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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4937E-E3/54 | 0.1079 | ![]() | 3105 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | 1N4937 | 标准 | DO-204AL (DO-41) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.2V@1A | 200纳秒 | 5μA@600V | -50℃~150℃ | 1A | 12pF@4V,1MHz | ||
![]() | JANTX1N6623/TR | 15.1800 | ![]() | 4135 | 0.00000000 | 微芯片 | 军事,MIL-PRF-19500/585 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | A、结 | 标准 | A、结 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-JANTX1N6623/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 880V | 1.55V@1A | 50纳秒 | 880V时为500nA | -65℃~150℃ | 1A | 10pF@10V、1MHz | |||
![]() | 70HF140 | 4.1500 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 大部分 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准 | 溶解O | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2383-70HF140 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1400伏 | 1.3V@70A | 1400V时为200μA | -65℃~150℃ | 70A | - | |||
![]() | UH2C-E3/5BT | - | ![]() | 3420 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 呃2 | 标准 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 1.05V@2A | 35纳秒 | 150V时为2μA | -55℃~175℃ | 2A | - | ||
![]() | MUR440S M6 | - | ![]() | 3659 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | DO-214AB、SMC | 标准 | DO-214AB(SMC) | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1801-MUR440SM6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.25V@4A | 50纳秒 | 400V时为10μA | -55℃~175℃ | 4A | 65pF @ 4V、1MHz | ||
![]() | 1N2288R | 2.5000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 的积极 | 柱螺安装 | DO-203AB、DO-5、螺柱 | 标准,反脊柱 | 溶解O | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 2383-1N2288R | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1200伏 | 1.19V@90A | 10μA@1200V | -65℃~200℃ | 40A | - | |||
![]() | BYV29B-400HE3_A/P | - | ![]() | 4629 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | BYV29 | 标准 | TO-263AB (D²PAK) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.25V@8A | 50纳秒 | 400V时为10μA | -40℃~150℃ | 8A | - | ||
![]() | SRAS8150 | 0.6279 | ![]() | 8056 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | SRAS8150 | 肖特基 | TO-263AB (D2PAK) | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 1801-SRAS8150TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 950毫伏@8安 | 100 µA @ 150 V | -55℃~150℃ | 8A | - | |||
![]() | PMEG200G20ELRX | 0.4700 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 安世半导体美国公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SOD-123W | 聚B二醇200 | SiGe(硅锗) | SOD-123W | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 880毫伏@2安 | 32纳秒 | 200V时为30nA | 175℃ | 2A | 58pF@1V、1MHz | ||
| SS34L RQG | - | ![]() | 2901 | 0.00000000 | 台积电 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-219AB | SS34 | 肖特基 | 亚SMA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 500毫伏@3安 | 40V时为500μA | -55℃~125℃ | 3A | - | ||||
![]() | NRVTSS3100ET3G | 0.4300 | ![]() | 2616 | 0.00000000 | onsemi | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | 肖特基 | 中小企业 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 995毫伏@3安 | 100V时为5μA | -55℃~175℃ | 3A | 14.4pF@100V、1MHz | ||||
![]() | 1N916A_T50R | - | ![]() | 2025年 | 0.00000000 | onsemi | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 1N916 | 标准 | DO-35 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 30,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 100伏 | 1V@20mA | 4纳秒 | 5μA@75V | -55℃~175℃ | 200毫安 | 2pF@0V、1MHz | |||
![]() | 1N6821R | 259.3500 | ![]() | 5515 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | ThinKey™3 | 肖特基,反 | ThinKey™3 | - | REACH 不出行 | 150-1N6821R | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 45V | 600毫伏@150安 | 10毫安@45伏 | -55℃~150℃ | 150A | - | |||||
![]() | DFLS140Q-7 | 0.4800 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 分散公司 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | POWERDI®123 | DFLS140 | 肖特基 | PowerDI™123 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 510 毫伏 @ 500 毫安 | 40V时为20μA | -55℃~125℃ | 1.1A | 28pF@10V,1MHz | |||
| RSFDLHMTG | - | ![]() | 第1479章 | 0.00000000 | 台积电 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-219AB | RSFDL | 标准 | 亚SMA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 7,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.3V@500mA | 150纳秒 | 5μA@200V | -55℃~150℃ | 500毫安 | 4pF@4V,1MHz | |||
