SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
BZT52C8V2-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C8V2-G 0.0445
RFQ
ECAD 5647 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOD-123 BZT52C 350兆 SOD-123 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-BZT52C8V2-GTR Ear99 8541.10.0050 6,000 900 mv @ 10 ma 700 na @ 5 V 8.2 v 15欧姆
JANS1N5968CUS/TR Microchip Technology JANS1N5968CUS/TR -
RFQ
ECAD 7702 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/356 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,E 5 w E-Melf 下载 150-JANS1N5968CUS/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5 ma @ 4.28 V 5.6 v 1欧姆
BZT52C30-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C30-E3-08 0.2700
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT52 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 SOD-123 BZT52C30 410 MW SOD-123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 22.5 V 30 V 35欧姆
1N5351E3/TR13 Microchip Technology 1N5351E3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 9549 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5351 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 10.1 V 14 V 2.5欧姆
BZT55C3V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C3V6 0.0494
RFQ
ECAD 7876 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SOD-80变体 500兆 QMMELF 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-BZT55C3V6TR Ear99 8541.10.0050 2,500 1 V @ 10 mA 2 µA @ 1 V 3.6 v 85欧姆
SMA1EZ120D5HE3-TP Micro Commercial Co sma1ez120d5he3-tp 0.1143
RFQ
ECAD 7388 0.00000000 微商业公司 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 - -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 do-214ac,SMA SMA1EZ120 1 w DO-214AC(SMA) 下载 353-SMA1EZ120D5HE3-TP Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 100 NA @ 91.2 V 120 v 550欧姆
BZX84W-C56-QF Nexperia USA Inc. BZX84W-C56-QF 0.0263
RFQ
ECAD 6468 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101,BZX84W-Q 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±7.14% 150°C(TJ) 表面安装 SC-70,SOT-323 BZX84W 275兆 SOT-323 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1727-BZX84W-C56-QFTR Ear99 8541.10.0050 10,000 900 mv @ 10 ma 50 NA @ 39.2 V 56 v 200欧姆
BZX79-B75,113 NXP USA Inc. BZX79-B75,113 0.0200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. - 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜200°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 400兆 Alf2 下载 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 50 na @ 52.5 V 75 v 255欧姆
BZT52C12-13-F-79 Diodes Incorporated BZT52C12-13-F-79 -
RFQ
ECAD 3496 0.00000000 二极管合并 * 胶带和卷轴((tr) 过时的 BZT52 - (1 (无限) 到达不受影响 BZT52C12-13-F-79DI Ear99 8541.10.0050 10,000
1N4132UR/TR Microchip Technology 1N4132ur/tr 3.9450
RFQ
ECAD 1855年 0.00000000 微芯片技术 MIL-STD-750 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - 150-1N4132ur/tr Ear99 8541.10.0050 249 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 62.32 V 82 v 800欧姆
1N5949C Microchip Technology 1N5949C 6.7950
RFQ
ECAD 2889 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do041,轴向 1N5949 1.25 w do-41 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 76 V 100 v 250欧姆
JANS1N4616D-1/TR Microchip Technology JANS1N4616D-1/TR 134.7200
RFQ
ECAD 6419 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N4616D-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 1 V 2.2 v 1.3欧姆
1N4971USE3 Microchip Technology 1N4971USE3 8.3923
RFQ
ECAD 7549 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,E 5 w D-5B - rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N4971USE3 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 27.4 V 36 V 11欧姆
MMSZ5267B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5267B-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 4394 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 上次购买 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 SOD-123 MMSZ5267 500兆 SOD-123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 56 V 75 v 270欧姆
BZX585-C24,115 NXP Semiconductors BZX585-C24,115 0.0300
RFQ
ECAD 251 0.00000000 NXP半导体 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 SC-79,SOD-523 300兆 SOD-523 下载 (1 (无限) 到达不受影响 2156-BZX585-C24,115-954 10,764 1.1 V @ 100 mA 50 NA @ 16.8 V 24 V 70欧姆
CDLL4.10V/TR Microchip Technology cdll4.10v/tr 28.5000
RFQ
ECAD 7275 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 到达不受影响 150-CDLL4.10V/tr Ear99 8541.10.0050 100
JANTX1N4106D-1/TR Microchip Technology JANTX1N4106D-1/TR 13.7389
RFQ
ECAD 9662 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N4106D-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 9.2 V 12 v 200欧姆
1N5936AE3/TR13 Microchip Technology 1N5936AE3/TR13 -
RFQ
ECAD 9743 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N5936 1.5 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 22.8 V 30 V 28欧姆
EDZFJTE616.8B Rohm Semiconductor EDZFJTE616.8B -
RFQ
ECAD 3230 0.00000000 Rohm半导体 Edz 胶带和卷轴((tr) 过时的 - -55°C〜125°C 表面安装 EDZFJT 100兆 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 846-Edzfjte616.8btr Ear99 8541.10.0050 3,000
CDLL5535/TR Microchip Technology CDLL5535/tr 5.9052
RFQ
ECAD 5440 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf 500兆 do-213ab - rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL5535/tr Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 12.5 V 15 v 100欧姆
1N4740A Taiwan Semiconductor Corporation 1N4740A 0.1642
RFQ
ECAD 4253 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4740 1 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 10 µA @ 7.6 V 10 v 7欧姆
CDLL5917C Microchip Technology CDLL5917C 7.8450
RFQ
ECAD 4253 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf CDLL5917 1.25 w do-213ab 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 1.5 V 4.7 v 5欧姆
BZX384C75-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C75-HG3-08 0.3900
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% 150°C(TJ) 表面安装 SC-76,SOD-323 BZX384 200兆 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 50 NA @ 700 mV 75 v 95欧姆
NZX2V4B,133 NXP USA Inc. NZX2V4B,133 0.0200
RFQ
ECAD 134 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 NZX2 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000
CD3029B Microchip Technology CD3029B 3.6043
RFQ
ECAD 9000 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 1 w 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CD3029B Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 500 na @ 18.2 V 24 V 25欧姆
1N4763A EIC SEMICONDUCTOR INC. 1N4763A 0.0600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 EIC半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-1N4763ATR 8541.10.0000 2,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 69.2 V 91 v 250欧姆
CDS5545DUR-1/TR Microchip Technology CDS5545DUR-1/TR -
RFQ
ECAD 5581 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 到达不受影响 150-CDS5545DUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 50
BZT52C27-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C27-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 4000 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZT52 胶带和卷轴((tr) 上次购买 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 SOD-123 BZT52C27 410 MW SOD-123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 20 V 27 V 80欧姆
BZX584B15 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B15 RSG 0.4800
RFQ
ECAD 113 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% 150°C(TJ) 表面安装 SC-79,SOD-523 BZX584 150兆 SOD-523F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 10.5 V 15 v 30欧姆
BZX84C43-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C43-G3-08 0.0353
RFQ
ECAD 5148 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZX84-G 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BZX84C43 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 50 NA @ 30.1 V 43 V 150欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库