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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 85HFR20 | 3.9330 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-85HFR20 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.3 V @ 85 A | 200 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 85a | - | |||||
![]() | BAS40WS-AU_R1_000A1 | 0.2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | BAS40 | 肖特基 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-BAS40WS-AU_R1_000A1DKR | Ear99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 1 V @ 40 mA | 1 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 200mA | 5pf @ 0v,1MHz | ||||
![]() | MBR10100CTL | - | ![]() | 1044 | 0.00000000 | 二极管合并 | * | 管子 | 过时的 | MBR1010 | - | (1 (无限) | 到达受影响 | mbr10100ctldi | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | ||||||||||||||||
![]() | CD214A-FS150 | - | ![]() | 2148 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | CD214A | 标准 | DO-214AC(SMA) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 950 MV @ 1 A | 25 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | FR202GT-G | 0.0600 | ![]() | 5479 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 标准 | do-15 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 641-FR202GT-GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.3 V @ 2 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||
![]() | JANTX1N6677-1 | - | ![]() | 7599 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/610 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 1N6677 | 肖特基 | do-213aa | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 500 mV @ 200 ma | 5 µA @ 40 V | -65°C〜125°C | 200mA | - | |||||
![]() | MBRF10H100CT-E3/45 | 0.8983 | ![]() | 3823 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | MBRF10 | 肖特基 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 5a | 760 mv @ 5 a | 3.5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | |||||
![]() | G5S06508PT | - | ![]() | 9174 | 0.00000000 | 全球电力技术有限公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247AC | - | 供应商不确定 | 4436-G5S06508PT | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 31.2a | 550pf @ 0v,1MHz | ||||||||
![]() | VS-8EWS12STRL-M3 | 2.9200 | ![]() | 1117 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 8ews12 | 标准 | D-pak(TO-252AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 1.1 V @ 8 A | 50 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 8a | - | |||||
![]() | PMEG045T150EPD139 | - | ![]() | 5553 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | |||||||||||||||||
![]() | 1N4937GP-AP-B002 | - | ![]() | 9463 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | (TB) | 上次购买 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4937 | 标准 | do-41 | - | 353-1N4937GP-AP-B002TB | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | SCS220AEGC11 | 8.9100 | ![]() | 9660 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SCS220 | SIC (碳化硅) | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-SCS220AEGC11 | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.55 V @ 20 A | 0 ns | 400 µA @ 600 V | 175°C | 20a | 730pf @ 1V,1MHz | |||
![]() | Jan1n5415 | - | ![]() | 2324 | 0.00000000 | Semtech Corporation | MIL-PRF-19500/411。 | 大部分 | 在sic中停产 | 通过洞 | 轴向 | 标准 | 轴向 | 下载 | Jan1n5415s | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.1 V @ 3 A | 150 ns | 1 µA @ 50 V | - | 4.5a | 550pf @ 4V,1MHz | |||||||
1N6620U/TR | 13.2300 | ![]() | 7109 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 标准,反极性 | a,平方米 | - | 到达不受影响 | 150-1N6620U/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 220 v | 1.4 V @ 1.2 A | 45 ns | 500 NA @ 220 V | -65°C〜150°C | 1.2a | - | |||||||
![]() | MSASC100H30HX/TR | - | ![]() | 5437 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-MSASC100H30HX/TR | 100 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N1676 | 158.8200 | ![]() | 9524 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | 标准 | DO-205AB(DO-9) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N1676 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 500 v | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 500 V | -65°C 〜190°C | 275a | - | |||||||
![]() | SFAF805G | - | ![]() | 3663 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | 标准 | ITO-220AC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-SFAF805G | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.3 V @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 8a | 60pf @ 4V,1MHz | ||||
JANTX1N6626U | 18.1050 | ![]() | 4266 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/590 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N6626 | 标准 | D-5A | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.35 V @ 2 A | 30 ns | 2 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 1.75a | - | |||||
![]() | ht11g | - | ![]() | 3579 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | T-18,轴向 | 标准 | TS-1 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-HT11GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | NTE6070 | 25.8700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203aa,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | rohs3符合条件 | 2368-NTE6070 | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1600 v | 1.15 V @ 200 A | 2 ma @ 1600 V | -65°C 〜190°C | 85a | - | |||||||
![]() | SGL1-100 | 0.0962 | ![]() | 120 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 肖特基 | do-213aa,迷你甲 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2796-SGL1-100TR | 8541.10.0000 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 820 mv @ 1 A | 500 µA @ 100 V | -50°C〜150°C | 1a | - | |||||||
![]() | SS8P3CLHM3_A/H | 0.2826 | ![]() | 8464 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | SS8P3 | 肖特基 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 4a | 580 mv @ 4 a | 300 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | VS-6DKH02HM3/h | 0.8100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,Fredpt® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | 6DKH02 | 标准 | Flatpak 5x6 (双) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 200 v | 3a | 940 mv @ 3 a | 25 ns | 2 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | ||||
![]() | SK2C0B | 0.2900 | ![]() | 249 | 0.00000000 | 涌 | 汽车,AEC-Q101 | 包 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2616-SK2C0B | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 850 mv @ 2 a | 30 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 2a | 200pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | SBT3060C | 62.1000 | ![]() | 1392 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | SBT3060 | 肖特基 | TO-204AA(TO-3) | - | 到达不受影响 | 150-SBT3060C | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 15a | 740 mv @ 30 a | 1.5 ma @ 60 V | -65°C〜175°C | ||||||
![]() | ES3A | - | ![]() | 6854 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | DO-214AB(SMC) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-ES3ATR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | 45pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | fyp1545dntu | - | ![]() | 9955 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | FYP15 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 15a | 700 MV @ 15 A | 1 mA @ 45 V | -65°C〜150°C | ||||||
![]() | stth3006d | - | ![]() | 4458 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | stth30 | 标准 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-6091-5 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.85 V @ 30 A | 70 ns | 25 µA @ 600 V | 175°c (最大) | 30a | - | |||
![]() | VSSB410S-E3/52T | 0.4500 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SB410 | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 750 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 770 mv @ 4 a | 250 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | 1.9a | 230pf @ 4V,1MHz | |||||
1N5616 | 3.3200 | ![]() | 75 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 1N5616 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 NA @ 400 V | -65°C 〜200°C | 1a | - |
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