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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SBE808-TL-E | - | ![]() | 3072 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 6-SMD(5条线),平坦的铅 | SBE808 | 肖特基 | 5-MCPH | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 15 v | 1a | 540 mv @ 1 a | 10 ns | 3 µA @ 6 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | Murb2020Cttrl | - | ![]() | 3983 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | Murb2020 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 850 mv @ 8 a | 35 ns | 15 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | ||
![]() | G3S06560B | 37.5400 | ![]() | 2593 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 650 v | 95A(DC) | 1.7 V @ 30 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | ||||
![]() | V20D202C-M3/i | 2.9500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ESMP®,TMBS® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) | V20D202 | 肖特基 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 900 mv @ 10 a | 150 µA @ 200 V | -40°C〜175°C | ||||
![]() | MUR40010CTR | 132.0780 | ![]() | 5948 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MUR40010 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR40010CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 100 v | 200a | 1.3 V @ 125 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | VS-16CTQ100-1PBF | - | ![]() | 9865 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | 16CTQ100 | 肖特基 | TO-262-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 8a | 720 MV @ 8 A | 550 µA @ 100 V | -55°C 〜175°C | |||
STPS40L45CT | 2.3100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | STPS40 | 肖特基 | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 20a | 530 mv @ 20 a | 600 µA @ 45 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | MBRB2050CT-E3/81 | - | ![]() | 9790 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB20 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 50 V | 10a | 800 mv @ 10 a | 150 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | MBR1535CT | 0.5330 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 固态公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | 肖特基 | TO-220 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2383-MBR1535CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 35 v | 15a | - | |||||
![]() | APT30D20BCAG | 6.0700 | ![]() | 1610 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | APT30 | 标准 | TO-247 [B] | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 200 v | 30a | 1.3 V @ 30 A | 24 ns | 250 µA @ 200 V | -55°C 〜175°C | ||
![]() | BYT28B-400-E3/81 | - | ![]() | 6559 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | BYT28 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 400 v | 5a | 1.3 V @ 5 A | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -40°C〜150°C | ||
![]() | SBR4040CTFP | - | ![]() | 5494 | 0.00000000 | 二极管合并 | SBR® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SBR4040 | 超级障碍 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 20a | 530 mv @ 20 a | 500 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | VS-8CSH01HM3/87A | 0.4146 | ![]() | 2775 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101,Fredpt® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | 8CSH01 | 标准 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 4a | 950 MV @ 4 A | 25 ns | 2 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | ||
![]() | MBRT600150 | 140.2020 | ![]() | 7951 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 300A | 880 mv @ 300 A | 1 ma @ 150 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | SDT30A100CTFP | 0.8800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SDT30 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | SDT30A100CTFPDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 15a | 730 MV @ 15 A | 100 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | TSF20H150C | 2.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | TSF20 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 10a | 750 MV @ 10 A | 100 µA @ 150 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MBR200200CTR | 90.1380 | ![]() | 5931 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 双子塔 | MBR200200 | 肖特基 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 200 v | 100a | 920 MV @ 100 A | 3 ma @ 200 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | MBR1045FCT-BP | 0.3373 | ![]() | 2100 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3隔离选项卡 | MBR104 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | 353-MBR1045FCT-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 10a | 100 µA @ 45 V | -50°C〜150°C | ||||||
![]() | F1827CAD600 | - | ![]() | 7308 | 0.00000000 | sensata-crydom | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对公共阳极 | 600 v | 25A(DC) | 1.55 V @ 75 A | -40°C〜125°C | ||||||
![]() | NTST40100CTG | 2.5600 | ![]() | 160 | 0.00000000 | Onmi | - | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-220-3 | NTST40100 | 肖特基 | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 20a | 800 mv @ 20 a | 12 µA @ 70 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | BAW56WT-TP | 0.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | BAW56 | 标准 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 75 v | 150mA(DC) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 2.5 µA @ 75 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | UFT10010 | - | ![]() | 3578 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | TO-249AB | 标准 | TO-249AB | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 50a | 1 V @ 50 A | 60 ns | 25 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||
![]() | DD100N16SHPSA1 | 29.6800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD100N16 | 标准 | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12 | 1对系列连接 | 1600 v | 130a | |||||||
![]() | SRF1630 C0G | - | ![]() | 3592 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SRF1630 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 16a | 550 mv @ 8 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | |||
![]() | VS-MBRB2080CTTRRP | - | ![]() | 5657 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB20 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSMBRB2080CTTRRP | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 10a | 800 mv @ 10 a | 100 µA @ 80 V | -65°C〜150°C | ||
![]() | NSR0230P2T5H | 0.0700 | ![]() | 77 | 0.00000000 | Onmi | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1,500 | |||||||||||||||
dpg30c300pc-trl | 2.6119 | ![]() | 3620 | 0.00000000 | ixys | Hiperfred²™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | DPG30C300 | 标准 | TO-263AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 300 v | 15a | 1.26 V @ 15 A | 35 ns | 1 µA @ 300 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | UB16BCT-E3/4W | - | ![]() | 3690 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | UB16 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 8a | 1.1 V @ 8 A | 80 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | V20PWM153CHM3/i | 0.4950 | ![]() | 8516 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 肖特基 | Slimdpak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 112-V20PWM153CHM3/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 10a | 980 mv @ 10 a | 100 µA @ 150 V | -40°C〜175°C | |||
![]() | SMBD7000E6327HTSA1 | 0.4500 | ![]() | 73 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SMBD7000 | 标准 | PG-SOT23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 100 v | 200ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 NA @ 100 V | 150°C (最大) |
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