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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WNSC201200WQ | 9.3555 | ![]() | 8594 | 0.00000000 | Ween半导体 | - | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-247-2 | WNSC2 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.6 V @ 20 A | 0 ns | 220 µA @ 1200 V | 175°c (最大) | 20a | 1020pf @ 1V,1MHz | |||||
![]() | Murta20020r | 145.3229 | ![]() | 4700 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | Murta20020 | 标准 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 200 v | 100a | 1.3 V @ 100 A | 25 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||||
UES1101/tr | 18.4950 | ![]() | 5556 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 标准 | a,轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-ues1101/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 975 mv @ 2 a | 25 ns | -55°C 〜175°C | 2a | - | |||||||
![]() | S28 | 0.0300 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-S28Tr | Ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||
![]() | PMEG3050BEP-QX | 0.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | 肖特基 | SOD-128/CFP5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 450 mv @ 5 a | 250 µA @ 30 V | 150°C | 5a | 800pf @ 1V,1MHz | ||||||
![]() | BAT54VV,115 | - | ![]() | 5705 | 0.00000000 | NXP半导体 | * | 大部分 | 积极的 | BAT54 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2156-BAT54VV,115-954 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | VS-78-4581 | - | ![]() | 4864 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 上次购买 | 78-4581 | - | 112-VS-78-4581 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | RB088BGE-60TL | 1.6100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RB088 | 肖特基 | TO-252GE | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 5a | 830 mv @ 5 a | 3 µA @ 60 V | 150°C | |||||
![]() | 1N5418/tr | 7.3050 | ![]() | 4441 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 标准 | B,平方米 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5418/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.5 V @ 9 A | 150 ns | 1 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||
![]() | FFSP4065BDN-F085 | 10.8800 | ![]() | 7296 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | FFSP4065 | SIC (碳化硅) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 40 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 20a | 866pf @ 1V,100kHz | ||||
![]() | P3D06002T2 | 2.1000 | ![]() | 5217 | 0.00000000 | PN连接半导体 | P3D | 管子 | 积极的 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达受影响 | 4237-P3D06002T2 | 1 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 10 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 6a | ||||||||||
![]() | HBL2080RP | 2.0000 | ![]() | 9251 | 0.00000000 | Onmi | * | 托盘 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | PX8560EDSGR2ER1230AXUMA1 | - | ![]() | 5409 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | PX8560ED | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | SD175SA30A.T1 | 2.5267 | ![]() | 9192 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 表面安装 | 死 | SD175 | 肖特基 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0040 | 49 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 490 mv @ 30 a | 4 mA @ 30 V | -55°C〜150°C | 30a | 2200pf @ 5V,1MHz | |||||
![]() | GR2BA | 0.0360 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-gr2batr | Ear99 | 5,000 | ||||||||||||||||||
S2KFSH | 0.0683 | ![]() | 2711 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-128 | 标准 | SOD-128 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-S2KFSHTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 28,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.1 V @ 2 A | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 2a | 12pf @ 4V,1MHz | |||||||
![]() | TS4148 RWG | - | ![]() | 4528 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 1005 (2512公制) | 标准 | 1005 | - | 1801-TS4148RWG | 过时的 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 75 v | 1 V @ 50 mA | 25 µA @ 75 V | -40°C〜125°C | 150mA | 4pf @ 0v,1MHz | |||||||||
![]() | BAS3005A-02VE6327 | 0.0400 | ![]() | 4118 | 0.00000000 | Infineon技术 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | 肖特基 | PG-SC79-2-1 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 500 mv @ 500 mA | 300 µA @ 30 V | 150°C | 500mA | 10pf @ 5V,1MHz | ||||||
![]() | BY459X-1500,127 | - | ![]() | 2238 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | BY45 | 标准 | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 934052990127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1500 v | 1.35 V @ 6.5 A | 220 ns | 250 µA @ 1300 V | 150°C (最大) | 10a | - | |||
![]() | JANS1N5969CUS/TR | - | ![]() | 6387 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | E,轴向 | E,轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5969CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 1 mA @ 4.74 V | ||||||||||||
![]() | 1N4594R | 102.2400 | ![]() | 9345 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 标准,反极性 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N4594R | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 200 A | 50 µA @ 1000 V | -65°C 〜200°C | 150a | - | |||||||
![]() | TPMR6G | 0.2682 | ![]() | 2527 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | TPMR6 | 标准 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-TPMR6GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.2 V @ 6 A | 60 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | 6a | 60pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | MURS540A-BP | 0.2788 | ![]() | 3237 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | MURS540 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 353-MURS540A-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.25 V @ 5 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | 5a | 35pf @ 4V,1MHz | ||||||
![]() | HS24040 | - | ![]() | 5871 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 半粉 | 肖特基 | 半粉 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 550 MV @ 240 A | 12 ma @ 40 V | 240a | 10500pf @ 5V,1MHz | ||||||||
![]() | GS1B | 0.0190 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(HSMA) | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-GS1BTR | Ear99 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||||
LS410860 | 159.0500 | ![]() | 322 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | POW-R-Blok™模块 | 标准 | POW-R-Blok™模块 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.19 V @ 1800 A | 40 ma @ 800 V | 600a | - | |||||||||
![]() | SS210Q | 0.0760 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-SS210QTR | Ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||
![]() | 150K40A | 35.5695 | ![]() | 6651 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 150K40 | 标准 | DO-205AA(DO-8) | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 150K40AGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.33 V @ 150 A | 35 ma @ 400 V | -40°C 200°C | 150a | - | |||||
![]() | 1SS355L-TP | 0.0426 | ![]() | 2459 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 1SS355 | 标准 | SOD-323FL | 下载 | 353-1SS355L-TP | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 80 V | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 100 na @ 80 V | -65°C〜150°C | 150mA | 3pf @ 6V,1MHz | ||||||
BZX84C6V8WQ | 0.0280 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-BZX84C6V8WQTR | Ear99 | 3,000 |
每日平均RFQ量
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