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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAS16LD,315 | 0.2700 | ![]() | 436 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101,BAS16 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装,可润湿的侧面 | 2-XDFN | BAS16 | 标准 | DFN1006D-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 80 V | 150°C (最大) | 215ma | 1.5pf @ 0v,1MHz | ||||
ES1LJH | 0.0779 | ![]() | 3591 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | ES1L | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1a | 18pf @ 4V,1MHz | |||||
UES1104 | 23.4000 | ![]() | 1658年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | UES1104 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.25 V @ 1 A | 50 ns | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 1a | - | |||||
![]() | DMA50I800HA | 3.7653 | ![]() | 4029 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | DMA50 | 标准 | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-DMA50I800HA | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.3 V @ 50 A | 40 µA @ 800 V | -55°C 〜175°C | 50a | 19pf @ 400V,1MHz | |||||
![]() | MBR1060 bp | 0.3750 | ![]() | 8326 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | MBR106 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | 353-mbr1060 bp | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 60 V | 150 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 10a | 400pf @ 4V,1MHz | ||||||||
![]() | MBR1660 bp | 0.5700 | ![]() | 8664 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 通过洞 | TO-220-2 | MBR1660 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | 353-MBR1660 bp | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 1 mA @ 60 V | -55°C〜150°C | 16a | 450pf @ 4V,1MHz | ||||||||
![]() | S400yr | 92.3505 | ![]() | 3436 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | S400 | 标准,反极性 | DO-205AB(DO-9) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | s400yrgn | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1600 v | 1.2 V @ 400 A | 10 µA @ 50 V | -60°C 〜200°C | 400a | - | |||||
![]() | 1N1196R | 2.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-1N1196R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.19 V @ 90 A | 10 µA @ 400 V | -65°C 〜200°C | 40a | - | |||||
S1AL RTG | - | ![]() | 2595 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | S1A | 标准 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.1 V @ 1 A | 1.8 µs | 5 µA @ 50 V | -55°C 〜175°C | 1a | 9pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | SR104-T | - | ![]() | 8648 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | SR104 | 肖特基 | do-41 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 600 mV @ 1 A | 1 mA @ 40 V | -65°C〜150°C | 1a | 110pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | HSB2836TL-E | 0.1100 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||||
![]() | MBRF1550CT-E3/45 | - | ![]() | 3783 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | MBRF15 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 7.5a | 750 MV @ 7.5 A | 1 ma @ 50 V | -65°C〜150°C | |||||
![]() | S3210 | 49.0050 | ![]() | 9839 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-S3210 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | BAS40DW-05-7-F-2477 | - | ![]() | 4918 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 大部分 | 上次购买 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 肖特基 | SOT-363 | - | 31-BAS40DW-05-7-F-2477 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2对普通阴极 | 40 V | 200mA | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 na @ 30 V | -55°C〜125°C | |||||||||
![]() | 1N3661 | 41.6850 | ![]() | 9755 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 按适合 | DO-208AA | 标准 | do-21 | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N3661 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.1 V @ 35 A | 10 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 35a | - | |||||||
![]() | SBR8U60P5Q-13D | 0.8900 | ![]() | 3939 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101,SBR® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | PowerDi™5 | 超级障碍 | PowerDi™5 | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 60 V | 530 mv @ 8 a | 330 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||||||
![]() | SK515BHR5G | - | ![]() | 3656 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SK515 | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 950 mv @ 5 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||||
![]() | AR4PK-M3/87A | 0.4373 | ![]() | 1575年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | AR4 | 雪崩 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.9 V @ 4 A | 120 ns | 10 µA @ 800 V | -55°C 〜175°C | 1.8a | 55pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | SBR30A120CT | 2.0600 | ![]() | 2017 | 0.00000000 | 二极管合并 | SBR® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | SBR30 | 超级障碍 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 120 v | 15a | 830 MV @ 15 A | 100 µA @ 120 V | -65°C〜175°C | |||||
JANTX1N444454-1 | 1.1200 | ![]() | 930 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/144 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准 | DO-35(do-204AH) | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 100 na @ 50 V | -65°C〜175°C | 200mA | - | ||||||
RGP30KHE3/54 | - | ![]() | 1155 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | RGP30 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 3 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||
![]() | CGRM4005-HF | 0.0690 | ![]() | 4983 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123T | CGRM4005 | 标准 | 迷你SMA/SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | RBQ5RSM65BTFTL1 | 1.0800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | 肖特基 | TO-277A | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 65 v | 660 mv @ 5 a | 90 µA @ 65 V | 150°C | 5a | - | |||||||
![]() | STB15100 | 0.9200 | ![]() | 75 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | STB15100 | 肖特基 | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 750 MV @ 15 A | 500 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | - | 686pf @ 5V,1MHz | |||||
![]() | JANTX1N5712UB | 59.7900 | ![]() | 7929 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/444 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 4-SMD,没有铅 | 肖特基 | UB | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1 V @ 35 MA | 150°C (最大) | 2pf @ 0v,1MHz | ||||||||||
![]() | GPA805-bp | - | ![]() | 3362 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | GPA805 | 标准 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 8 A | 5 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 8a | 50pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | stth60w03cw | 3.0700 | ![]() | 600 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | stth60 | 标准 | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 300 v | 30a | 1.45 V @ 30 A | 25 ns | 20 µA @ 300 V | 175°c (最大) | ||||
![]() | BAV116WSQ-7-52 | 0.0380 | ![]() | 5209 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | BAV116 | 标准 | SOD-323 | 下载 | 31-BAV116WSQ-7-52 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 85 v | 1.25 V @ 150 mA | 3 µs | 5 na @ 75 V | -55°C〜150°C | 215ma | 1.5pf @ 0v,1MHz | ||||||
![]() | ss8ph9hm3_a/i | 0.2640 | ![]() | 9767 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | SS8PH9 | 肖特基 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 90 v | 900 mv @ 8 a | 2 µA @ 90 V | -55°C 〜175°C | 8a | 140pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | RB751S-40DP-TP-HF | - | ![]() | 5394 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 0201(0603公制) | RB751 | 肖特基 | 0201 | 下载 | 353-RB751S-40DP-TP-HF | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 370 mv @ 1 mA | 500 NA @ 30 V | 125°C | 30mA | 2pf @ 1V,1MHz |
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