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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EGP10CHE3/54 | - | ![]() | 7056 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | EGP10 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 950 MV @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 150 V | -65°C〜150°C | 1a | 22pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | SD091SB150A.T1 | 0.6554 | ![]() | 3705 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 表面安装 | 死 | SD091 | 肖特基 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0040 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 890 MV @ 7.5 A | 250 µA @ 150 V | -55°C 〜175°C | 7.5a | 250pf @ 5V,1MHz | |||
![]() | S3D V7G | - | ![]() | 2026 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | S3D | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.15 V @ 3 A | 1.5 µs | 10 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | 1N2284 | 2.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-1N2284 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 500 v | 1.19 V @ 90 A | 10 µA @ 500 V | -65°C 〜200°C | 40a | - | |||
IDW30E60FKSA1 | 2.6900 | ![]() | 240 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | IDW30E60 | 标准 | pg-to247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2 V @ 30 A | 143 ns | 40 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 60a | - | |||
![]() | 1N4935G-T | 0.0756 | ![]() | 3197 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4935 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 1a | - | ||
![]() | EU02ZV | - | ![]() | 2537 | 0.00000000 | 桑肯 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | 轴向 | EU02 | 标准 | - | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | EU02ZV DK | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.4 V @ 1 A | 400 ns | 10 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | 1a | - | ||
![]() | RFN20NS4SFHTL | 1.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | RFN20 | 标准 | LPD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 430 v | 1.55 V @ 20 A | 30 ns | 10 µA @ 430 V | 150°C (最大) | 20a | 268pf @ 0v,1MHz | ||
![]() | BZX584C9V1Q | 0.0270 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-BZX584C9V1QTR | Ear99 | 8,000 | ||||||||||||||||
BZX84C7V5WQ | 0.0280 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-BZX84C7V5WQTR | Ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||
MBR16H45HE3/45 | - | ![]() | 4420 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | MBR16 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 660 mv @ 16 a | 100 µA @ 45 V | -65°C〜175°C | 16a | - | ||||
![]() | JANTXV1N6628/TR | 19.5900 | ![]() | 9273 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/590 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | E,轴向 | 标准 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6628/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 660 v | 1.35 V @ 2 A | 30 ns | 2 µA @ 660 V | -65°C〜150°C | 1.75a | 40pf @ 10V,1MHz | ||||
VS-31DQ04 | - | ![]() | 8841 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 31DQ04 | 肖特基 | C-16 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 570 mv @ 3 a | 1 mA @ 40 V | -40°C〜150°C | 3.3a | - | ||||
![]() | ISL9R1560G2-F085 | - | ![]() | 6001 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | 汽车,AEC-Q101,Stealth™ | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | 标准 | TO-247-2 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 116 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.2 V @ 15 A | 40 ns | 100 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 15a | - | ||||||
![]() | ST6060 | 78.9000 | ![]() | 2223 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 标准 | TO-204AA(TO-3) | - | 到达不受影响 | 150-ST6060 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1 V @ 30 A | 10 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 20a | - | |||||
![]() | MBR1645 | 0.9400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1655-1033 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 630 MV @ 16 A | 1 mA @ 45 V | -55°C〜150°C | 16a | 1400pf @ 5V,1MHz | |||
IMBD4448-E3-08 | 0.0396 | ![]() | 8374 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | IMBD4448 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 75 v | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 2.5 µA @ 70 V | 150°C (最大) | 150mA | - | |||
![]() | 1a7-ap | - | ![]() | 2082 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | R-1,轴向 | 1A7 | 标准 | R-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | SS5P9-E3/87A | - | ![]() | 8864 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ESMP® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | SS5P9 | 肖特基 | TO-277A(SMPC) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 90 v | 880 mv @ 5 a | 15 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||
![]() | S2G-AQ | 0.0791 | ![]() | 7665 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 标准 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2796-S2G-AQTR | 8541.10.0000 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.15 V @ 2 A | 1.5 µs | 5 µA @ 400 V | -50°C〜150°C | 2a | - | ||||
![]() | 1N1189R | 7.4730 | ![]() | 7084 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N1189R | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1N1189RGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.2 V @ 35 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜190°C | 35a | - | |||
![]() | 1N4246GP-E3/73 | - | ![]() | 9312 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4246 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.2 V @ 1 A | 1 µA @ 400 V | -65°C〜160°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | MURS340T3G | 0.6400 | ![]() | 5304 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | MURS340 | 标准 | SMC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.25 V @ 3 A | 75 ns | 10 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||
![]() | PMEG2010BEV,115 | 0.0500 | ![]() | 110 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | 肖特基 | SOT-666 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,542 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 500 mv @ 1 A | 200 µA @ 20 V | 150°C (最大) | 1a | 80pf @ 1V,1MHz | |||||||
![]() | 2A06G-T | 0.2100 | ![]() | 196 | 0.00000000 | 二极管合并 | * | (CT) | 积极的 | 2A06 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | ||||||||||||||
![]() | VS-VS19CSR16L | - | ![]() | 7502 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 上次购买 | VS19 | - | 112-VS-VS19CSR16L | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 10a02-ap | 0.2463 | ![]() | 6518 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 不适合新设计 | 通过洞 | R-6,轴向 | 10A02 | 标准 | R-6 | 下载 | 353-10A02-AP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1 V @ 10 A | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 10a | 150pf @ 4V,1MHz | |||||
![]() | ES1BHE3_A/i | 0.3900 | ![]() | 2103 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | ES1 | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 920 MV @ 1 A | 25 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V,1MHz | ||
MER2DAFC_R1_00701 | 0.4800 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-221ac,sma平面线索 | mer2d | 标准 | smaf-c | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 3757-MER2DAFC_R1_00701DKR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 950 mv @ 2 a | 35 ns | 1 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | 2a | 25pf @ 4V,1MHz | ||
301ur80 | - | ![]() | 1595年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | 301ur80 | 标准 | DO-205AB(DO-9) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | *301ur80 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.22 V @ 942 A | 15 ma @ 800 V | -40°C〜180°C | 330a | - |
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