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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FR70G05 | 17.5905 | ![]() | 3917 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | FR70G05GN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.4 V @ 70 A | 500 ns | 25 µA @ 100 V | -40°C〜125°C | 70a | - | |||||
![]() | S8MC R6 | - | ![]() | 4453 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | DO-214AB(SMC) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-S8MCR6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 985 mv @ 8 a | 10 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 8a | 48pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | SK510C R6 | - | ![]() | 3863 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 肖特基 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-SK510CR6TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 850 mv @ 5 a | 300 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||||
![]() | SS33-E3/9AT | 0.6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | SS33 | 肖特基 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 500 mv @ 3 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 3a | - | |||||
![]() | MBR790 C0G | - | ![]() | 7322 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | MBR790 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 90 v | 920 MV @ 7.5 A | 100 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 7.5a | - | |||||
![]() | NRVB860MFST1G | 0.9400 | ![]() | 6400 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | 8-Powertdfn,5个线索 | NRVB860 | 肖特基 | 5-DFN (5x6)(8-SOFL) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 800 mv @ 8 a | 150 µA @ 60 V | -55°C 〜175°C | 8a | - | |||||
![]() | VS-C5PH3012L-N3 | 3.2500 | ![]() | 713 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | C5PH3012 | 标准 | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-VS-C5PH3012L-N3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 2.5 V @ 15 A | 95 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | |||||
![]() | ISL9R8120S3ST | - | ![]() | 1004 | 0.00000000 | Onmi | Stealth™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | ISL9 | 标准 | d²pak(to-263) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1200 v | 3.3 V @ 8 A | 300 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | 8a | 30pf @ 10V,1MHz | |||||
![]() | MBR0580S1-7 | 0.2900 | ![]() | 299 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123 | MBR0580 | 肖特基 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 80 V | 800 mv @ 500 mA | 5 µA @ 80 V | -55°C 〜175°C | 500mA | 15pf @ 5V,1MHz | |||||
![]() | SS315A | 0.3700 | ![]() | 3702 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie电子技术有限公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 900 mv @ 3 a | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||||||
![]() | R42100F | 59.8350 | ![]() | 5889 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | R42100 | 标准,反极性 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.2 V @ 200 A | 50 µA @ 1000 V | -65°C 〜200°C | 125a | - | ||||||
![]() | P2000BTL-CT | 3.0154 | ![]() | 5806 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 条 | 积极的 | 通过洞 | P600,轴向 | P2000b | 标准 | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-P2000BTL-CT | 8541.10.0000 | 12 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 20 A | 1.5 µs | 10 µA @ 100 V | -50°C〜175°C | 20a | - | ||||
![]() | CPD16-CMR1U06M-CT20 | 150.0000 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | 表面安装 | 死 | CPD16 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | CPD16-CMR1U06M-CT20 PBFRE | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.4 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 1a | - | |||
![]() | 1N5391G B0G | - | ![]() | 2906 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 1N5391 | 标准 | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | RB520VM-30TE-17 | 0.4000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | RB520 | 肖特基 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-RB520VM-30TE-17CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 580 mv @ 200 ma | 1 µA @ 10 V | 150°C | 200mA | - | ||||
![]() | SK59C R7G | 0.7800 | ![]() | 78 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | SK59 | 肖特基 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 90 v | 850 mv @ 5 a | 300 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||||
![]() | 1N2250A | 44.1600 | ![]() | 5870 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | DO-4(do-203AA) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N2250A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 200 V | -65°C 〜200°C | 22a | - | |||||||
![]() | FMET-24010 | - | ![]() | 5534 | 0.00000000 | 桑肯 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | FMET-24 | 肖特基 | TO-220F | 下载 | Rohs符合条件 | 1261-FMET-24010 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 40a | 850 mv @ 20 a | 150 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | ||||||
![]() | MSASC150W100L | - | ![]() | 5607 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 100 | |||||||||||||||||||
![]() | JAN1N6942UTK3 | - | ![]() | 2227 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | Thinkey™3 | 肖特基 | Thinkey™3 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 460 mv @ 50 a | 5 ma @ 45 V | -65°C〜150°C | 150a | 7000pf @ 5V,1MHz | |||||||
![]() | gp10mehe3/53 | - | ![]() | 1346 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | GP10 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1a | 7pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | SBR30200CTFP | 1.5900 | ![]() | 5236 | 0.00000000 | 二极管合并 | SBR® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SBR30200 | 超级障碍 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 15a | 980 mv @ 15 A | 30 ns | 100 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | ||||
![]() | JANTX1N6642UB | - | ![]() | 1759年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/578 | 大部分 | 在sic中停产 | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 标准 | UB | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 75 v | 1.2 V @ 100 ma | 20 ns | 500 NA @ 75 V | -65°C〜175°C | 300mA | - | |||||
![]() | Bas56 bk | - | ![]() | 8070 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-253-4,TO-253AA | BAS56 | 标准 | SOT-143 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0070 | 1,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2独立 | 60 V | 200ma(dc) | 1 V @ 200 MA | 6 ns | 100 na @ 60 V | -65°C〜150°C | ||||||
![]() | SURS8360T3G-GA01 | - | ![]() | 1305 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 标准 | SMC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 488-SURS8360T3G-GA01TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.28 V @ 4 A | 75 ns | 10 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 4a | - | ||||
![]() | MUR2X120A02 | 50.2485 | ![]() | 2903 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | MUR2X120 | 标准 | SOT-227 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 52 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2独立 | 200 v | 120a | 1 V @ 120 A | 25 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | ||||||
![]() | RB521ZS-3AZT2R | - | ![]() | 8384 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | RB521 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-RB521ZS-3AZT2RTR | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | ||||||||||||||||
![]() | RJU6052TDPP-AJ #T2 | - | ![]() | 6147 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | RJU6052 | 标准 | TO-220FP-2L | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 3 V @ 10 A | 25 ns | 1 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 10a | - | |||||
![]() | V10K60C-M3/i | 0.3368 | ![]() | 4778 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | 肖特基 | Flatpak((5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-V10K60C-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 4.6a | 590 mv @ 5 a | 900 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | ||||||
![]() | 1N4046R | 21.0000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | 标准,反极性 | do-9 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-1N4046R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 150 v | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 150 V | -65°C 〜190°C | 275a | - |
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