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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SDT12A120P5Q-13 | - | ![]() | 6793 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | ||||||||||||||
![]() | SDT5H100LP5-13 | 0.1614 | ![]() | 9745 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | PowerDi™5 | SDT5H100 | 肖特基 | PowerDi™5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 660 mv @ 5 a | 3.5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||
![]() | SDT5H100LP5-13D | 0.1614 | ![]() | 1778年 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | PowerDi™5 | SDT5H100 | 肖特基 | PowerDi™5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 660 mv @ 5 a | 3.5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||
![]() | SDT5H100P5-13 | 0.1450 | ![]() | 5643 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | PowerDi™5 | SDT5H100 | 肖特基 | PowerDi™5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 620 MV @ 5 A | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 5a | - | ||
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![]() | US1KSAFS-13 | 0.4000 | ![]() | 6513 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,sma平面线索 | US1K | 标准 | SMA-FS | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.85 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1a | 5pf @ 4V,1MHz | |
![]() | UGF5JHC0G | - | ![]() | 3916 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | UGF5 | 标准 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 3 V @ 5 A | 25 ns | 30 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |
![]() | UGF8JD C0G | - | ![]() | 2619 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | UGF8 | 标准 | ITO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 2.3 V @ 8 A | 30 ns | 500 NA @ 600 V | -55°C〜150°C | 8a | - | |
![]() | 1N4005G B0G | - | ![]() | 2276 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4005 | 标准 | DO-204AL(DO-41) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1 V @ 1 A | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V,1MHz | ||
![]() | SF21GHA0G | - | ![]() | 7121 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | SF21 | 标准 | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 950 mv @ 2 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 2a | 40pf @ 4V,1MHz | |
![]() | SF22GHA0G | - | ![]() | 6850 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | SF22 | 标准 | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 950 mv @ 2 a | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 2a | 40pf @ 4V,1MHz | |
![]() | SF24GHA0G | - | ![]() | 1336 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | SF24 | 标准 | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 950 mv @ 2 a | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 2a | 40pf @ 4V,1MHz | |
![]() | SF25GHA0G | - | ![]() | 2477 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | SF25 | 标准 | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.3 V @ 2 A | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 2a | 20pf @ 4V,1MHz | |
![]() | SF28GHA0G | - | ![]() | 9710 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | SF28 | 标准 | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 2 A | 35 ns | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 2a | 20pf @ 4V,1MHz | |
![]() | SF2L8G A0G | - | ![]() | 5164 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | SF2L8 | 标准 | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 2 A | 35 ns | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 2a | 20pf @ 4V,1MHz | |
![]() | SF31G A0G | - | ![]() | 4927 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SF31 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | 80pf @ 4V,1MHz | |
![]() | SF33G A0G | - | ![]() | 7118 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SF33 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 3a | 80pf @ 4V,1MHz | |
![]() | SF35G A0G | - | ![]() | 9621 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SF35 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.3 V @ 3 A | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V,1MHz | |
![]() | SF35GHA0G | - | ![]() | 6209 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | (TB) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SF35 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 300 v | 1.3 V @ 3 A | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V,1MHz | |
![]() | SF36GHA0G | - | ![]() | 2006 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | (TB) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SF36 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 3 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V,1MHz | |
![]() | SF37GHA0G | - | ![]() | 4037 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | (TB) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SF37 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 500 v | 1.7 V @ 3 A | 35 ns | 5 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V,1MHz | |
![]() | SF38GHA0G | - | ![]() | 7281 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | (TB) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SF38 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.7 V @ 3 A | 35 ns | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V,1MHz | |
![]() | SF42GHA0G | - | ![]() | 8523 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | (TB) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SF42 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1 V @ 4 A | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 4a | 100pf @ 4V,1MHz | |
![]() | SF44GHA0G | - | ![]() | 1620年 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | (TB) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SF44 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1 V @ 4 A | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 4a | 100pf @ 4V,1MHz | |
![]() | SF46G A0G | - | ![]() | 4296 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SF46 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 4 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 4a | 80pf @ 4V,1MHz | |
![]() | SF46GHA0G | - | ![]() | 7384 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | (TB) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | SF46 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 4 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 4a | 80pf @ 4V,1MHz | |
![]() | sft11gha0g | - | ![]() | 5901 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | 汽车,AEC-Q101 | (TB) | 积极的 | 通过洞 | T-18,轴向 | SFT11 | 标准 | TS-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V,1MHz | |
![]() | SFT13G A0G | - | ![]() | 6081 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | T-18,轴向 | SFT13 | 标准 | TS-1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | 1a | 20pf @ 4V,1MHz |
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