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二极管阵列（（16722）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处
G4S12040BM	-	RFQ	1055	全球电力技术有限公司	-	大部分	积极的	通过洞	TO-247-3		SIC （碳化硅）	TO-247AB	-			供应商不确定	4436-G4S12040BM			1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对普通阴极	1200 v	64.5A（DC）	1.6 V @ 20 A	0 ns	30 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
G4S06516BT	-	RFQ	5550	全球电力技术有限公司	-	大部分	积极的	通过洞	TO-247-3		SIC （碳化硅）	TO-247AB	-			供应商不确定	4436-G4S06516BT			1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对普通阴极	650 v	25.9a（DC）	1.7 V @ 8 A	0 ns	50 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C
G5S12020B	-	RFQ	1876年	全球电力技术有限公司	-	大部分	积极的	通过洞	TO-247-3		SIC （碳化硅）	TO-247AB	-			供应商不确定	4436-G5S12020B			1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对普通阴极	1200 v	33A（DC）	1.7 V @ 10 A	0 ns	50 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
G3S06512B	-	RFQ	9651	全球电力技术有限公司	-	大部分	积极的	通过洞	TO-247-3		SIC （碳化硅）	TO-247AB	-			供应商不确定	4436-G3S06512B			1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对普通阴极	650 v	27A（DC）	1.7 V @ 6 A	0 ns	50 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C
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G5S12040B	-	RFQ	8630	全球电力技术有限公司	-	大部分	积极的	通过洞	TO-247-3		SIC （碳化硅）	TO-247AB	-			供应商不确定	4436-G5S12040B			1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对普通阴极	1200 v	62A（DC）	1.7 V @ 20 A	0 ns	50 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
DD170N36KHPSA1	207.5600	RFQ	8	Infineon技术	-	托盘	积极的	底盘安装	模块	DD170N36	标准	BG-PB34AT-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	8	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对系列连接	3600 v	170a	1.82 V @ 600 A		25 ma @ 3600 V	150°C
40CTQ015	1.1400	RFQ	1	SMC二极管解决方案	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3	40ctq	肖特基	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	-1765-40CTQ015	Ear99	8541.10.0080	8,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	15 v	20a	410 MV @ 20 A		10.5 ma @ 15 V	-55°C〜150°C
689-3	280.3200	RFQ	8890	微芯片技术	-	大部分	积极的	底盘安装	ND	689-3	标准	ND	下载			到达不受影响	150-689-3	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1独立	300 v	15a	1.2 V @ 10 A	500 ns	10 µA @ 300 V	-65°C〜150°C
ST6080A	78.9000	RFQ	3982	微芯片技术	-	大部分	积极的	通过洞	TO-204AA，TO-3	ST60	标准	TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-ST6080A	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对公共阳极	800 v	20a	1 V @ 30 A		10 µA @ 800 V	-65°C〜175°C
681-5	280.3200	RFQ	9582	微芯片技术	-	大部分	积极的	底盘安装	ND	681-5	标准	ND	下载			到达不受影响	150-681-5	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1独立	500 v	15a	1.2 V @ 10 A		10 µA @ 500 V	-65°C〜150°C
681-3	280.3200	RFQ	3470	微芯片技术	-	大部分	积极的	底盘安装	ND	681-3	标准	ND	下载			到达不受影响	150-681-3	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1独立	300 v	15a	1.2 V @ 10 A		10 µA @ 300 V	-65°C〜150°C
ST3020C	63.3000	RFQ	6655	微芯片技术	-	大部分	积极的	通过洞	TO-204AA，TO-3	ST3020	标准	TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-ST3020C	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对普通阴极	200 v	15a	1.2 V @ 15 A		10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C
ST3010C	63.3000	RFQ	4969	微芯片技术	-	大部分	积极的	通过洞	TO-204AA，TO-3	ST3010	标准	TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-ST3010C	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对普通阴极	100 v	15a	1.2 V @ 15 A		10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C
