SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
CMR1U-02 TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CMR1U-02 TR13 PBFRE 0.7600
RFQ
ECAD 8 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB CMR1U-02 标准 SMB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a -
FR12B02 GeneSiC Semiconductor FR12B02 8.2245
RFQ
ECAD 9661 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) FR12B02GN Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 800 mv @ 12 a 200 ns 25 µA @ 100 V -65°C〜150°C 12a -
1N5395-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5395-E3/54 0.3700
RFQ
ECAD 207 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N5395 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.4 V @ 1.5 A 2 µs 5 µA @ 400 V -50°C〜150°C 1.5a 15pf @ 4V,1MHz
SS26-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS26-E3/52T 0.4300
RFQ
ECAD 239 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB SS26 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 700 mv @ 2 a 400 µA @ 60 V -65°C〜125°C 2a -
R6020625HSYA Powerex Inc. R6020625HSYA -
RFQ
ECAD 5058 0.00000000 Powerex Inc. - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-205ab,do-9,螺柱 R6020625 标准 DO-205AB(DO-9) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 2 V @ 800 A 1 µs 50 ma @ 600 V -45°C〜150°C 250a -
EGL41BHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL41BHE3_A/H -
RFQ
ECAD 4310 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) EGL41 标准 do-213ab 下载 到达不受影响 egl41bhe3_b/h Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 20pf @ 4V,1MHz
RSFMLHMTG Taiwan Semiconductor Corporation RSFMLHMTG -
RFQ
ECAD 2059 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-219ab RSFML 标准 SMA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 7,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.3 V @ 500 mA 500 ns 5 µA @ 1000 V -55°C〜150°C 500mA 4pf @ 4V,1MHz
MBR540MFST3G onsemi MBR540MFST3G -
RFQ
ECAD 3515 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 8-Powertdfn,5个线索 MBR540 肖特基 5-DFN (5x6)(8-SOFL) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 580 mv @ 5 a 2 ma @ 40 V -40°C〜175°C 5a -
CD214B-R3100 Bourns Inc. CD214B-R3100 -
RFQ
ECAD 3541 0.00000000 Bourns Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 DO-214AA,SMB CD214B 标准 SMB(do-214AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1 V @ 1 A 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 3a 40pf @ 4V,1MHz
RSFGLH Taiwan Semiconductor Corporation RSFGLH 0.0773
RFQ
ECAD 3324 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-123 标准 SMA 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-rsfglhtr Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 500 mA 150 ns 5 µA @ 400 V -55°C〜150°C 500mA 4pf @ 4V,1MHz
1N4448,113 NXP USA Inc. 1N4448,113 -
RFQ
ECAD 7047 0.00000000 NXP USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N44 标准 Alf2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 100 v 1 V @ 100 ma 4 ns 25 na @ 20 V 200°C (最大) 200mA 4pf @ 0v,1MHz
IDW32G65C5BXKSA2 Infineon Technologies IDW32G65C5BXKSA2 14.4200
RFQ
ECAD 240 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 IDW32G65 SIC (碳化硅) pg-to247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 240 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 16 A 0 ns 200 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 16a 470pf @ 1V,1MHz
UG06C A0G Taiwan Semiconductor Corporation UG06C A0G -
RFQ
ECAD 1493 0.00000000 台湾半导体公司 - (TB) 积极的 通过洞 T-18,轴向 UG06 标准 TS-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 950 MV @ 600 mA 15 ns 5 µA @ 150 V -55°C〜150°C 600mA 9pf @ 4V,1MHz
VS-20ETF06FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETF06FP-M3 3.6000
RFQ
ECAD 2634 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 20ETF06 标准 TO-220-2完整包 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.67 V @ 60 A 160 ns 100 µA @ 600 V -40°C〜150°C 20a -
RB706F-40 RVG Taiwan Semiconductor Corporation RB706F-40 RVG -
RFQ
ECAD 1966年 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 RB706 肖特基 SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 45 v 370 mv @ 1 mA 1 µA @ 10 V 125°c (最大) 30mA 2pf @ 1V,1MHz
