SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
B240A-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division B240A-E3/61T 0.4100
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA B240 肖特基 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 550 mv @ 2 a 500 µA @ 40 V -65°C〜150°C 2a -
VSKE250-12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKE250-12 -
RFQ
ECAD 7055 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 底盘安装 3-magn-a-pak™ VSKE250 标准 Magn-A-Pak® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 50 ma @ 1200 V 250a -
USD345CHR2 Microchip Technology USD345CHR2 110.6250
RFQ
ECAD 6296 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 TO-204AA,TO-3 345美元 肖特基 TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 45 v 660 mv @ 20 a 10 mA @ 45 V 175°c (最大) 30a -
MBR735 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR735 -
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ECAD 8542 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 MBR7 肖特基 TO-220AC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 35 v 840 mv @ 15 A 100 µA @ 35 V -65°C〜150°C 7.5a -
UES1301 Microchip Technology UES1301 24.3900
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ECAD 4846 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 B,轴向 标准 B,轴向 - Rohs不合规 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 925 mv @ 6 a 30 ns -55°C 〜175°C 6a -
SS22L M2G Taiwan Semiconductor Corporation SS22L M2G -
RFQ
ECAD 2909 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-219ab SS22 肖特基 SMA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 500 mv @ 2 a 400 µA @ 20 V -55°C〜150°C 2a -
TMBYV10-40FILM STMicroelectronics TMBYV10-40FILM 0.6200
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ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-213ab,Melf TMBYV10 肖特基 梅尔 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 550 mv @ 1 a 500 µA @ 40 V -65°C〜125°C 1a -
S1AL MHG Taiwan Semiconductor Corporation S1AL MHG -
RFQ
ECAD 4729 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-219ab S1A 标准 SMA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 50 V 1.1 V @ 1 A 1.8 µs 5 µA @ 50 V -55°C 〜175°C 1a 9pf @ 4V,1MHz
1N5404G-T Diodes Incorporated 1N5404G-T 0.3700
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ECAD 35 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 1N5404 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 1200 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 3 A 2 µs 5 µA @ 400 V -65°C〜150°C 3a 40pf @ 4V,1MHz
1N4934-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4934-E3/54 0.3400
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ECAD 19 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4934 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 100 V -50°C〜150°C 1a 12pf @ 4V,1MHz
EM01AV Sanken EM01AV -
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ECAD 9793 0.00000000 桑肯 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 轴向 EM01 标准 - 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) EM01AV DK Ear99 8541.10.0080 1,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 970 mv @ 1 a 10 µA @ 600 V -40°C〜150°C 1a -
VS-SD1053C25S20L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD1053C25S20L 153.8400
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ECAD 5143 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 上次购买 夹紧 DO-200AB,B-PUK SD1053 标准 DO-200AB,B-PUK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 2500 v 1.9 V @ 1500 A 2 µs 50 mA @ 2500 V 1050a -
MBRS140LT3G onsemi MBRS140LT3G -
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ECAD 3815 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 DO-214AA,SMB MBRS140 肖特基 SMB 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 500 mv @ 1 A 400 µA @ 40 V -55°C〜125°C 1a -
S2J-13-F Diodes Incorporated S2J-13-F 0.4500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB S2J 标准 SMB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.15 V @ 1.5 A 5 µA @ 600 V -65°C〜150°C 1.5a 20pf @ 4V,1MHz
LL4150-7 Diodes Incorporated LL4150-7 -
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ECAD 7021 0.00000000 二极管合并 - (CT) 过时的 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 LL4150 标准 迷你梅尔 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 2,500 小信号= <200ma(io(io),任何速度 50 V 1 V @ 200 MA 4 ns 100 na @ 50 V 200mA -
