SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
SPV1001N40 STMicroelectronics SPV1001N40 -
RFQ
ECAD 3060 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 8-Powervdfn SPV1001 标准 8-pqfn(5x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 - 40 V 140 mv @ 10 a 1 µA @ 30 V -45°C〜150°C 12.5a -
NRVUS240T3G onsemi NRVUS240T3G 0.5800
RFQ
ECAD 7012 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 DO-214AA,SMB NRVUS240 标准 SMB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 2 A 65 ns 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 2a -
ER3JB-TP Micro Commercial Co ER3JB-TP 0.4200
RFQ
ECAD 94 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB ER3J 标准 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.7 V @ 3 A 35 ns 5 µA @ 600 V -50°C〜150°C 3a 45pf @ 4V,1MHz
MUR160GP-TP Micro Commercial Co MUR160GP-TP 0.4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 Mur160 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.35 V @ 1 A 60 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜150°C 1a 10pf @ 4V,1MHz
BYG23T-M3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG23T-M3/TR3 0.5300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA byg23 雪崩 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1300 v 1.9 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 1300 V -55°C〜150°C 1a 9pf @ 4V,1MHz
1N4150TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4150TR 0.2700
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4150 标准 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1 V @ 200 MA 4 ns 100 na @ 50 V 175°c (最大) 300mA 2.5pf @ 0v,1MHz
1N4448TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4448TR 0.2100
RFQ
ECAD 56 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4448 标准 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 100 v 1 V @ 100 ma 8 ns 5 µA @ 75 V 175°c (最大) 150mA 4pf @ 0v,1MHz
1N5060TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5060TR 0.6000
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 1N5060 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 400 v 1.15 V @ 2.5 A 4 µs 1 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 2a 40pf @ 0v,1MHz
1N5626-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5626-Tr 1.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 1N5626 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 600 v 1 V @ 3 A 7.5 µs 1 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
BAT85S-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT85S-Tr 0.3800
RFQ
ECAD 37 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BAT85 肖特基 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 30 V 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V -65°C〜150°C 200mA 10pf @ 1V,1MHz
BY228TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division By228tr 1.1300
RFQ
ECAD 725 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 By228 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 1500 v 1.5 V @ 5 A 20 µs 5 µA @ 1500 V 140°C (最大) 3a -
BYV26C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV26C-TAP 0.6700
RFQ
ECAD 67 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byv26 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.5 V @ 1 A 30 ns 5 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 1a -
BYV26E-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26e-tr 0.7200
RFQ
ECAD 59 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byv26 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 2.5 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C 1a -
VT2045BP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT2045BP-M3/4W 1.3300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 VT2045 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 660 mv @ 20 a 2 ma @ 45 V 200°C (最大) 20a -
VFT2045BP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT2045BP-M3/4W 1.2900
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 VFT2045 肖特基 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VFT2045BPM34W Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 660 mv @ 20 a 2 ma @ 45 V 200°C (最大) 20a -
VT3045BP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT3045BP-M3/4W 1.6100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 VT3045 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT3045BPM34W Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 700 mv @ 30 a 2 ma @ 45 V 200°C (最大) 30a -
VBT3045BP-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT3045BP-E3/8W 1.4200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VBT3045 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 700 mv @ 30 a 2 ma @ 45 V 200°C (最大) 30a -
BYV28-150-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV28-150-Tr 1.3900
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 Byv28 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1.1 V @ 5 A 30 ns 1 µA @ 150 V -55°C 〜175°C 3.5a -
BYV98-200-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byv98-200-Tr 1.2600
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 Byv98 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.1 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 4a -
BYW36-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw36-tr 0.7200
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYW36 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.1 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 2a -
BYW56-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw56-tr 0.6700
RFQ
ECAD 43 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byw56 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 1000 v 1 V @ 1 A 4 µs 1 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C 2a -
SD103A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103A-Tr 0.3500
RFQ
ECAD 45 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 SD103 肖特基 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µA @ 30 V 125°c (最大) - 50pf @ 0v,1MHz
SD103C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103C-Tr 0.3500
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 SD103 肖特基 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 600 mv @ 200 ma 10 ns 5 µA @ 10 V 125°c (最大) - 50pf @ 0v,1MHz
SF1600-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division SF1600-Tr 0.7200
RFQ
ECAD 52 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 SF1600 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1600 v 3.4 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 1600 V -55°C 〜175°C 1a -
1N4150W-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4150W-E3-08 0.2600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-123 1N4150 标准 SOD-123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 50 V 1 V @ 200 MA 4 ns 100 na @ 50 V 150°C (最大) 200mA 2.5pf @ 0v,1MHz
BAT54-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT54-E3-08 0.2800
RFQ
ECAD 92 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAT54 肖特基 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 30 V 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V 125°c (最大) 200mA 10pf @ 1V,1MHz
BAV103-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV103-GS08 0.2100
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 BAV103 标准 SOD-80最小 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1 V @ 100 ma 50 ns 100 na @ 200 V 175°c (最大) 250mA 1.5pf @ 0v,1MHz
ES07B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES07B-GS18 0.4200
RFQ
ECAD 185 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-219ab ES07 标准 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 980 mv @ 1 a 25 ns 10 µA @ 100 V -55°C〜150°C 1.2a 4pf @ 4V,50MHz
LL4150GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LL4150GS08 0.2000
RFQ
ECAD 53 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 LL4150 标准 SOD-80最小 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1 V @ 200 MA 4 ns 100 na @ 50 V -55°C 〜175°C 300mA 2.5pf @ 0v,1MHz
LS4148-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LS4148-GS18 0.1700
RFQ
ECAD 136 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 LS4148 标准 SOD-80最小 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 75 v 1 V @ 50 mA 8 ns 5 µA @ 75 V 175°c (最大) 150mA 4pf @ 0v,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库