SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处
MBRB3045CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB3045CT-E3/45 1.9000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB3045 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 600 mv @ 20 a 1 mA @ 45 V -65°C〜150°C
MBRT60040RL GeneSiC Semiconductor MBRT60040RL -
RFQ
ECAD 4824 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 40 V 300A 600 MV @ 300 A 5 ma @ 40 V -55°C〜150°C
LSIC2SD120N80PA IXYS LSIC2SD120N80PA 81.6000
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ECAD 6593 0.00000000 ixys - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 LSIC2SD120 SIC (碳化硅) SOT -227B -MiniBLOC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 238-LSIC2SD120N80PA Ear99 8541.10.0080 10 没有恢复t> 500mA(IO) 2独立 1200 v 75A(DC) 1.8 V @ 40 A 0 ns 100 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
VS-HFA30TA60CSTRRP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA30TA60CSTRRP -
RFQ
ECAD 1364 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 hexfred® 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB HFA30 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 15a 1.7 V @ 15 A 60 ns 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C
CDBV3-40S-G Comchip Technology CDBV3-40S-G 0.0640
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ECAD 1672年 0.00000000 comchip技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-70,SOT-323 CDBV3-40 肖特基 SOT-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对系列连接 40 V 200mA 1 V @ 40 mA 5 ns 200 na @ 30 V 125°c (最大)
IRKD56/10A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKD56/10A -
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ECAD 7666 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 底盘安装 Add-a-pak(3) irkd56 标准 Add-a-Pak® 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1000 v 60a 10 mA @ 1000 V
BAT54S/6215 NXP USA Inc. BAT54/6215 0.0300
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ECAD 61 0.00000000 NXP USA Inc. * 大部分 积极的 BAT54 下载 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0070 3,000
VS-12CTQ040PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CTQ040PBF -
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ECAD 3298 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3 12CTQ040 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 6a 600 mv @ 6 a 800 µA @ 40 V -55°C 〜175°C
VS-16CTQ080STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ080STRLPBF -
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ECAD 6967 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 16CTQ080 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS16CTQ080STRLPBF Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 8a 880 mv @ 16 A 550 µA @ 80 V 175°c (最大)
VS-MBRB3045CTL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB3045CTL-M3 0.8344
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ECAD 3284 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB3045 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 760 mv @ 30 a 1 mA @ 45 V -55°C〜150°C
MBR20100CTP Diodes Incorporated MBR20100CTP -
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ECAD 5334 0.00000000 二极管合并 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3隔离选项卡 MBR20100CT 肖特基 ITO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 10a 850 mv @ 10 A 100 µA @ 100 V -65°C〜175°C
MBRB1560CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1560CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 8644 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB15 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 7.5a 750 MV @ 7.5 A 1 mA @ 60 V -65°C〜150°C
VS-MBR1545CT-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR1545CT-N3 -
RFQ
ECAD 2711 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR15 肖特基 TO-220-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSMBR1545CTN3 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 7.5a 570 mv @ 7.5 A 100 µA @ 45 V -65°C〜150°C
APT30D100BHBG Microchip Technology APT30D100BHBG 6.2900
RFQ
ECAD 1309 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 APT30 标准 TO-247 [B] 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对系列连接 1000 v 18a 2.3 V @ 30 A 290 ns 250 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C
MBRF2045CT-JT Diodes Incorporated MBRF2045CT-JT -
RFQ
ECAD 1989 0.00000000 二极管合并 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 MBRF2045CT-JTDI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 10a 640 mv @ 10 a 100 µA @ 60 V -55°C〜150°C
SBR3060CTFP Diodes Incorporated SBR3060CTFP 1.2500
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ECAD 51 0.00000000 二极管合并 SBR® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 SBR3060 超级障碍 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 SBR3060CTFPDI Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 550 mv @ 15 A 500 µA @ 60 V -65°C〜150°C
DD230S20KHPSA1 Infineon Technologies DD230S20KHPSA1 -
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ECAD 3090 0.00000000 Infineon技术 - 大部分 过时的 底盘安装 模块 标准 模块 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 2000 v 261a 1.74 V @ 800 A 160 ma @ 2000 V 150°C
BAW56 onsemi BAW56 -
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ECAD 7183 0.00000000 Onmi - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAW56 标准 SOT-23-3 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对公共阳极 85 v 200mA 1.25 V @ 150 mA 6 ns 2.5 µA @ 70 V 150°C (最大)
VI30100C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI30100C-E3/4W 1.8900
RFQ
ECAD 915 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VI30100 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 15a 800 mv @ 15 A 500 µA @ 100 V -40°C〜150°C
STTH8003CY STMicroelectronics stth8003cy 10.7800
RFQ
ECAD 508 0.00000000 Stmicroelectronics Q汽车 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 Stth8003 标准 Max247™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 300 v 40a 1.25 V @ 40 A 60 ns 80 µA @ 300 V 175°c (最大)
88CNQ060SL SMC Diode Solutions 88CNQ060SL 14.8104
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ECAD 8111 0.00000000 SMC二极管解决方案 - 大部分 积极的 表面安装 PRM2-SL 88cnq 肖特基 PRM2-SL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 88CNQ060SLSMC Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 40a 770 mv @ 40 a 640 µA @ 60 V -55°C 〜175°C
MUR40005CTR GeneSiC Semiconductor MUR40005CTR -
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ECAD 3094 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 双子塔 标准 双子塔 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) MUR40005CTRGN Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 50 V 200a 1.3 V @ 125 A 90 ns 25 µA @ 50 V -55°C〜150°C
BAV170 Diodes Incorporated BAV170 -
RFQ
ECAD 5039 0.00000000 二极管合并 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAV170 标准 SOT-23-3 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 1对普通阴极 85 v 125mA(dc) 1.1 V @ 50 mA 3 µs 5 na @ 75 V -65°C〜150°C
MBR25H35CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR25H35CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 3877 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR25 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 15a 640 mv @ 15 A 100 µA @ 35 V -65°C〜175°C
SBL4035PT Diodes Incorporated SBL4035PT -
RFQ
ECAD 2250 0.00000000 二极管合并 - 管子 过时的 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 SBL4035 肖特基 to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 40a 580 mv @ 20 a 1 mA @ 35 V -55°C〜125°C
VS-30CTQ060SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ060SPBF -
RFQ
ECAD 4119 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 30CTQ060 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 620 MV @ 15 A 800 µA @ 60 V -55°C〜150°C
VS-30CTH03PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTH03PBF -
RFQ
ECAD 6442 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-3 30cth03 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 300 v 15a 1.25 V @ 15 A 36 NS 40 µA @ 300 V -65°C〜175°C
MBRT60020RL GeneSiC Semiconductor MBRT60020RL -
RFQ
ECAD 2670 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 底盘安装 三个塔 肖特基 三个塔 - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对公共阳极 20 v 300A 580 mv @ 300 A 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
MSRT100120D GeneSiC Semiconductor MSRT100120D 87.1935
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ECAD 5976 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 底盘安装 三个塔 MSRT100 标准 三个塔 下载 rohs3符合条件 1242-MSRT100120D Ear99 8541.10.0080 40 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 1200 v 100a 1.1 V @ 100 A 10 µA @ 1200 V -55°C〜150°C
30CPQ100 SMC Diode Solutions 30CPQ100 1.8400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 SMC二极管解决方案 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 30cpq 肖特基 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 1655-1010 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v - 860 mv @ 15 A 550 µA @ 100 V -55°C 〜175°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库