PG154R_R2_00001 Panjit International Inc. PG154R_R2_00001 0.0334
RFQ
ECAD 7364 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 PG154 标准 do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 60,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 1.5 A 150 ns 1 µA @ 400 V -55°C〜150°C 1.5a 35pf @ 4V,1MHz
SSB43L-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SSB43L-E3/5BT 0.5800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB SSB43 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3200 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 450 MV @ 4 A 600 µA @ 30 V -65°C〜150°C 4a -
FESB16JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB16JT-E3/45 1.8000
RFQ
ECAD 121 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FESB16 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.5 V @ 16 A 50 ns 10 µA @ 600 V -65°C〜150°C 16a 145pf @ 4V,1MHz
NRVBB4030T4G onsemi NRVBB4030T4G -
RFQ
ECAD 7430 0.00000000 Onmi SwitchMode™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB NRVBB4030 肖特基 D²Pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 550 mv @ 40 a 350 µA @ 30 V -65°C〜175°C 40a -
SS12HE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS12HE3_B/i 0.4300
RFQ
ECAD 9427 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA SS12 肖特基 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 500 mv @ 1 A 200 µA @ 20 V -65°C〜125°C 1a -
APD360VPL-E1 Diodes Incorporated APD360VPL-E1 -
RFQ
ECAD 4283 0.00000000 二极管合并 - 大部分 过时的 通过洞 do-201aa,do-27,轴向 APD360 肖特基 DO-201-201 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 680 mv @ 3 a 500 µA @ 60 V -50°C〜125°C 3a -
MURS140T3G onsemi MURS140T3G 0.5100
RFQ
ECAD 2596 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB Murs140 标准 SMB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.25 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a -
B150BQ-13-F Diodes Incorporated B150BQ-13-F 0.1058
RFQ
ECAD 8449 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB B150 肖特基 SMB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 700 mv @ 1 A 500 µA @ 50 V -65°C〜150°C 1a 110pf @ 4V,1MHz
FESF16CTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF16CTHE3_A/p 1.3200
RFQ
ECAD 9959 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 FESF16 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 150 V -65°C〜150°C 16a -
1N5397-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5397-E3/54 0.3300
RFQ
ECAD 27 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N5397 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.4 V @ 1.5 A 2 µs 5 µA @ 600 V -50°C〜150°C 1.5a 15pf @ 4V,1MHz
VS-SD553C30S50L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD553C30S50L 162.0800
RFQ
ECAD 1641年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 上次购买 夹紧 DO-200AB,B-PUK SD553 标准 DO-200AB,B-PUK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 3000 v 3.24 V @ 1500 A 5 µs 75 ma @ 3000 V 560a -
D650N06TXPSA1 Infineon Technologies D650N06TXPSA1 -
RFQ
ECAD 4621 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 底盘安装 DO-200AA,A-PUK D650N06 标准 - 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 18 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 950 MV @ 450 A 20 ma @ 600 V -40°C〜180°C 650a -
1N3736 Microchip Technology 1N3736 160.3500
RFQ
ECAD 8733 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-205ab,do-9,螺柱 标准 DO-205AB(DO-9) 下载 到达不受影响 150-1N3736 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.3 V @ 300 A 75 µA @ 200 V -65°C 〜190°C 275a -
S3J-13-F Diodes Incorporated S3J-13-F 0.3700
RFQ
ECAD 94 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC S3J 标准 SMC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.15 V @ 3 A 10 µA @ 600 V -65°C〜150°C 3a 40pf @ 4V,1MHz
VS-8ETX06FPPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETX06FPPBF -
RFQ
ECAD 9509 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 过时的 通过洞 TO-220-2完整包 8etx06 标准 TO-220-2完整包 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 3 V @ 8 A 24 ns 50 µA @ 600 V -65°C〜175°C 8a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库