![]() | SK34B-LTP | 0.4800 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 微商公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | SK34 | 肖特基 | DO-214AA (SMB) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 500毫伏@3安 | 40V时为500μA | -55℃~150℃ | 3A | 250pF @ 4V、1MHz | |||
![]() | 1N5552 | 1.0700 | ![]() | 300 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 的积极 | 通孔 | 结合 | 标准 | 结合 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | 2383-1N5552 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1V@3A | 2微秒 | 600V时为1μA | -65℃~200℃ | 3A | 100pF@12V,1MHz | |||
![]() | F1T6GH | 0.0790 | ![]() | 3174 | 0.00000000 | 台积电 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | T-18,团结 | F1T6 | 标准 | TS-1 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1.3V@1A | 500纳秒 | 800V时为5μA | -55℃~150℃ | 1A | 15pF @ 4V,1MHz | ||
![]() | 1N647-1/TR | 1.6891 | ![]() | 3702 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 标准 | DO-35 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 150-1N647-1/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1V@400mA | 50nA@400V | -65℃~175℃ | 400毫安 | - | ||||
![]() | HERAF807G C0G | - | ![]() | 8798 | 0.00000000 | 台积电 | - | 管子 | SIC停产 | 通孔 | TO-220-2全包 | 赫拉夫807 | 标准 | ITO-220AC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1.7V@8A | 80纳秒 | 800V时为10μA | -55℃~150℃ | 8A | 60pF @ 4V,1MHz | ||
![]() | GL41J-E3/96 | 0.4500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 超级调整器® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-213AB,MELF(玻璃) | GL41 | 标准 | DO-213AB | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500人 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 600伏 | 1.1V@1A | 600V时为10μA | -65℃~175℃ | 1A | 8pF@4V,1MHz | |||
![]() | STPR120A | - | ![]() | 8984 | 0.00000000 | 意法半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | STPR120 | 标准 | SMA (DO-214AC) | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 940 毫伏 @ 1 安 | 35纳秒 | 200V时为3μA | 150℃(最高) | 1A | - | ||
![]() | 688-25 | 280.3200 | ![]() | 9398 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | 模块 | 标准 | - | - | REACH 不出行 | 150-688-25 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 25000伏 | 42V@400mA | 500纳秒 | 2μA@25000V | -65℃~150℃ | 200毫安 | - | ||||
![]() | SE80PWGHM3/I | 0.2805 | ![]() | 4924 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - 分割部门 | 汽车、AEC-Q101、eSMP® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | SE80 | 标准 | 薄型DPAK | 下载 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 400V | 1.12V@8A | 2.4微秒 | 400V时为15μA | -40℃~175℃ | 8A | 58pF @ 4V,1MHz | ||||
![]() | S2M-13 | - | ![]() | 7645 | 0.00000000 | 分散公司 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 表面贴装 | DO-214AA、SMB | S2M | 标准 | 中小企业 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1000伏 | 1.15V@1.5A | 1000V时为5μA | -65℃~150℃ | 1.5A | 20pF@4V,1MHz | |||
![]() | ST3010E3 | 63.3000 | ![]() | 7548 | 0.00000000 | 微芯片 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-204AA、TO-3 | ST3010 | 标准 | TO-204AA (TO-3) | - | REACH 不出行 | 150-ST3010E3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 100伏 | 1.2V@15A | 10μA@100V | -65℃~200℃ | 15A | - | ||||
| MBR3150_R2_00001 | 0.1161 | ![]() | 6787 | 0.00000000 | 强茂国际有限公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | MBR3150 | 肖特基 | DO-201AD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 3757-MBR3150_R2_00001CT | EAR99 | 8541.10.0080 | 57,500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 150伏 | 900毫伏@3安 | 150V时为50μA | -65℃~150℃ | 3A | - | |||
![]() | W6360EC600 | - | ![]() | 5818 | 0.00000000 | IXYS | - | 盒子 | SIC停产 | 安装结构 | DO-200AE | W6360 | 标准 | W111 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 238-W6360EC600 | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 6000伏 | 1.4V@4000A | 73微秒 | 120毫安@6000伏 | -40℃~150℃ | 6395A | - | |
![]() | STTH1R04AY | 0.6700 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 意法半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | STTH1 | 标准 | SMA | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 497-14181-2 | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.6V@1A | 30纳秒 | 5μA@400V | -40℃~175℃ | 1A | - | |
![]() | 1PS74SB23,115 | 0.1000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 恩智浦 | - | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | SC-74、SOT-457 | 肖特基 | 6-TSOP | 下载 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 25V | 450毫伏@1安 | 1毫安@25伏 | 125℃(最高) | 1A | 100pF @ 4V、1MHz |

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