SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
1N1126R Solid State Inc. 1N1126R 1.9500
RFQ
ECAD 50 0.00000000 固态公司 - 盒子 积极的 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准,反极性 do-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 2383-1N1126R Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.2 V @ 30 A 10 µA @ 400 V -65°C 〜200°C 12a -
SS34-M3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS34-M3/57T 0.5500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC SS34 肖特基 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 850 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 500 mv @ 3 a 500 µA @ 40 V -55°C〜125°C 3a -
BAV19WS-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV19WS-E3-08 0.3000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-76,SOD-323 BAV19 标准 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 100 V 150°C (最大) 250mA 1.5pf @ 0v,1MHz
VS-10BQ030-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10BQ030-M3/5BT 0.3600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB 10BQ030 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3200 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 420 mv @ 1 A 500 µA @ 30 V -55°C〜150°C 1a 2000pf @ 5V,1MHz
1N3164R Microchip Technology 1N3164R 201.6150
RFQ
ECAD 8319 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-205ab,do-9,螺柱 1N3164 标准 DO-205AB(DO-9) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 1N3164RMS Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.55 V @ 940 A 10 mA @ 200 V -65°C 〜200°C 300A -
JANTX1N6079 Microchip Technology JANTX1N6079 41.1000
RFQ
ECAD 4755 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/503 大部分 积极的 通过洞 g,轴向 标准 g,轴向 - 到达不受影响 150-JANTX1N6079 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.5 V @ 37.7 A 30 ns 10 µA @ 50 V -65°C〜155°C 2a -
BAS70-05Q Yangjie Technology BAS70-05Q 0.0220
RFQ
ECAD 300 0.00000000 Yangjie技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-BAS70-05QTR Ear99 3,000
HBL2050RP onsemi HBL2050RP -
RFQ
ECAD 3619 0.00000000 Onmi - 大部分 过时的 - rohs3符合条件 到达不受影响 488-HBL2050RP 过时的 1
SS32 R7 Taiwan Semiconductor Corporation SS32 R7 -
RFQ
ECAD 5445 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 DO-214AB,SMC 肖特基 DO-214AB(SMC) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1801-SS32R7TR Ear99 8541.10.0080 850 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 500 mv @ 3 a 500 µA @ 20 V -55°C〜125°C 3a -
1N5391 NTE Electronics, Inc 1N5391 0.1100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 NTE Electronics,Inc - 积极的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 标准 do-15 下载 Rohs不合规 2368-1N5391 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 50 V 1.4 V @ 1.5 A 5 µA @ 50 V -55°C〜150°C 1.5a 25pf @ 4V,1MHz
SF11GH Taiwan Semiconductor Corporation SF11GH -
RFQ
ECAD 2572 0.00000000 台湾半导体公司 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 标准 DO-204AL(DO-41) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 1801-SF11GHTR Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 950 MV @ 1 A 35 ns 5 µA @ 50 V -55°C〜150°C 1a 20pf @ 4V,1MHz
1N2131AR GeneSiC Semiconductor 1N2131AR 11.7300
RFQ
ECAD 5031 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N2131AR 标准,反极性 do-5 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.1 V @ 60 A 10 µA @ 50 V -65°C 〜200°C 60a -
RB048RSM15STFTL1 Rohm Semiconductor RB048RSM15STFTL1 1.6500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn 肖特基 TO-277A 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 4,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 880 mv @ 8 a 3.7 µA @ 150 V 175°C 8a -
1N3735R Solid State Inc. 1N3735R 21.0000
RFQ
ECAD 50 0.00000000 固态公司 - 盒子 积极的 螺柱坐骑 do-205ab,do-9,螺柱 标准,反极性 do-9 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 2383-1N3735R Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 1.3 V @ 300 A 75 µA @ 100 V -65°C 〜190°C 275a -
BAS21QC-QZ Nexperia USA Inc. BAS21QC-QZ 0.2700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装,可润湿的侧面 3-XDFN暴露垫 BAS21 标准 DFN1412D-3 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 V 150°C 250mA 5pf @ 0v,1MHz
