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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
VB20150C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB20150C-E3/8W 1.6600
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VB20150 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 10a 1.2 V @ 10 A 150 µA @ 150 V -55°C〜150°C
VB30150C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB30150C-E3/8W 1.0418
RFQ
ECAD 7909 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VB30150 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 15a 1.36 V @ 15 A 200 µA @ 150 V -55°C〜150°C
BYQ28E-200HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYQ28E-200HE3/45 -
RFQ
ECAD 8550 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 BYQ28 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 5a 1.1 V @ 5 A 25 ns 10 µA @ 200 V -40°C〜150°C
BYQ28EB-200HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYQ28EB-200HE3_A/p -
RFQ
ECAD 4726 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB BYQ28 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 5a 1.1 V @ 5 A 25 ns 10 µA @ 200 V -40°C〜150°C
BYQ28EF-100HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYQ28EF-100HE3_A/p -
RFQ
ECAD 3938 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 BYQ28 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 5a 1.1 V @ 5 A 25 ns 10 µA @ 100 V -40°C〜150°C
BYT28-400-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT28-400-E3/45 -
RFQ
ECAD 3655 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 BYT28 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 400 v 5a 1.3 V @ 5 A 50 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C
BYT28F-400-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT28F-400-E3/45 -
RFQ
ECAD 9712 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 BYT28 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 400 v 5a 1.3 V @ 5 A 50 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C
BYT28F-400HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT28F-400HE3_A/p -
RFQ
ECAD 3114 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 BYT28 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 400 v 5a 1.3 V @ 5 A 50 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C
BYV32-200HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV32-200HE3/45 -
RFQ
ECAD 2329 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 Byv32 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 18a 1.15 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C
BYV32-50-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV32-50-E3/45 0.8197
RFQ
ECAD 5030 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 Byv32 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 18a 1.15 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 50 V -65°C〜150°C
BYV32-50HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV32-50HE3/45 -
RFQ
ECAD 8300 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 Byv32 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 18a 1.15 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 50 V -65°C〜150°C
BYVB32-100-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYVB32-100-E3/45 0.8940
RFQ
ECAD 9446 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB BYVB32 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 18a 1.15 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C
BYVB32-150HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYVB32-150HE3_A/p 0.9405
RFQ
ECAD 9908 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB BYVB32 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 18a 1.15 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 150 V -65°C〜150°C
BYVB32-200HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYVB32-200HE3_A/p 0.9405
RFQ
ECAD 5879 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB BYVB32 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 18a 1.15 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C
BYVB32-50-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYVB32-50-E3/45 0.8940
RFQ
ECAD 8652 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB BYVB32 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 18a 1.15 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 50 V -65°C〜150°C
BYVF32-100HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYVF32-100HE3_A/p 1.0725
RFQ
ECAD 2412 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 BYVF32 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 18a 1.15 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜150°C
BYVF32-50-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYVF32-50-E3/45 0.9108
RFQ
ECAD 1085 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 BYVF32 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 18a 1.15 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 50 V -65°C〜150°C
BYVF32-50HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYVF32-50HE3_A/p 1.0725
RFQ
ECAD 3734 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 BYVF32 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 18a 1.15 V @ 20 A 25 ns 10 µA @ 50 V -65°C〜150°C
FEP16ATHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP16ATHE3/45 -
RFQ
ECAD 7660 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 FEP16 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 16a 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C
FEP16CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP16CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 3362 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 FEP16 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 16a 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55°C〜150°C
FEP16GT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP16GT-E3/45 1.5700
RFQ
ECAD 981 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 FEP16 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 400 v 16a 1.3 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55°C〜150°C
FEP16HT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP16HT-E3/45 1.5700
RFQ
ECAD 985 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 FEP16 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 500 v 16a 1.5 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 500 V -55°C〜150°C
FEP16JTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fep16jthe3/45 -
RFQ
ECAD 2536 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 FEP16 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 16a 1.5 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C
FEP6AT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP6AT-E3/45 -
RFQ
ECAD 2335 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 FEP6 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 6a 975 mv @ 3 a 35 ns 5 µA @ 50 V -55°C〜150°C
FEP6ATHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division fep6athe3/45 -
RFQ
ECAD 4819 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 FEP6 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 6a 975 mv @ 3 a 35 ns 5 µA @ 50 V -55°C〜150°C
FEP6BT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP6BT-E3/45 -
RFQ
ECAD 9339 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 FEP6 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 6a 975 mv @ 3 a 35 ns 5 µA @ 100 V -55°C〜150°C
FEP6CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP6CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 7628 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 FEP6 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 6a 975 mv @ 3 a 35 ns 5 µA @ 150 V -55°C〜150°C
FEP6DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP6DT-E3/45 -
RFQ
ECAD 3285 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 FEP6 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 6a 975 mv @ 3 a 35 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C
FEP6DTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP6DTHE3/45 -
RFQ
ECAD 2206 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 FEP6 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 6a 975 mv @ 3 a 35 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C
FEPB16AT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEPB16AT-E3/45 0.8732
RFQ
ECAD 6351 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FEPB16 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 8a 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库