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1月1N963D-1 | 27.3600 | ![]() | 1325 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N963 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 v | 11.5欧姆 | |||
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![]() | SMZJ3799B-M3/52 | 0.1882 | ![]() | 2856 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMZJ3799 | 1.5 w | DO-214AA(SMBJ) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 5 µA @ 20.6 V | 27 V | 23欧姆 | |||
![]() | JANTX1N4462US.TR | - | ![]() | 1130 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | ±4.93% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF | 1N4462 | - | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 µA @ 4.5 V | 7.5 v | 2.5欧姆 | |||||||
![]() | 1N967B TR PBFRE | 0.0734 | ![]() | 6828 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 ma | 5 µA @ 13.7 V | 18 V | 21欧姆 | ||||
![]() | BZX84C30HE3-TP | 0.2700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 微商业公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84C30 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 353-BZX84C30HE3-TPTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 21 V | 30 V | 80欧姆 | |
![]() | DZ2J06200L | - | ![]() | 2925 | 0.00000000 | 松下电子组件 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | ±5% | - | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | DZ2J062 | 200兆 | smini2-f5-b | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 200 na @ 4 V | 6.2 v | 30欧姆 | |||
![]() | RD13JS | 0.0600 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||
![]() | JANS1N6633CUS/TR | - | ![]() | 2163 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | E-Melf | 下载 | 150-JANS1N666633CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 250 µA @ 1 V | 3.6 v | 2.5欧姆 | |||||
![]() | PLZ3V6A-HG3_A/H | 0.3600 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,PLZ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±3.36% | 150°C(TJ) | 表面安装 | DO-219AC | PLZ3V6 | 960兆 | DO-219AC(MicroSMF) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 1 V | 3.58 v | 60欧姆 | ||
CDLL5237 | 2.8650 | ![]() | 6792 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±20% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5237 | 10兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 3 µA @ 6.5 V | 8.2 v | 8欧姆 | |||
MMBZ5254C-HE3-08 | - | ![]() | 9326 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MMBZ5254 | 225兆 | SOT-23-3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 21 V | 27 V | 41欧姆 | ||||
![]() | BZX55B3V0-Tr | 0.0271 | ![]() | 2358 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,BZX55 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BZX55B3V0 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.5 V @ 200 ma | 4 µA @ 1 V | 3 V | 85欧姆 | ||
![]() | SZMM3Z27VST1G-M03 | - | ![]() | 3488 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | SZMM3Z27 | - | 488-SZMM3Z27VST1G-M03 | 过时的 | 1 | |||||||||||||||
![]() | BZX55C7V5_NL | 0.0200 | ![]() | 8115 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.3 V @ 100 mA | 100 na @ 5 V | 7.5 v | 7欧姆 | |||
![]() | BZV85-C6V8,113 | 0.0400 | ![]() | 67 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.3 w | do-41 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 7,969 | 1 V @ 50 mA | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 3.5欧姆 | ||||||
![]() | BZT52C3V9 | 0.0170 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 200兆 | SOD-323 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-BZT52C3V9STR | Ear99 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90欧姆 | ||||
Jan1n4574a-1/tr | 29.2500 | ![]() | 4293 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/452 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N4574A-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 100欧姆 | |||||
![]() | BZV85-C4V3,133 | 0.3900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | (CT) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | BZV85-C4V3 | 1.3 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 50 mA | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 13欧姆 | ||
![]() | 1N4479US | - | ![]() | 2015 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | 大部分 | 在sic中停产 | ±4.87% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF | 1N4479 | 1.5 w | - | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 50 NA @ 31.2 V | 39 v | 30欧姆 | |||||
![]() | SMBG5340CE3/TR13 | 1.4400 | ![]() | 5383 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | SMBG5340 | 5 w | SMBG(DO-215AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 1 µA @ 3 V | 6 V | 1欧姆 | ||
![]() | 1N3049B-1 | 8.1900 | ![]() | 6043 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do041,轴向 | 1N3049 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 2 µA @ 121.6 V | 160 v | 1100欧姆 | |||
![]() | TZMC1V0-m-18 | - | ![]() | 4937 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,TZM-M | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | 175°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | TZMC1V0 | 500兆 | SOD-80最小 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 ma | 1 V | ||||
![]() | BZX884S-B12yl | 0.3400 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±1.67% | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-882 | 365兆w | DFN1006BD-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 8 V | 12 v | 25欧姆 | |||
![]() | BZX55C7V5-TAP | 0.2300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,BZX55 | (CT) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | BZX55C7V5 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 5 V | 7.5 v | 7欧姆 | ||
![]() | BZX84C16-TP | 0.1200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84C16 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 11.2 V | 16 V | 40欧姆 | ||
![]() | Jan1n7049ur-1/tr | 9.3150 | ![]() | 4026 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N7049UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||
![]() | 1N5243B-G | - | ![]() | 4241 | 0.00000000 | comchip技术 | - | (TB) | 过时的 | - | 175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 641-1N5243B-GTB | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 9.9 V | 13 V | 13欧姆 | |||
1N4625-1E3 | 2.8050 | ![]() | 9055 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4625 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 3 V | 5.1 v | 1500欧姆 | ||||
![]() | BZX84-A6V8,215 | 1.0000 | ![]() | 9016 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 250兆 | SOT-23 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 15欧姆 |
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