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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
DFLS240LQ-7 Diodes Incorporated DFLS240LQ-7 0.6600
RFQ
ECAD 6 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 PowerDi®123 DFLS240 肖特基 PowerDi™123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 650 mv @ 3 a 50 µA @ 20 V -55°C〜125°C 2a 90pf @ 10V,1MHz
PDS4150Q-13 Diodes Incorporated PDS4150Q-13 1.5200
RFQ
ECAD 4102 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 PowerDi™5 PDS4150 肖特基 PowerDi™5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 810 MV @ 8 A 10 µA @ 150 V -65°C〜175°C 4a -
PDS560Q-13 Diodes Incorporated PDS560Q-13 0.9900
RFQ
ECAD 9 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 PowerDi™5 PDS560 肖特基 PowerDi™5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 770 mv @ 8 a 150 µA @ 60 V -65°C〜150°C 5a -
PDS760Q-13 Diodes Incorporated PDS760Q-13 0.8200
RFQ
ECAD 12 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 PowerDi™5 PDS760 肖特基 PowerDi™5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 620 MV @ 7 A 200 µA @ 60 V -65°C〜150°C 7a -
DFLS2100Q-7 Diodes Incorporated DFLS2100Q-7 0.7200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 PowerDi®123 DFLS2100 肖特基 PowerDi™123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 860 mv @ 2 a 1 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 2a 36pf @ 5V,1MHz
PD3S230HQ-7 Diodes Incorporated PD3S230HQ-7 0.4800
RFQ
ECAD 20 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 PowerDi™323 PD3S230 肖特基 PowerDi™323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 600 mv @ 2 a 100 µA @ 30 V -55°C〜150°C 2a 40pf @ 10V,1MHz
PD3S230LQ-7 Diodes Incorporated PD3S230LQ-7 0.5800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 PowerDi™323 PD3S230 肖特基 PowerDi™323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 450 mv @ 2 a 1.5 ma @ 30 V -65°C〜125°C 2a 40pf @ 10V,1MHz
RGP02-12E-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-12E-E3/53 -
RFQ
ECAD 3170 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP02 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 1200 V -65°C〜175°C 500mA -
RGP02-12E-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-12E-M3/73 -
RFQ
ECAD 5050 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP02 标准 DO-204AL(DO-41) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 1200 V -65°C〜175°C 500mA -
RGP02-14E-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-14E-E3/53 -
RFQ
ECAD 9059 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP02 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1400 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 1400 V -65°C〜175°C 500mA -
RGP02-15E-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-15E-M3/73 -
RFQ
ECAD 5729 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP02 标准 DO-204AL(DO-41) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1500 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 1500 V -65°C〜175°C 500mA -
RGP02-17EHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-17EHE3/53 -
RFQ
ECAD 4296 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP02 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1700 v 1.8 V @ 100 mA 300 ns 5 µA @ 1700 V -65°C〜175°C 500mA -
RGP10BEHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10BEHE3/53 -
RFQ
ECAD 7738 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10BE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10BE-M3/73 -
RFQ
ECAD 1408 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10B-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10B-M3/73 -
RFQ
ECAD 4826 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10DE-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10DE-E3/53 -
RFQ
ECAD 6535 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10DE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10DE-M3/73 -
RFQ
ECAD 9239 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10DHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10DHE3/53 -
RFQ
ECAD 1665年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10GE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10GE-M3/73 -
RFQ
ECAD 5722 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10J-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10J-E3/53 -
RFQ
ECAD 5145 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10JE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10JE-M3/73 -
RFQ
ECAD 6949 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10JHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10JHE3/53 -
RFQ
ECAD 1656年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10KE-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10KE-E3/53 -
RFQ
ECAD 9148 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RGP10KEHE3/91 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10Kehe3/91 -
RFQ
ECAD 4987 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
RMPG06D-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RMPG06D-E3/53 0.1792
RFQ
ECAD 4706 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 MPG06,轴向 RMPG06 标准 MPG06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C 1a 6.6pf @ 4V,1MHz
RMPG06DHE3_A/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RMPG06DHE3_A/53 0.1792
RFQ
ECAD 9767 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 积极的 通过洞 MPG06,轴向 RMPG06 标准 MPG06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C 1a 6.6pf @ 4V,1MHz
RMPG06GHE3_A/100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RMPG06GHE3_A/100 0.2673
RFQ
ECAD 3371 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 积极的 通过洞 MPG06,轴向 RMPG06 标准 MPG06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 400 V -55°C〜150°C 1a 6.6pf @ 4V,1MHz
CMSH3-40MA TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CMSH3-40MA TR13 PBFRE 0.6300
RFQ
ECAD 286 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA CMSH3 肖特基 SMA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 500 mv @ 3 a 500 µA @ 40 V -65°C〜150°C 3a 280pf @ 4V,1MHz
VS-STD170M12MPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-STD170M12MPBF -
RFQ
ECAD 1870年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 - - STD170 - - - rohs3符合条件 (1 (无限) VSSTD170M12MPBF Ear99 8541.10.0080 2 - - - -
VS-SD1100C30L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD1100C30L 123.9467
RFQ
ECAD 6227 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 DO-200AA,A-PUK SD1100 标准 B-43,曲棍球puk 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSSD1100C30L Ear99 8541.10.0080 3 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 3000 v 1.44 V @ 1500 A -40°C〜150°C 910a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库