NA @ 39.2 V | 56 v | 200欧姆 | |||
JANTX1N6313US | 20.9250 | ![]() | 6287 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 3 µA @ 1 V | 3.6 v | 25欧姆 | |||||||
DZ23C13-HE3_A-08 | - | ![]() | 8720 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,DZ23 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 300兆 | SOT-23-3 | 下载 | 112-DZ23C13-HE3_A-08TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1对普通阴极 | 100 na @ 10 V | 13 V | 9欧姆 | |||||||
![]() | MMBZ5253B_R1_00001 | 0.0189 | ![]() | 9675 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBZ5253 | 410 MW | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,252,000 | 100 na @ 19 V | 25 v | 35欧姆 | ||||
![]() | SZNZL7V5AXV3T1G | 0.0965 | ![]() | 3018 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | SZNZL7V5 | 240兆 | SC-89-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1对公共阳极 | 900 mv @ 10 ma | 1 µA @ 7.5 V | 7.5 v | |||
UZ216 | 22.4400 | ![]() | 6417 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | -65°C〜175°C | 通过洞 | a,轴向 | 3 W | a,轴向 | - | 到达不受影响 | 150-UZ216 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||
![]() | 2EZ6.2D10E3/TR12 | - | ![]() | 9255 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 2EZ6.2 | 2 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 3 V | 6.2 v | 1.5欧姆 | |||
![]() | RD2.2ES-AZ | - | ![]() | 6678 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,350 | ||||||||||||||
BZX84C12-HE3-08 | 0.2400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,BZX84 | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84C12 | 300兆 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 8 V | 12 v | 25欧姆 | |||||
![]() | CDLL4568/tr | 9.0151 | ![]() | 5583 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 0°C〜75°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL4568/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 200欧姆 | ||||||
![]() | BZX79-B47,113 | 0.0200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 400兆 | Alf2 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 32.9 V | 47 V | 170欧姆 | |||||||
AZ23B4V7-HE3_A-18 | - | ![]() | 9089 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,AZ23 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 300兆 | SOT-23-3 | 下载 | 112-AZ23B4V7-HE3_A-18TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1对公共阳极 | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80欧姆 | |||||||
![]() | BZW03C56-TAP | - | ![]() | 7762 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZW03 | (TB) | 过时的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | SOD-64,轴向 | BZW03 | 1.85 w | SOD-64 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 V @ 1 A | 2 µA @ 43 V | 56 v | 35欧姆 | |||
![]() | CD1005-Z3V6 | - | ![]() | 6457 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -55°C〜125°C | 表面安装 | 1005 (2512公制) | CD1005 | 200兆 | 1005 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 15 µA @ 1 V | 3.6 v | 95欧姆 | ||||
![]() | BZT52C3V9-E3-18 | 0.0360 | ![]() | 3069 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | BZT52 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123 | BZT52C3V9 | 410 MW | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3.9 v | 80欧姆 | |||||
![]() | CMHz4627 bk锡/铅 | - | ![]() | 7778 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CMHZ4627BKTIN/铅 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 ma | 10 µA @ 5 V | 6.2 v | 1200欧姆 | |||||
![]() | BZT52H-B56,115 | 0.2400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C(TA) | 表面安装 | SOD-123F | BZT52 | 375兆 | SOD-123F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 39.2 V | 56 v | 120欧姆 |
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