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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P300K-E3/73 | - | ![]() | 8093 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | P300 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.2 V @ 3 A | 2 µs | 5 µA @ 800 V | -50°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | MBRF1635HE3_A/p | 0.7920 | ![]() | 4979 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | 肖特基 | ITO-220AC | 下载 | 到达不受影响 | 112-MBRF1635HE3_A/p | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 35 v | 630 MV @ 16 A | 200 µA @ 35 V | -65°C〜150°C | 16a | - | |||||
SMLWH | 0.0572 | ![]() | 8969 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123W | 标准 | SOD-123W | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1801-smlwhtr | Ear99 | 8541.10.0080 | 20,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 800 mA | 1 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 800mA | 7pf @ 4V,1MHz | |||||
SS110 R3G | 0.4500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | do-214ac,SMA | SS110 | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 800 mv @ 1 A | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | - | ||||
![]() | S26 | 0.2100 | ![]() | 4360 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie电子技术有限公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | 肖特基 | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 700 mv @ 2 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||
![]() | STPS0530Z | 0.4900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123 | STPS0530 | 肖特基 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 430 MV @ 500 mA | 130 µA @ 30 V | -40°C〜150°C | 500mA | - | |||
![]() | 1N6545 | 12.1200 | ![]() | 1081 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | 1N6545 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||
![]() | VS-72HF140 | 11.8596 | ![]() | 5359 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 72HF140 | 标准 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS72HF140 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1400 v | 1.35 V @ 220 A | -65°C〜180°C | 70a | - | |||
![]() | R3540 | 42.3000 | ![]() | 1591年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | R3540 | 标准,反极性 | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.25 V @ 200 A | 25 µA @ 400 V | -65°C 〜200°C | 70a | - | ||||
![]() | 1N1346A | 1.9500 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | do-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-1N1346A | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.3 V @ 30 A | 10 µA @ 400 V | -65°C 〜200°C | 16a | - | |||
![]() | SS34B | 0.0500 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-SS34BTR | Ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||
![]() | 1N5624-TAP | 0.4554 | ![]() | 2283 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | SOD-64,轴向 | 1N5624 | 雪崩 | SOD-64 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1 V @ 3 A | 7.5 µs | 1 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 3a | 60pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | 1N4722 | 47.3250 | ![]() | 9071 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | 轴向 | 1N4722 | 标准 | 轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1 V @ 3 A | 25 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||
![]() | UG1003_HF | - | ![]() | 5605 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | UG1003 | 标准 | do-41 | - | 31-ug1003_hf | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V,1MHz | ||||
BY253P-E3/73 | - | ![]() | 6738 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | BY253 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 3 A | 3 µs | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 3a | 40pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | SRAF1050HC0G | - | ![]() | 9559 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SRAF1050 | 肖特基 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 700 mv @ 10 a | 500 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 10a | - | |||
![]() | 1N4007GPEHE3/91 | - | ![]() | 6568 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4007 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | SR4255RL | 0.0200 | ![]() | 375 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 5,000 | |||||||||||||||
![]() | SMMSD914T3G | 0.4300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Onmi | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123 | SMMSD914 | 标准 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 100 v | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -55°C〜150°C | 200mA | 4pf @ 0v,1MHz | ||
![]() | 1N5408GHB0G | - | ![]() | 3038 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 1N5408 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1 V @ 3 A | 5 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 3a | 25pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | FR156-AP | - | ![]() | 5931 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | FR156 | 标准 | do-15 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 1.5 A | 500 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1.5a | 20pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | HSB123JTR-E | 0.1000 | ![]() | 65 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | |||||||||||||||
![]() | DB2S20500L | - | ![]() | 2600 | 0.00000000 | 松下电子组件 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | DB2S205 | 肖特基 | SSMINI2-F5-B | - | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 15 v | 390 mv @ 200 ma | 2.2 ns | 50 µA @ 6 V | 125°c (最大) | 200mA | 6.1pf @ 10V,1MHz | |||
SF53-AP | - | ![]() | 6553 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SF53 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 950 mv @ 5 a | 35 ns | 5 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 5a | 45pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | MBRM560-13 | - | ![]() | 9794 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | PowerMite®3 | MBRM560 | 肖特基 | Powermite 3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 690 mv @ 5 a | 200 µA @ 60 V | -55°C〜125°C | 5a | - | |||
![]() | sft12g a1g | - | ![]() | 8930 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 在sic中停产 | 通过洞 | T-18,轴向 | SFT12 | 标准 | TS-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | 30HFU-400 | - | ![]() | 1560年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 30hfu | 标准 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.45 V @ 30 A | 80 ns | 35 µA @ 400 V | -40°C〜125°C | 30a | - | ||
SD101BWQ | 0.0200 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-SD101BWQTR | Ear99 | 3,000 | |||||||||||||||||
![]() | IDH05S120AKSA1 | - | ![]() | 1530 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-2 | IDH05 | SIC (碳化硅) | PG-TO220-2-2 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 5 A | 0 ns | 120 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 5a | 250pf @ 1V,1MHz | |||
![]() | BAS29 | 0.4300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAS29 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 120 v | 1 V @ 200 MA | 50 ns | 100 NA @ 90 V | 150°C (最大) | 200mA | 2pf @ 0v,1MHz |
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