SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
DSEI2X60-04C IXYS DSEI2X60-04C 20.3530
RFQ
ECAD 1489 0.00000000 ixys DSEI2X60-04C 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 DSEI2X6 标准 SOT-227B - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 238-DSEI2X60-04C Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对系列连接 400 v 60a 1.8 V @ 60 A 50 ns 200 µA @ 400 V -40°C〜150°C
20ETS12STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20ETS12STRL -
RFQ
ECAD 4606 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 20ETS12 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.1 V @ 20 A 100 µA @ 1200 V -40°C〜150°C 20a -
FR30BR02 GeneSiC Semiconductor FR30BR02 10.5930
RFQ
ECAD 4814 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR30BR02GN Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1 V @ 30 A 200 ns 25 µA @ 50 V -40°C〜125°C 30a -
HS2MA R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS2MA R3G 0.5800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 do-214ac,SMA HS2M 标准 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.7 V @ 1.5 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -55°C〜150°C 1.5a 30pf @ 4V,1MHz
VB20200G-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB20200G-E3/8W 1.5400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VB20200 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 10a 1.7 V @ 10 A 150 µA @ 200 V -40°C〜150°C
GP10J-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10J-E3/73 -
RFQ
ECAD 5936 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.1 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
VS-40HFLR60S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFLR60S05 8.7168
RFQ
ECAD 2837 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 40HFLR60 标准,反极性 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.95 V @ 40 A 500 ns 100 µA @ 600 V -40°C〜125°C 40a -
HTZ150C6K IXYS htz150c6k -
RFQ
ECAD 4517 0.00000000 ixys htz150c 盒子 积极的 底盘安装 模块 htz150 标准 模块 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 6000 v 3a 6 V @ 2 A 500 µA @ 6000 V
FDLL914A onsemi FDLL914A 0.1400
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 FDLL914 标准 SOD-80 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 2,500 小信号= <<200ma(io),任何速度 100 v 1 V @ 20 ma 4 ns 5 µA @ 75 V -55°C 〜175°C 200mA 4pf @ 0v,1MHz
5822SMJE3/TR13 Microchip Technology 5822SMJE3/TR13 1.5200
RFQ
ECAD 6739 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC 5822SMJE 肖特基 SMCJ(do-214ab) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 500 mv @ 3 a 1.5 ma @ 40 V -55°C〜150°C 3a -
CRSH16D-100FP TIN/LEAD Central Semiconductor Corp CRSH16D-100FP TIN/LEAD -
RFQ
ECAD 2445 0.00000000 中央半导体公司 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 CRSH16D-100 肖特基 TO-220FP 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1514-CRSH16D-100FPTIN/LEAD Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 16a 1.1 V @ 16 A 200 µA @ 100 V -65°C〜150°C
MUR1540G onsemi MUR1540G 1.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Onmi SwitchMode™ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 MUR1540 标准 TO-220-2 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.25 V @ 15 A 60 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜175°C 15a -
ES1BL MTG Taiwan Semiconductor Corporation ES1BL MTG -
RFQ
ECAD 1998 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-219ab ES1B 标准 SMA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 100 V -55°C〜150°C 1a 10pf @ 1V,1MHz
M2045S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division M2045S-E3/4W -
RFQ
ECAD 7170 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 M2045 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 700 mv @ 20 a 200 µA @ 45 V -55°C〜150°C 20a -
MCL4151-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MCL4151-TR3 0.2100
RFQ
ECAD 3354 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 2-SMD,没有铅 MCL4151 标准 微型 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <<200ma(io),任何速度 75 v 1 V @ 50 mA 4 ns 50 na @ 50 V 125°c (最大) 200mA 2pf @ 0v,1MHz
S1JFS MWG Taiwan Semiconductor Corporation S1JFS MWG 0.4300
RFQ
ECAD 17 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-128 S1J 标准 SOD-128 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.1 V @ 1 A 1 µA @ 600 V -55°C〜150°C 1a 9pf @ 4V,1MHz
MUR320S M6 Taiwan Semiconductor Corporation MUR320S M6 -
RFQ
ECAD 3660 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 DO-214AB,SMC 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1801-MUR320SM6TR Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 875 mv @ 3 a 25 ns 5 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 3a -
NGTD13R120F2WP onsemi NGTD13R120F2WP -
RFQ
ECAD 7150 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 表面安装 NGTD13 标准 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 - 1200 v 2.6 V @ 25 A 1 µA @ 1200 V 175°c (最大) - -
UF302G_R2_00001 Panjit International Inc. UF302G_R2_00001 0.3700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 UF302 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 3757-UF302G_R2_00001CT Ear99 8541.10.0080 1,250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1 V @ 3 A 50 ns 1 µA @ 200 V -55°C〜150°C 3a 75pf @ 4V,1MHz
SBG2035CT-T-F Diodes Incorporated SBG2035CT-TF 1.3200
RFQ
ECAD 716 0.00000000 二极管合并 * (CT) 积极的 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 800
SF30HG-T Diodes Incorporated SF30HG-T -
RFQ
ECAD 7651 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 1200 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 500 v 1.5 V @ 3 A 50 ns 5 µA @ 500 V -65°C〜150°C 3a -
ES2A-13 Diodes Incorporated ES2A-13 -
RFQ
ECAD 9343 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 DO-214AA,SMB ES2A 标准 SMB 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 920 mv @ 2 a 25 ns 5 µA @ 50 V -55°C〜150°C 2a 25pf @ 4V,1MHz
SS26L RVG Taiwan Semiconductor Corporation SS26L RVG 0.6600
RFQ
ECAD 38 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-219ab SS26 肖特基 SMA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 700 mv @ 2 a 400 µA @ 60 V -55°C〜150°C 2a -
BAS70AW_R1_00001 Panjit International Inc. BAS70AW_R1_00001 0.2100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. BAS70W 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 BAS70 肖特基 SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3757-BAS70AW_R1_00001DKR Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <<200ma(io),任何速度 1对公共阳极 70 v 200mA 1 V @ 15 mA 10 µA @ 70 V 150°C
DSS6-0025BS-TRL IXYS DSS6-0025BS-TRL -
RFQ
ECAD 3311 0.00000000 ixys - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 DSS6 肖特基 TO-252AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 25 v 400 mv @ 6 a 6 mA @ 25 V -55°C〜150°C 6a -
SB380 onsemi SB380 -
RFQ
ECAD 7096 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 SB38 肖特基 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 80 V 850 mv @ 3 a 500 µA @ 80 V -65°C〜125°C 3a 180pf @ 4V,1MHz
S3DB-13 Diodes Incorporated S3DB-13 -
RFQ
ECAD 4200 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 DO-214AA,SMB S3D 标准 SMB 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.15 V @ 3 A 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C 3a 40pf @ 4V,1MHz
IDP30E65D2XKSA1 Infineon Technologies IDP30E65D2XKSA1 2.1100
RFQ
ECAD 433 0.00000000 Infineon技术 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 IDP30E65 标准 pg-to220-2-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 650 v 2.2 V @ 30 A 42 ns 40 µA @ 650 V -40°C〜175°C 60a -
1N4933G onsemi 1N4933G 0.3600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Onmi - 大部分 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4933 标准 轴向 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.2 V @ 1 A 300 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜150°C 1a -
SF30AG-B Diodes Incorporated sf30ag-b -
RFQ
ECAD 4931 0.00000000 二极管合并 - 大部分 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 950 mv @ 3 a 35 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜150°C 3a 75pf @ 4V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库