681-1	280.3200	RFQ	3059	微芯片技术	-	大部分	积极的	底盘安装	ND	681-1	标准	ND	下载			到达不受影响	150-681-1	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1独立	100 v	15a	1.2 V @ 10 A		10 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
1N6770	199.5300	RFQ	4223	微芯片技术	-	大部分	积极的	通过洞	TO-257-3	1N6770	标准	TO-257	-			到达不受影响	150-1N6770	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	150 v	8A（DC）	1.06 V @ 8 A	35 ns	10 µA @ 120 V	-
AS3D040120P2	11.7100	RFQ	30	Anbon 半导体（（Int'l）	-	管子	积极的	通过洞	TO-247-3	AS3D04012	SIC （碳化硅）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		4530-AS3D040120P2	Ear99	8541.10.0080	30	没有恢复t> 500mA（IO）	1对普通阴极	1200 v	52A（DC）	1.8 V @ 20 A	0 ns	20 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
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Str40100LFCT_T0_00001	2.0200	RFQ	2	Panjit International Inc.	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3完整包	Str40100	肖特基	ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-STR40100LFCT_T0_00001	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	20a	720 mv @ 20 a		100 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
Str30100CB_R2_00001	1.6700	RFQ	2	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Str30100	肖特基	TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-STR30100CB_R2_00001TR	Ear99	8541.10.0080	800	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	15a	780 mv @ 15 A		50 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
Str40100LCT_T0_00001	2.0600	RFQ	2	Panjit International Inc.	-	管子	积极的	通过洞	TO-220-3	Str40100	肖特基	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-STR40100LCT_T0_00001	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	20a	720 mv @ 20 a		100 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
BAT160S-QX	0.6900	RFQ	1	Nexperia USA Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BAT160	肖特基	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对系列连接	60 V	1a	650 MV @ 1 A		350 µA @ 60 V	150°C
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SBF2060CT	-	RFQ	2476	二极管合并	-	大部分	过时的	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	SBF2060	肖特基	ITO-220AB	下载				31-SBF2060CT	过时的		1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	60 V	20a	750 MV @ 10 A		100 µA @ 60 V	-55°C〜150°C
SBL1660CT-LS	-	RFQ	4198	二极管合并	-	大部分	过时的	通过洞	TO-220-3完整包	SBL1660	肖特基	TO-220AB	下载				31-SBL1660CT-LS	过时的		1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	60 V	16a	700 mv @ 8 a		150 µA @ 60 V	-55°C〜125°C
MBR2545CT-LS	-	RFQ	4520	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	过时的	通过洞	TO-220-3完整包	MBR2545	肖特基	TO-220AB	下载				31-MBR2545CT-LS	过时的		1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	45 v	30a	820 mv @ 30 a		200 µA @ 45 V	-65°C〜175°C
MBR1060CT_HF	-	RFQ	6094	二极管合并	-	大部分	过时的	通过洞	TO-220-3	MBR106	肖特基	TO-220-3	-				31-MBR1060CT_HF	过时的		1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	60 V	5a	750 MV @ 5 A		100 µA @ 60 V	150°C
MBR2060CT-LS	-	RFQ	3039	二极管合并	汽车，AEC-Q101	大部分	过时的	通过洞	TO-220-3完整包		肖特基	TO-220AB	下载				31-MBR2060CT-LS	过时的		1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	60 V	10a	810 MV @ 10 A		100 µA @ 60 V	-55°C〜150°C
nrvbb3030ctlt4g	-	RFQ	8218	Onmi	-	大部分	过时的			NRVBB3030			下载				488-NRVB3030CTLT4G	过时的		1
NRVBB30H60CTT4G-MC01	-	RFQ	9098	Onmi	-	大部分	上次购买			NRVBB30			-				488-NRVBB30H60CTT4G-MC01	Ear99	8541.10.0080	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管阵列（（16722）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²