1N645-1 Solid State Inc. 1N645-1 1.5000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 固态公司 - 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 标准 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 2383-1N645-1 Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 225 v 1 V @ 400 MA 50 NA @ 225 V -65°C〜175°C 400mA -
1N3670RA Solid State Inc. 1N3670RA 1.9500
RFQ
ECAD 50 0.00000000 固态公司 - 盒子 积极的 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 标准,反极性 do-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 2383-1N3670RA Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 700 v 1.2 V @ 30 A 10 µA @ 700 V -65°C 〜200°C 22a -
VS-66-8415 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-66-8415 -
RFQ
ECAD 3460 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 上次购买 66-8415 - 112-VS-66-8415 1
JAN1N5802/TR Microchip Technology Jan1n5802/tr 7.6350
RFQ
ECAD 5952 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/477 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 a,轴向 标准 a,轴向 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5802/TR Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 975 MV @ 2.5 A 25 ns 1 µA @ 50 V -65°C〜175°C 2.5a 25pf @ 10V,1MHz
BAT42XV2 onsemi BAT42XV2 -
RFQ
ECAD 2485 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 SC-79,SOD-523F BAT42 肖特基 SOD-523F 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 8,000 小信号= <<200ma(io),任何速度 30 V 1 V @ 200 MA 5 ns 500 na @ 25 V 125°c (最大) 200mA 7pf @ 1V,1MHz
B240-13-G-84 Diodes Incorporated B240-13-G-84 -
RFQ
ECAD 9511 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 DO-214AA,SMB B240 肖特基 SMB - (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 500 mv @ 2 a 500 NA @ 40 V -65°C〜150°C 2a 200pf @ 40V,1MHz
RS3M Taiwan Semiconductor Corporation 3m卢比 0.1638
RFQ
ECAD 1882年 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC 3m卢比 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 500 ns 10 µA @ 1000 V -55°C〜150°C 3a -
JANTXV1N1206A Microchip Technology JANTXV1N1206A 74.9250
RFQ
ECAD 5638 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/260 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N1206 标准 DO-203AA(DO-4) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.35 V @ 38 A 5 µA @ 600 V -65°C〜150°C 12a -
GS1AE-TPS05 Micro Commercial Co GS1AE-TPS05 -
RFQ
ECAD 7794 0.00000000 微商业公司 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 do-214ac,SMA GS1A 标准 Smae - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 353-GS1AE-TPS05TR Ear99 8541.10.0080 6,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 50 V 1.1 V @ 1 A 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
ESH1PB-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH1PB-M3/85A 0.1681
RFQ
ECAD 6620 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-220aa ESH1 标准 DO-220AA(SMP) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 900 mv @ 1 A 25 ns 1 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 1a 25pf @ 4V,1MHz
JAN1N5811US Semtech Corporation Jan1n5811us -
RFQ
ECAD 8136 0.00000000 Semtech Corporation * 大部分 在sic中停产 1N5811 - Jan1n5811uss Ear99 8541.10.0080 1
CD1A50 Microchip Technology CD1A50 6.9000
RFQ
ECAD 9732 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/586 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 肖特基 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CD1A50 Ear99 8541.10.0040 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 600 mV @ 1 A 100 µA @ 50 V -55°C〜125°C 1a -
NSR0340V2T5G onsemi NSR0340V2T5G 0.4300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-79,SOD-523 NSR0340 肖特基 SOD-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 8,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 510 mv @ 200 ma 5 ns 6 µA @ 40 V -55°C〜150°C 250mA 6pf @ 10V,1MHz
RS1GLW Taiwan Semiconductor Corporation RS1GLW 0.3900
RFQ
ECAD 11 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-123W RS1G 标准 SOD-123W 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 1a -
PG300R_R2_00001 Panjit International Inc. PG300R_R2_00001 0.0810
RFQ
ECAD 2760 0.00000000 Panjit International Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 PG300 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 60,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.3 V @ 3 A 150 ns 1 µA @ 50 V -55°C〜150°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库