电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BYM10-1000-E3/97 | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | BYM10 | 标准 | do-213ab | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.2 V @ 1 A | 10 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | 1N5553US | 11.1900 | ![]() | 2143 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N5553 | 标准 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.2 V @ 9 A | 2 µs | 1 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||
BAT54A-G3-18 | 0.0501 | ![]() | 9930 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAT54 | 肖特基 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 30 V | 200ma(dc) | 800 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 125°c (最大) | |||||
![]() | 1N2066 | 21.0000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | 标准 | do-9 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-1N2066 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 800 V | -65°C 〜190°C | 275a | - | |||||
![]() | htz170c2.8k | - | ![]() | 6977 | 0.00000000 | ixys | htz170c | 盒子 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | htz170 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 2800 v | 10a | 1.9 V @ 40 A | 500 µA @ 2800 V | ||||||
![]() | SF56 | 0.1120 | ![]() | 125 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | (TB) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-SF56TB | Ear99 | 1,250 | ||||||||||||||||||
![]() | VS-MBRB735TRLPBF | - | ![]() | 6401 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB7 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 35 v | 840 mv @ 15 A | 100 µA @ 35 V | -65°C〜150°C | 7.5a | 400pf @ 5V,1MHz | |||||
![]() | JAN1N6941UTK3 | - | ![]() | 6447 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | Thinkey™3 | 肖特基 | Thinkey™3 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 500 mv @ 50 a | 5 ma @ 30 V | -65°C〜150°C | 150a | 7500pf @ 5V,1MHz | |||||||
![]() | PX8244HDMG008XTMA1 | - | ![]() | 6730 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | PX8244HD | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | VS-47CTQ020STRLPBF | - | ![]() | 3431 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 47CTQ020 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 20 v | 20a | 450 mv @ 20 a | 3 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | GP10KHM3/73 | - | ![]() | 7990 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | GP10 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.1 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | 7pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | MBR560MFST1G | - | ![]() | 9877 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 8-Powertdfn,5个线索 | MBR560 | 肖特基 | 5-DFN (5x6)(8-SOFL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 780 mv @ 5 a | 150 µA @ 60 V | -55°C 〜175°C | 5a | - | |||||
![]() | DSEI2X31-12B | 24.0200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | DSEI2X31 | 标准 | SOT-227B | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | DSEI2X3112B | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 1200 v | 28a | 2.55 V @ 30 A | 60 ns | 750 µA @ 1200 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | TRS12E65F,S1Q | 5.4900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | TRS12E65 | SIC (碳化硅) | TO-220-2L | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 12 A | 0 ns | 90 µA @ 650 V | 175°c (最大) | 12a | 65pf @ 650V,1MHz | |||||
![]() | 1SS400T5G | 0.4800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | 1SS400 | 标准 | SOD-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 100 na @ 80 V | -55°C〜150°C | 200mA | 3pf @ 0v,1MHz | ||||
![]() | 1N5188/tr | 8.2800 | ![]() | 5564 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 标准 | B,轴向 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5188/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.5 V @ 9 A | 250 ns | 2 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||
![]() | 1N4948-AP | - | ![]() | 4218 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4948 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | 1N647ur-1/tr | 3.6841 | ![]() | 2906 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-213AA() | 标准 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N647ur-1/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1 V @ 400 MA | 50 NA @ 400 V | -65°C〜175°C | 400mA | - | ||||||
![]() | MBRS25150CT | 0.9315 | ![]() | 3739 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRS25150 | 肖特基 | TO-263AB(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-MBRS25150CTTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 25a | 1.02 V @ 25 A | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | SBA0820AS-AU_R1_000A1 | 0.3400 | ![]() | 8047 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123 | SBA0820 | 肖特基 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-SBA0820AS-AU_R1_000A1DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 550 mv @ 800 mA | 100 µA @ 20 V | -55°C〜150°C | 800mA | - | ||||
![]() | SFF508G | - | ![]() | 2913 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SFF508 | 标准 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 2.5 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 5a | 50pf @ 4V,1MHz | ||||
1N5402-AP | - | ![]() | 4175 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 1N5402 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1 V @ 3 A | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 3a | 40pf @ 4V,1MHz | |||||||
![]() | PE4BC | 0.6500 | ![]() | 8171 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | DO-214AB(SMC) | - | (1 (无限) | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 930 MV @ 4 A | 20 ns | 2 µA @ 100 V | -55°C 〜175°C | 4a | 72pf @ 4V,1MHz | |||||||||
![]() | V8PAM10S-M3/i | 0.4100 | ![]() | 548 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-221BC,SMA扁平导线暴露垫 | 肖特基 | DO-221BC(SMPA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 840 mv @ 8 a | 180 µA @ 100 V | -40°C〜175°C | 2.8a | 600pf @ 4V,1MHz | ||||||
GS1006HE-AU_R1_000A1 | - | ![]() | 1697年 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 汽车,AEC-Q101,GS1000FL-AU | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | SOD-123H | GS1006 | 标准 | SOD-123HE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-GS1006HE-AU_R1_000A1DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 1 A | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1a | - | |||||
![]() | Murd860-TP | 0.3074 | ![]() | 5625 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | Murd860 | 标准 | DPAK((TO-252) | 下载 | 353-MURD860-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 3 V @ 8 A | 25 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 8a | - | ||||||
![]() | SR309HA0G | - | ![]() | 9528 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | (TB) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SR309 | 肖特基 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 90 v | 850 mv @ 3 a | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||
![]() | MP805-E3/54 | - | ![]() | 1826年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | MP805 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | - | 1a | - | |||||||
![]() | LFUSCD15120A | - | ![]() | 8525 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 15 A | 0 ns | 375 µA @ 1200 V | 175°c (最大) | 15a | 750pf @ 1V,1MHz | ||||||
![]() | LL4150GS08 | 0.2000 | ![]() | 53 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | LL4150 | 标准 | SOD-80最小 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1 V @ 200 MA | 4 ns | 100 na @ 50 V | -55°C 〜175°C | 300mA | 2.5pf @ 0v,1MHz |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库