SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
RGP02-17E-M3S/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-17E-M3S/73 -
RFQ
ECAD 1708年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP02 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1700 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 1700 V -65°C〜175°C 500mA -
RGP10J-5025M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10J-5025M3/73 -
RFQ
ECAD 2809 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 250 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP30GL-5003E3/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP30GL-5003E3/72 -
RFQ
ECAD 3301 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 * (TB) 过时的 RGP30 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000
TVR06J-5700E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TVR06J-5700E3/73 -
RFQ
ECAD 8170 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 TVR06 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.4 V @ 600 mA 300 µs 10 µA @ 600 V -65°C〜175°C 600mA 15pf @ 4V,1MHz
RF301BM2STL Rohm Semiconductor RF301BM2STL 0.3675
RFQ
ECAD 3396 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 RF301 标准 TO-252 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 930 MV @ 3 A 25 ns 10 µA @ 200 V 150°C (最大) 3a -
RF501BM2STL Rohm Semiconductor RF501BM2STL 1.3400
RFQ
ECAD 60 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 RF501 标准 TO-252 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 920 MV @ 5 A 25 ns 1 µA @ 200 V 150°C (最大) 5a -
RFN3BM6STL Rohm Semiconductor RFN3BM6STL 0.4575
RFQ
ECAD 5939 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 RFN3B 标准 TO-252 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.55 V @ 3 A 30 ns 10 µA @ 600 V 150°C (最大) 3a -
1N4004GPE-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4004GPE-M3/54 -
RFQ
ECAD 2707 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 1N4004 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500
1N4248GP-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4248GP-M3/54 -
RFQ
ECAD 1366 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 1N4248 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500
GP10-4006-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4006-M3/54 -
RFQ
ECAD 7875 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 GP10 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500
GP10G-132M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10G-132M3/54 -
RFQ
ECAD 9645 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
GP10G-138M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10G-138M3/54 -
RFQ
ECAD 2930 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
GP10G-5022M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10G-5022M3/54 -
RFQ
ECAD 5130 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.1 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
GP10K-041M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10K-041M3/54 -
RFQ
ECAD 9825 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.2 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 7pf @ 4V,1MHz
GP10KE-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10KE-M3/54 -
RFQ
ECAD 4157 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.2 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 7pf @ 4V,1MHz
GP10M-5400M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10M-5400M3/54 -
RFQ
ECAD 2683 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.2 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 7pf @ 4V,1MHz
GP10M-7009M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10M-7009M3/54 -
RFQ
ECAD 9467 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.2 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 7pf @ 4V,1MHz
GP15M-024E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP15M-024E3/54 -
RFQ
ECAD 7329 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP15 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1.5 A 3.5 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1.5a 15pf @ 4V,1MHz
SB05-05C-M-TB-EX onsemi SB05-05C-M-TB-EX -
RFQ
ECAD 1807年 0.00000000 Onmi * 胶带和卷轴((tr) 过时的 SB05 - (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 3,000
IDC08S120EX7SA1 Infineon Technologies IDC08S120 EX7SA1 -
RFQ
ECAD 5005 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 大部分 过时的 表面安装 IDC08S120 SIC (碳化硅) 锯箔 下载 (1 (无限) 到达不受影响 SP001155260 Ear99 8541.10.0080 1 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.8 V @ 7.5 A 0 ns 180 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 7.5a 380pf @ 1V,1MHz
STBR3012WY STMicroelectronics STBR3012WY 3.2000
RFQ
ECAD 60 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101,Ecopack®2 管子 积极的 通过洞 DO-247-2 (直线直线) STBR3012 标准 DO-247 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-17097 Ear99 8541.10.0080 30 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.3 V @ 30 A 2 µA @ 1200 V -40°C〜175°C 30a -
STBR6012WY STMicroelectronics STBR6012WY 5.9200
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101,Ecopack®2 管子 积极的 通过洞 DO-247-2 (直线直线) STBR6012 标准 DO-247 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-17098 Ear99 8541.10.0080 30 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.3 V @ 60 A 5 µA @ 1200 V -40°C〜175°C 60a -
VSKY20301608-G4-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKY203030301608-G4-08 0.3600
RFQ
ECAD 52 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 0603((1608)) VSKY20301608 肖特基 CLP1608-2L 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 530 mv @ 2 a 150 µA @ 30 V 125°c (最大) 2a 375pf @ 0v,1MHz
NXPLQSC10650Q WeEn Semiconductors NXPLQSC10650Q -
RFQ
ECAD 1984 0.00000000 Ween半导体 - 管子 上次购买 通过洞 TO-220-2 NXPLQSC SIC (碳化硅) TO-220AC 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1,000 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.85 V @ 10 A 0 ns 230 µA @ 650 V 175°c (最大) 10a 250pf @ 1V,1MHz
NXPSC06650Q WeEn Semiconductors NXPSC06650Q -
RFQ
ECAD 8998 0.00000000 Ween半导体 - 管子 上次购买 通过洞 TO-220-2 nxpsc SIC (碳化硅) TO-220AC 下载 不适用 Ear99 8541.10.0080 1,000 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 6 A 0 ns 200 µA @ 650 V 175°c (最大) 6a 190pf @ 1V,1MHz
NXPSC08650Q WeEn Semiconductors NXPSC08650Q -
RFQ
ECAD 9977 0.00000000 Ween半导体 - 管子 上次购买 通过洞 TO-220-2 nxpsc SIC (碳化硅) TO-220AC 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1,000 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 8 A 0 ns 230 µA @ 650 V 175°c (最大) 8a 260pf @ 1V,1MHz
SDM02M30LP3-7B Diodes Incorporated SDM02M30LP3-7B 0.3800
RFQ
ECAD 301 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 0201(0603公制) SDM02 肖特基 X3-DFN0603-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 30 V 450 mv @ 10 mA 1.6 ns 400 NA @ 30 V -55°C〜150°C 100mA 2.7pf @ 5V,1MHz
PMEG060V030EPDZ Nexperia USA Inc. PMEG060V030EPDZ 0.5500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 表面安装 TO-277,3-PowerDfn PMEG060 肖特基 CFP15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 530 mv @ 3 a 12 ns 200 µA @ 60 V 175°c (最大) 3a 350pf @ 1V,1MHz
FES10J onsemi FES10J 1.3200
RFQ
ECAD 586 0.00000000 Onmi 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn FES10 标准 TO-277-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.8 V @ 10 A 30 ns 5 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 10a 140pf @ 4V,1MHz
IDH06G65C5XKSA2 Infineon Technologies IDH06G65C5XKSA2 3.3200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon技术 COOLSIC™+ 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 IDH06G65 SIC (碳化硅) pg-to220-2-1 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 6 A 0 ns 110 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 6a 190pf @ 1V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库