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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EP05FA20 | - | ![]() | 4664 | 0.00000000 | Kyocera avx | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SOD-123 | 标准 | SOD-123 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 950 MV @ 500 mA | 30 ns | 10 µA @ 200 V | -40°C〜150°C | 500mA | - | |||||
![]() | A197RN | - | ![]() | 6138 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | A197 | 标准,反极性 | - | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | -40°C〜150°C | 250a | - | ||||||
![]() | SE20PGHM3/85A | 0.1048 | ![]() | 2831 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-220aa | SE20 | 标准 | DO-220AA(SMP) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.05 V @ 2 A | 1.2 µs | 5 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | 1.6a | 13pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | STPS3L40SY | 1.0400 | ![]() | 52 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Q汽车 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | STPS3 | 肖特基 | SMC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 500 mv @ 3 a | 100 µA @ 40 V | -40°C〜150°C | 3a | - | |||
![]() | SE15FJ-M3/i | 0.0781 | ![]() | 3556 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | SE15 | 标准 | DO-219AB(SMF) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.05 V @ 1.5 A | 900 ns | 5 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 1.5a | 10.5pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | EGP20F-TP | - | ![]() | 8055 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | EGP20F | 标准 | do-15 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.25 V @ 2 A | 75 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 2a | - | ||
VS-12TQ045PBF | - | ![]() | 5753 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2 | 12TQ045 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 560 mv @ 15 A | 1.75 ma @ 45 V | -55°C〜150°C | 15a | - | ||||
![]() | GL41BHE3/97 | - | ![]() | 7409 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | GL41 | 标准 | do-213ab | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | GL41BHE3_A/i | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | JANTX1N3294R | - | ![]() | 3561 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/246 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 标准 | DO-205AA(DO-8) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.55 V @ 310 A | 10 ma @ 800 V | -65°C 〜200°C | 100a | - | |||||
![]() | RB521VM-40FHTE-17 | 0.3500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | RB521 | 肖特基 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 540 mv @ 200 ma | 90 µA @ 40 V | 125°c (最大) | 200mA | - | |||
RSFGL地毯 | - | ![]() | 4011 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-219ab | RSFGL | 标准 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1,800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 500 mA | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 500mA | 4pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | HER301-T | - | ![]() | 4386 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | Her301 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1.1 V @ 3 A | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 3a | - | |||
![]() | PMEG6020AEALR-QX | 0.4300 | ![]() | 980 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123W | 肖特基 | SOD-123W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 670 mv @ 2 a | 9 ns | 700 NA @ 60 V | 175°C | 2a | 220pf @ 1V,1MHz | |||
![]() | S12JC R7G | - | ![]() | 9267 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | S12J | 标准 | DO-214AB(SMC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.1 V @ 12 A | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 12a | 78pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | S1BB M4G | - | ![]() | 7454 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | S1B | 标准 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 12pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | RURD820156 | 0.7800 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | SR102 R1G | - | ![]() | 5411 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | SR102 | 肖特基 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 550 mv @ 1 a | 500 µA @ 20 V | -55°C〜125°C | 1a | - | |||
1N485B tr | - | ![]() | 2750 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 200 v | 1 V @ 100 ma | 25 na @ 200 V | -65°C 〜200°C | 200mA | - | ||||||
![]() | gl41yhe3_a/i | 0.4700 | ![]() | 99 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | GL41 | 标准 | do-213ab | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1600 v | 1.2 V @ 1 A | 10 µA @ 1600 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | TSP10U60S | 1.2100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | TSP10 | 肖特基 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 540 mv @ 10 a | 300 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 10a | - | |||
![]() | DSEI30-06A | 5.3500 | ![]() | 5512 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | DSEI30 | 标准 | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.6 V @ 37 A | 50 ns | 100 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | 37a | - | ||
BY251GP-E3/54 | - | ![]() | 7820 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | BY251 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.1 V @ 3 A | 3 µs | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 3a | 40pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | VS-ETX1506STRR-M3 | 0.7542 | ![]() | 8574 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | ETX1506 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSETX1506STRRM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 3.4 V @ 15 A | 20 ns | 36 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 15a | - | |
![]() | ISL9R1560G2 | - | ![]() | 3617 | 0.00000000 | Onmi | Stealth™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-2 | ISL9R1560 | 标准 | TO-247-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.2 V @ 15 A | 40 ns | 100 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 15a | - | ||
![]() | FR10B-TP | - | ![]() | 2195 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | FR10 | 标准 | SMC(do-214ab) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1.3 V @ 10 A | 150 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 10a | - | ||
![]() | FDH444 | 0.3300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | FDH444 | 标准 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 125 v | 1.2 V @ 300 mA | 60 ns | 50 NA @ 100 V | 175°c (最大) | 200mA | 2.5pf @ 0v,1MHz | ||
![]() | 1N458ATR | 0.2200 | ![]() | 36 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N458 | 标准 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 150 v | 1 V @ 100 ma | 25 µA @ 125 V | 175°c (最大) | 500mA | - | |||
![]() | LSM160GE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 3545 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | LSM160 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | ||||||||||||||
![]() | NGTD17R120F2WP | - | ![]() | 7978 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 死 | NGTD17 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | - | 1200 v | 1.8 V @ 35 A | 1 µA @ 1200 V | 175°c (最大) | - | - | ||||
![]() | MSASC150H15LX/TR | - | ![]() | 4485 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-MSASC150H15LX/TR | 100 |
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