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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBR1090CT_T0_00001 | 0.4104 | ![]() | 3654 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR109 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-MBR1090CT_T0_00001 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 90 v | 10a | 800 mv @ 5 a | 50 µA @ 90 V | -65°C〜175°C | ||||
cgrat105-hf | - | ![]() | 1195 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 2-SMD,没有铅 | 标准 | 2010/do-214ac | 下载 | (1 (无限) | 641-CGRAT105-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | ||||||||
![]() | MBRS1660 | 0.6433 | ![]() | 1362 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRS1660 | 肖特基 | TO-263AB(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-MBRS1660TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 750 MV @ 16 A | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 16a | - | |||||
![]() | MC5608 | - | ![]() | 1630 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MC5608 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MSASC150H60LS/TR | - | ![]() | 7048 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-MSASC150H60LS/TR | 100 | ||||||||||||||||||||
![]() | MBRS15200CT-y | 0.4888 | ![]() | 4782 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRS15200 | 肖特基 | TO-263AB(D2PAK) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-MBRS15200CT-YTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 15a | 950 MV @ 7.5 A | 100 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | S8GC R6 | - | ![]() | 1407 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | DO-214AB(SMC) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-S8GCR6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 985 mv @ 8 a | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 8a | 48pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | BAV170-TP | 0.2000 | ![]() | 3269 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV170 | 标准 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 85 v | 215ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 3 µs | 5 na @ 75 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | JANTXV1N6874UTK2AS | 521.6100 | ![]() | 3596 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/469 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | Thinkey™2 | 标准 | Thinkey™2 | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6874UTK2AS | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1 V @ 400 MA | -65°C〜175°C | 400mA | - | |||||||||
![]() | EM01 | - | ![]() | 4445 | 0.00000000 | 桑肯 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 轴向 | 标准 | - | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | EM01 DK | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 970 mv @ 1 a | 10 µA @ 400 V | -40°C〜150°C | 1a | - | ||||||
![]() | 1N4945/tr | 9.0600 | ![]() | 9509 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-1N4945/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 105 | ||||||||||||||||||
![]() | STPST5H100UF | 0.6200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Ecopack®2 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 3-SMB,平坦的铅 | STPST5 | 肖特基 | SMBFLAT-3L | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 680 mv @ 5 a | 11.5 µA @ 100 V | 175°C | 5a | - | |||||||
MPL-1036 | - | ![]() | 4613 | 0.00000000 | 桑肯 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MPL-1036 | 标准 | TO-263 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MPL-1036S DK | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.75 V @ 3 A | 50 ns | 50 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | 3a | - | |||||
![]() | PMEG045T030EPD,146 | 0.1500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-PMEG045T030EPD,146-1727 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | RB705DFHT146 | 0.2028 | ![]() | 2043 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | RB705 | 肖特基 | SMD3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 40 V | 30mA | 370 mv @ 1 mA | 1 µA @ 10 V | 125°c (最大) | |||||
![]() | VS-30CTQ060STRR-M3 | 1.0487 | ![]() | 5982 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 30CTQ060 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 15a | 620 MV @ 15 A | 800 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | JANTXV1N6081/TR | 51.3300 | ![]() | 7765 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/503 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | g,轴向 | 标准 | g,轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6081/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 1.5 V @ 37.7 A | 30 ns | 1 µA @ 150 V | -65°C〜155°C | 2a | - | |||||
![]() | FR102Bulk | 0.2100 | ![]() | 38 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 包 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-FR102Bulk | 8541.10.0000 | 600 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 1a | 50pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | S3KBHE3-TP | 0.1224 | ![]() | 3895 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | S3K | 标准 | DO-214AA(SMB) | 下载 | 353-S3KBHE3-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.15 V @ 3 A | 10 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 3a | 40pf @ 4V,1MHz | |||||||
![]() | frl1a-aq | 0.0496 | ![]() | 9714 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2796-frl1a-aqtr | 8541.10.0000 | 3,000 | 50 V | 1a | |||||||||||||
![]() | MSASC150H45LR | - | ![]() | 9282 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | Thinkey™3 | 肖特基,反极性 | Thinkey™3 | - | 到达不受影响 | 150-MSASC150H45LR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 600 MV @ 150 A | 10 mA @ 45 V | -55°C〜150°C | 150a | - | |||||||
![]() | SM5819 | 0.1214 | ![]() | 15 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-213ab,Melf | 肖特基 | Melf DO-213AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2796-SM5819TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 900 mv @ 3 a | 1 mA @ 40 V | -50°C〜150°C | 1a | - | |||||||
![]() | MD36K16D1 | 15.0530 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | D1 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MD36K16D1 | Ear99 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 1600 v | 36a | 1.4 V @ 100 A | 5 ma @ 1600 V | -40°C〜150°C | |||||||
![]() | BAT43WS | 0.0544 | ![]() | 5507 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | BAT43 | 肖特基 | SOD-323F | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-bat43wstr | Ear99 | 8541.10.0070 | 6,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 1 V @ 200 MA | 5 ns | 500 na @ 25 V | -65°C〜125°C | 200mA | 7pf @ 1V,1MHz | ||||
![]() | FS1AFL-TP | 0.0511 | ![]() | 7517 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-221ac,sma平面线索 | FS1A | 标准 | DO-221AC(SMA-FL) | 下载 | 353-FS1AFL-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.1 V @ 2 A | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 2a | 20pf @ 4V,1MHz | |||||||
![]() | UF1DLW | 0.0907 | ![]() | 6839 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123W | 标准 | SOD-123W | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-UF1DLWTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 20,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 950 MV @ 1 A | 20 ns | 1 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | 40pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | LSC06065Q8 | - | ![]() | 8746 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 4-POWERTSFN | SIC (碳化硅) | DFN8080 | 下载 | 31-LSC06065Q8 | 过时的 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 6 A | 0 ns | 200 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 6a | - | ||||||||
![]() | 1N5187/tr | 8.2800 | ![]() | 2690 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 标准 | B,轴向 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5187/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.5 V @ 9 A | 200 ns | 2 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||
![]() | FFSP1065B-F085 | 4.3700 | ![]() | 3091 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | FFSP1065 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2832-FFSP1065B-F085 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 40 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 10a | 421pf @ 1V,100kHz | |||
VS-HFA25TB60-M3 | 1.8900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | hexfred® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | HFA25 | 标准 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2 V @ 50 A | 75 ns | 20 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 25a | - |
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