SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
P300K-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division P300K-E3/73 -
RFQ
ECAD 8093 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 P300 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.2 V @ 3 A 2 µs 5 µA @ 800 V -50°C〜150°C 3a 30pf @ 4V,1MHz
MBRF1635HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF1635HE3_A/p 0.7920
RFQ
ECAD 4979 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 肖特基 ITO-220AC 下载 到达不受影响 112-MBRF1635HE3_A/p Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 35 v 630 MV @ 16 A 200 µA @ 35 V -65°C〜150°C 16a -
SMLWH Taiwan Semiconductor Corporation SMLWH 0.0572
RFQ
ECAD 8969 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-123W 标准 SOD-123W 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 1801-smlwhtr Ear99 8541.10.0080 20,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 800 mA 1 µA @ 1000 V -55°C〜150°C 800mA 7pf @ 4V,1MHz
SS110 R3G Taiwan Semiconductor Corporation SS110 R3G 0.4500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 do-214ac,SMA SS110 肖特基 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 800 mv @ 1 A 100 µA @ 100 V -55°C〜150°C 1a -
S26 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd S26 0.2100
RFQ
ECAD 4360 0.00000000 Yangzhou Yangjie电子技术有限公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-123F 肖特基 SOD-123FL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 700 mv @ 2 a 500 µA @ 60 V -55°C〜150°C 2a -
STPS0530Z STMicroelectronics STPS0530Z 0.4900
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-123 STPS0530 肖特基 SOD-123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 430 MV @ 500 mA 130 µA @ 30 V -40°C〜150°C 500mA -
1N6545 Microchip Technology 1N6545 12.1200
RFQ
ECAD 1081 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 1N6545 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1
VS-72HF140 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-72HF140 11.8596
RFQ
ECAD 5359 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 72HF140 标准 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS72HF140 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1400 v 1.35 V @ 220 A -65°C〜180°C 70a -
R3540 Microchip Technology R3540 42.3000
RFQ
ECAD 1591年 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 R3540 标准,反极性 do-5 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.25 V @ 200 A 25 µA @ 400 V -65°C 〜200°C 70a -
1N1346A Solid State Inc. 1N1346A 1.9500
RFQ
ECAD 50 0.00000000 固态公司 - 盒子 积极的 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准 do-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 2383-1N1346A Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.3 V @ 30 A 10 µA @ 400 V -65°C 〜200°C 16a -
SS34B Yangjie Technology SS34B 0.0500
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Yangjie技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-SS34BTR Ear99 3,000
1N5624-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5624-TAP 0.4554
RFQ
ECAD 2283 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 1N5624 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1 V @ 3 A 7.5 µs 1 µA @ 200 V -65°C〜175°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
1N4722 Microchip Technology 1N4722 47.3250
RFQ
ECAD 9071 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 轴向 1N4722 标准 轴向 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1 V @ 3 A 25 µA @ 400 V -65°C〜175°C 3a -
UG1003_HF Diodes Incorporated UG1003_HF -
RFQ
ECAD 5605 0.00000000 二极管合并 - 大部分 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 UG1003 标准 do-41 - 31-ug1003_hf Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜150°C 1a 20pf @ 4V,1MHz
BY253P-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY253P-E3/73 -
RFQ
ECAD 6738 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 BY253 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.1 V @ 3 A 3 µs 5 µA @ 600 V -55°C〜150°C 3a 40pf @ 4V,1MHz
SRAF1050HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF1050HC0G -
RFQ
ECAD 9559 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 SRAF1050 肖特基 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 700 mv @ 10 a 500 µA @ 50 V -55°C〜150°C 10a -
1N4007GPEHE3/91 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GPEHE3/91 -
RFQ
ECAD 6568 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
SR4255RL onsemi SR4255RL 0.0200
RFQ
ECAD 375 0.00000000 Onmi * 大部分 积极的 - 不适用 3(168)) 供应商不确定 Ear99 8542.39.0001 5,000
SMMSD914T3G onsemi SMMSD914T3G 0.4300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-123 SMMSD914 标准 SOD-123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 100 v 1 V @ 10 mA 4 ns 5 µA @ 75 V -55°C〜150°C 200mA 4pf @ 0v,1MHz
1N5408GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5408GHB0G -
RFQ
ECAD 3038 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 1N5408 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1 V @ 3 A 5 µA @ 1000 V -55°C〜150°C 3a 25pf @ 4V,1MHz
FR156-AP Micro Commercial Co FR156-AP -
RFQ
ECAD 5931 0.00000000 微商业公司 - (TB) 过时的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 FR156 标准 do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.3 V @ 1.5 A 500 ns 5 µA @ 800 V -55°C〜150°C 1.5a 20pf @ 4V,1MHz
HSB123JTR-E Renesas Electronics America Inc HSB123JTR-E 0.1000
RFQ
ECAD 65 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 3,000
DB2S20500L Panasonic Electronic Components DB2S20500L -
RFQ
ECAD 2600 0.00000000 松下电子组件 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 SC-79,SOD-523 DB2S205 肖特基 SSMINI2-F5-B - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 15 v 390 mv @ 200 ma 2.2 ns 50 µA @ 6 V 125°c (最大) 200mA 6.1pf @ 10V,1MHz
SF53-AP Micro Commercial Co SF53-AP -
RFQ
ECAD 6553 0.00000000 微商业公司 - (TB) 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 SF53 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1200 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 950 mv @ 5 a 35 ns 5 µA @ 150 V -55°C〜150°C 5a 45pf @ 4V,1MHz
MBRM560-13 Diodes Incorporated MBRM560-13 -
RFQ
ECAD 9794 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 PowerMite®3 MBRM560 肖特基 Powermite 3 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 690 mv @ 5 a 200 µA @ 60 V -55°C〜125°C 5a -
SFT12G A1G Taiwan Semiconductor Corporation sft12g a1g -
RFQ
ECAD 8930 0.00000000 台湾半导体公司 - (TB) 在sic中停产 通过洞 T-18,轴向 SFT12 标准 TS-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 100 V -55°C〜150°C 1a 20pf @ 4V,1MHz
30HFU-400 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30HFU-400 -
RFQ
ECAD 1560年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 30hfu 标准 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.45 V @ 30 A 80 ns 35 µA @ 400 V -40°C〜125°C 30a -
SD101BWQ Yangjie Technology SD101BWQ 0.0200
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Yangjie技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-SD101BWQTR Ear99 3,000
IDH05S120AKSA1 Infineon Technologies IDH05S120AKSA1 -
RFQ
ECAD 1530 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 IDH05 SIC (碳化硅) PG-TO220-2-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.8 V @ 5 A 0 ns 120 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 5a 250pf @ 1V,1MHz
BAS29 onsemi BAS29 0.4300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAS29 标准 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 120 v 1 V @ 200 MA 50 ns 100 NA @ 90 V 150°C (最大) 200mA 2pf @ 0v,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库