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---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SMBD70LT1G | 0.0200 | ![]() | 98 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | 3(168)) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | |||||||||||||||
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![]() | FDLL400 | 0.3400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | FDLL400 | 标准 | SOD-80 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 150 v | 1.1 V @ 300 mA | 50 ns | 100 NA @ 150 V | 175°c (最大) | 200mA | 2pf @ 0v,1MHz | ||
![]() | 1N4001-N-0-1-BP | - | ![]() | 4232 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4001 | 标准 | do-41 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1N4001-N-0-1-BPM | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 50 V | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 50 V | - | 1a | - | |||
JANTXV1N6640/TR | 9.6824 | ![]() | 7281 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/609 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6640/TR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 1 V @ 200 MA | 4 ns | 100 na @ 50 V | -65°C〜175°C | 300mA | - | ||||
![]() | SF803GHC0G | - | ![]() | 7103 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3 | SF803 | 标准 | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 975 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 8a | 70pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | BAS16-D87Z | 0.0600 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | * | 大部分 | 积极的 | BAS16 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-BAS16-D87Z-600039 | 1 | ||||||||||||||||
GB02SHT03-46 | 48.4900 | ![]() | 174 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-206AB,TO-46-3金属可以 | GB02SHT03 | SIC (碳化硅) | TO-46 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1255 | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 300 v | 1.6 V @ 1 A | 0 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜225°C | 4a | 76pf @ 1V,1MHz | |||
![]() | VS-85HF40M | 19.7286 | ![]() | 2037 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 85HF40 | 标准 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS85HF40M | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.2 V @ 267 A | -65°C〜180°C | 85a | - | |||
![]() | JANS1N6391 | - | ![]() | 2377 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/553 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 肖特基 | DO-203AA(DO-4) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 680 mv @ 50 A | 1.5 ma @ 45 V | -55°C 〜175°C | 22.5a | 2000pf @ 5V,1MHz | |||||
![]() | B2100-13-F | 0.4900 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | B2100 | 肖特基 | SMB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 790 mv @ 2 a | 7 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 2a | 75pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | 1N1200AR | 4.2345 | ![]() | 3615 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N1200AR | 标准,反极性 | do-4 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1011 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 12 A | 10 µA @ 50 V | -65°C 〜200°C | 12a | - | |||
![]() | BAS7002LE6327 | 1.0000 | ![]() | 2815 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SOD-882 | 肖特基 | PG-TSLP-2-1 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 15,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 70 v | 1 V @ 15 mA | 100 ps | 100 na @ 50 V | 150°C | 70mA | 1.5pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | SE40NJ-M3/i | 0.5300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装,可润湿的侧面 | 2-vdfn | 标准 | DFN3820A | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 4 A | 1.2 µs | 10 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 4a | 24pf @ 4V,1MHz | |||
![]() | C3D06060G-Tr | 2.4311 | ![]() | 6027 | 0.00000000 | Wolfspeed,Inc。 | Z-Rec® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | C3D06060 | SIC (碳化硅) | TO-263-2 | 下载 | Rohs符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 600 v | 1.7 V @ 6 A | 50 µA @ 600 V | -55°C 〜175°C | 19a | 295pf @ 0v,1MHz | ||||
![]() | VS-6SH02-M3/86A | 0.6100 | ![]() | 916 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | 6 ESH02 | 标准 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 940 mv @ 6 a | 22 ns | 2 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 6a | - | ||
![]() | 1N3273R | 21.0000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | 标准,反极性 | do-9 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-1N3273R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 1000 V | -65°C 〜190°C | 275a | - | |||
S85Q | 15.0400 | ![]() | 597 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | do-5 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 1242-1031 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 1.1 V @ 85 A | 10 µA @ 100 V | -65°C〜180°C | 85a | - | |||||
![]() | S2KW12C-3D | - | ![]() | 4851 | 0.00000000 | Semtech Corporation | - | 大部分 | 在sic中停产 | 底盘安装 | 模块 | S2KW12 | 标准 | - | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 12000 v | 12 V @ 3 A | 2 µs | 1 ma @ 12000 V | -55°C〜150°C | 3a | - | |||
![]() | ER1M-AQ | 0.0913 | ![]() | 2624 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | do-214ac,SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2796-ER1M-AQTR | 8541.10.0000 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -50°C〜150°C | 1a | - | ||||
![]() | GP10-4004-E3/53 | - | ![]() | 1992 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | GP10 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | V15P22-M3/i | 0.5768 | ![]() | 9338 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | 肖特基 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 112-V15P22-M3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 910 MV @ 15 A | 350 µA @ 200 V | -40°C〜175°C | 3.3a | 835pf @ 4V,1MHz | ||||
![]() | DSS6-015AS-TRL | - | ![]() | 1512 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | DSS6-015 | 肖特基 | TO-252AA | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 780 mv @ 6 a | 300 µA @ 150 V | -55°C 〜175°C | 6a | - | |||
![]() | S1zz | - | ![]() | 4490 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | S1Z | 标准 | DO-214AA(SMB) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Q1911013 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 2000 v | 1.1 V @ 1 A | 2.5 µs | 10 µA @ 2000 V | -55°C〜150°C | 1a | - | |
![]() | Jan1n1206ar | 67.3200 | ![]() | 9835 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/260 | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N1206 | 标准,反极性 | DO-203AA(DO-4) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.35 V @ 38 A | 5 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 12a | - | |||
![]() | 1N4054R | 21.0000 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 盒子 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205ab,do-9,螺柱 | 标准,反极性 | do-9 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-1N4054R | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 800 V | -65°C 〜190°C | 275a | - | |||
![]() | 1N2238A | 44.1600 | ![]() | 8994 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 标准 | DO-4(do-203AA) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N2238A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.3 V @ 30 A | 10 µA @ 600 V | -65°C 〜200°C | 5a | - | |||||
FR1007-AP | - | ![]() | 9693 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | (TB) | 过时的 | 通过洞 | R-6,轴向 | FR1007 | 标准 | R-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.3 V @ 10 A | 500 ns | 10 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 10a | - | ||||
![]() | VS-52PF120 | 6.5751 | ![]() | 4512 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 52PF120 | 标准 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS52PF120 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 1.4 V @ 125 A | -55°C〜180°C | 50a | - | |||
![]() | PMEG2010EPK,315 | 0.0500 | ![]() | 441 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | 2-XDFN | 肖特基 | DFN1608D-2 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,086 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 415 mv @ 1 A | 4 ns | 600 µA @ 20 V | 150°C (最大) | 1a | 65pf @ 1V,1MHz |
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