JAN1N5622 Semtech Corporation 1月1N5622 -
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ECAD 2441 0.00000000 Semtech Corporation * 大部分 在sic中停产 - Jan1n5622s Ear99 8541.10.0080 1
MBR140ESFT1G onsemi MBR140ESFT1G 0.4300
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ECAD 7908 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-123F MBR140 肖特基 SOD-123FL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 560 mv @ 1 a 30 µA @ 40 V -55°C 〜175°C 1a -
LSM545JE3/TR13 Microchip Technology LSM545JE3/TR13 0.5850
RFQ
ECAD 8249 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC LSM545 肖特基 do-214ab 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 520 mv @ 5 a 2 ma @ 45 V -55°C〜150°C 5a -
VS-20ETS12FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETS12FP-M3 2.9200
RFQ
ECAD 518 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 20ETS12 标准 TO-220-2完整包 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 1.3 V @ 20 A 95 ns 100 µA @ 1200 V -40°C〜150°C 20a -
R9G00818XX Powerex Inc. R9G00818XX 187.3350
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ECAD 5387 0.00000000 Powerex Inc. - 大部分 积极的 底盘安装 DO-200AB,B-PUK R9G00818 标准 DO-200AB,B-PUK 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.2 V @ 1500 A 25 µs 150 ma @ 800 V 1800a -
IRD3CH82DF6 Infineon Technologies IRD3CH82DF6 -
RFQ
ECAD 1532年 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 IRD3CH82 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001538740 Ear99 8541.10.0080 1
1N5806US Microchip Technology 1N5806US 6.2700
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ECAD 80 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,a 1N5806 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 875 mv @ 1 a 25 ns 1 µA @ 150 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 10V,1MHz
DFLS220L-7 Diodes Incorporated DFLS220L-7 0.6100
RFQ
ECAD 20 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 PowerDi®123 DFLS220 肖特基 PowerDi™123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 420 mv @ 2 a 1 ma @ 20 V -55°C〜125°C 2a 75pf @ 10V,1MHz
SDH15KM Semtech Corporation SDH15公里 -
RFQ
ECAD 8880 0.00000000 Semtech Corporation - 大部分 在sic中停产 底盘安装 模块 标准 - - 600-SDH15公里 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 15000 v 19.8 V @ 1 A 2 µs 1 µA @ 15000 V -55°C〜150°C 1a -
EU 2V1 Sanken 欧盟2v1 -
RFQ
ECAD 1554年 0.00000000 桑肯 - (TB) 积极的 通过洞 轴向 欧盟2 标准 - 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.4 V @ 1 A 400 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 1a -
1N3879R GeneSiC Semiconductor 1N3879R 7.3900
RFQ
ECAD 860 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N3879R 标准,反极性 do-4 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 1242-1071 Ear99 8541.10.0080 250 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.4 V @ 6 A 200 ns 15 µA @ 50 V -65°C〜150°C 6a -
RS5JC-HF Comchip Technology RS5JC-HF 0.1783
RFQ
ECAD 1267 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC RS5J 标准 DO-214AB(SMC) - rohs3符合条件 (1 (无限) 641-RS5JC-HFTR Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 5 A 250 ns 5 µA @ 600 V -55°C〜150°C 5a 50pf @ 4V,1MHz
AS3D020065A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D020065A 4.6100
RFQ
ECAD 158 0.00000000 Anbon 半导体((Int'l) - 大部分 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) TO-220-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 4530-AS3D020065A Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.65 V @ 20 A 0 ns 20 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 56a 1190pf @ 0v,1MHz
ES2DAF onsemi ES2DAF 0.6400
RFQ
ECAD 6752 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ad,Smaf ES2D 标准 DO-214AD(SMAF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 mv @ 2 a 35 ns 1 µA @ 200 V -55°C〜150°C 2a 30pf @ 4V,1MHz
V8P15HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V8P15HM3/h 0.7100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,ESMP®,TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn V8P15 肖特基 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1.08 V @ 8 A 150 µA @ 150 V -40°C〜150°C 8a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库