电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | sl1g | 0.0171 | ![]() | 120 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | 标准 | SOD-123F(SMF) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2796-SL1GTR | Ear99 | 8541.10.0000 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 1 A | 1 µs | 1 µA @ 400 V | -50°C〜150°C | 1a | - | |||||
![]() | FR306T/r。 | 0.1500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2439-FR306T/RTR | 8541.10.0000 | 1,250 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 3 A | 500 ns | 10 µA @ 800 V | -65°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | RS3JHE3/9AT | - | ![]() | 6507 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | RS3 | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 2.5 A | 250 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 3a | 34pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | V35PWM63-M3/i | 0.5084 | ![]() | 3767 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 肖特基 | Slimdpak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-V35PWM63-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 710 MV @ 35 A | 55 µA @ 60 V | -40°C〜175°C | 35a | 4400pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | BAS386-TR3 | 0.4400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 2-SMD,没有铅 | BAS386 | 肖特基 | 微型 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <<200ma(io),任何速度 | 50 V | 900 mv @ 100 ma | 5 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | 200mA | 8pf @ 1V,1MHz | |||||
![]() | BAT1000-7-F-2477 | - | ![]() | 7008 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 大部分 | 上次购买 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 肖特基 | SOT-23-3 | - | 31-BAT1000-7-F-2477 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 500 mv @ 1 A | 12 ns | 100 µA @ 30 V | -40°C〜125°C | 1a | 175pf @ 0v,1MHz | |||||||||
![]() | MBR2045CT | - | ![]() | 8238 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR2045CT | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | MBR2045CTDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 20a | 840 mv @ 20 a | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MF200A06F2N | 30.9063 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | F2 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MF200A06F2N | Ear99 | 8 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 600 v | 200a | 1.45 V @ 200 A | 140 ns | 500 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | ||||||
![]() | 1N3912R | 48.5400 | ![]() | 2681 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3912 | 标准,反极性 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.4 V @ 50 A | 200 ns | 15 µA @ 300 V | -65°C〜150°C | 50a | - | |||||
![]() | G3S06504B | - | ![]() | 6442 | 0.00000000 | 全球电力技术有限公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | - | 供应商不确定 | 4436-G3S06504B | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 650 v | 9A(DC) | 1.7 V @ 4 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | ||||||||
![]() | 50wq04fntr | - | ![]() | 9180 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 50WQ04 | 肖特基 | D-pak(TO-252AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 510 MV @ 5 A | 3 ma @ 40 V | -40°C〜150°C | 5.5a | 405pf @ 5V,1MHz | |||||
![]() | RL201GP-BP | 0.0950 | ![]() | 9256 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | RL201 | 标准 | do-15 | 下载 | 353-RL201GP-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 2a | 20pf @ 4V,1MHz | |||||||
![]() | SDT15150VP5-7 | 0.2610 | ![]() | 8782 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | PowerDi™5 | 肖特基 | PowerDi™5 | 下载 | 到达不受影响 | 31-SDT15150VP5-7TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 1 V @ 15 A | 80 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 15a | - | |||||||
![]() | ACDBT-54-HF | 0.0621 | ![]() | 9764 | 0.00000000 | comchip技术 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 肖特基 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 641-ACDBT-54-HFTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <<200ma(io),任何速度 | 30 V | 1 V @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -55°C〜125°C | 200mA | 10pf @ 1V,1MHz | |||||
![]() | VS-VS38CDR04M | - | ![]() | 6121 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 上次购买 | VS38 | - | 112-VS-VS38CDR04M | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | RB205T-60NZC9 | 2.6200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RB205 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RB205T-60NZC9 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 15a | 580 mv @ 7.5 a | 600 µA @ 60 V | 150°C | ||||
![]() | MBR3060CTS | 0.3840 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | 肖特基 | TO-220AB | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-MBR3060CTSTR | Ear99 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 30a | 750 MV @ 15 A | 200 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | |||||||
![]() | 60hfur-500 | - | ![]() | 1611 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 60hfur | 标准 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *60hfur-500 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 500 v | 1.3 V @ 60 A | 80 ns | 50 µA @ 500 V | -40°C〜125°C | 60a | - | |||
![]() | BZX84C27Q | 0.0250 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-BZX84C27QTR | Ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||
![]() | TST20L120CW | 1.0344 | ![]() | 9401 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | TST20 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 120 v | 930 MV @ 10 A | 100 µA @ 120 V | -55°C〜150°C | 10a | - | |||||
![]() | SBR2M30P1-7 | 0.4400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 二极管合并 | SBR® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | PowerDi®123 | SBR2M30 | 超级障碍 | PowerDi™123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 30 V | 460 mv @ 2 a | 200 µA @ 30 V | -65°C〜175°C | 2a | - | |||||
![]() | MP685-E3/54 | - | ![]() | 9923 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | MP685 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | - | 1a | - | |||||||
![]() | CD3595 | 2.2743 | ![]() | 6979 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD3595 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MBR1045CT | 0.7300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR104 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1655-1020 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | - | 700 mv @ 5 a | 1 mA @ 45 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MUR1560 | 1.0100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | 标准 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-MUR1560 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.9 V @ 15 A | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 15a | - | ||||
![]() | FFSPF0865A | 4.0400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | FFSPF0865 | SIC (碳化硅) | TO-220F-2FS | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 2156-FFSPF0865A-488 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.75 V @ 8 A | 0 ns | 200 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 8a | 463pf @ 1V,100kHz | |||
![]() | SS8PH10HM3_A/H | 0.6200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | SS8PH10 | 肖特基 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 900 mv @ 8 a | 2 µA @ 100 V | -55°C 〜175°C | 8a | 140pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | VS-10CSH02HM3/86A | 0.8500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,Fredpt® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | 10CSH02 | 标准 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 5a | 980 mv @ 5 a | 18 ns | 2 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | ||||
![]() | MBRF10150 C0G | - | ![]() | 3063 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | MBRF1015 | 肖特基 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 1.05 V @ 10 A | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 10a | - | |||||
![]() | 1N2131A | 74.5200 | ![]() | 2061 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | DO-5(do-203ab) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N2131A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.25 V @ 200 A | 25 µA @ 200 V | -65°C 〜200°C | 70a | - |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库