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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MBRB3045CT-E3/45 | 1.9000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB3045 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 15a | 600 mv @ 20 a | 1 mA @ 45 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | MBRT60040RL | - | ![]() | 4824 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 40 V | 300A | 600 MV @ 300 A | 5 ma @ 40 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | LSIC2SD120N80PA | 81.6000 | ![]() | 6593 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | SOT-227-4,迷你布洛克 | LSIC2SD120 | SIC (碳化硅) | SOT -227B -MiniBLOC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 238-LSIC2SD120N80PA | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 2独立 | 1200 v | 75A(DC) | 1.8 V @ 40 A | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | |
![]() | VS-HFA30TA60CSTRRP | - | ![]() | 1364 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | hexfred® | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | HFA30 | 标准 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 15a | 1.7 V @ 15 A | 60 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | ||
![]() | CDBV3-40S-G | 0.0640 | ![]() | 1672年 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | CDBV3-40 | 肖特基 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 40 V | 200mA | 1 V @ 40 mA | 5 ns | 200 na @ 30 V | 125°c (最大) | ||
![]() | IRKD56/10A | - | ![]() | 7666 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | Add-a-pak(3) | irkd56 | 标准 | Add-a-Pak® | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1000 v | 60a | 10 mA @ 1000 V | |||||
![]() | BAT54/6215 | 0.0300 | ![]() | 61 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 大部分 | 积极的 | BAT54 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | ||||||||||||||
![]() | VS-12CTQ040PBF | - | ![]() | 3298 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3 | 12CTQ040 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 6a | 600 mv @ 6 a | 800 µA @ 40 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | VS-16CTQ080STRLPBF | - | ![]() | 6967 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 16CTQ080 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VS16CTQ080STRLPBF | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 80 V | 8a | 880 mv @ 16 A | 550 µA @ 80 V | 175°c (最大) | ||
![]() | VS-MBRB3045CTL-M3 | 0.8344 | ![]() | 3284 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB3045 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 15a | 760 mv @ 30 a | 1 mA @ 45 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | MBR20100CTP | - | ![]() | 5334 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3隔离选项卡 | MBR20100CT | 肖特基 | ITO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 10a | 850 mv @ 10 A | 100 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | |||
![]() | MBRB1560CTHE3/45 | - | ![]() | 8644 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MBRB15 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 7.5a | 750 MV @ 7.5 A | 1 mA @ 60 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | VS-MBR1545CT-N3 | - | ![]() | 2711 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR15 | 肖特基 | TO-220-3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | VSMBR1545CTN3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 7.5a | 570 mv @ 7.5 A | 100 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | ||
![]() | APT30D100BHBG | 6.2900 | ![]() | 1309 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | APT30 | 标准 | TO-247 [B] | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 1000 v | 18a | 2.3 V @ 30 A | 290 ns | 250 µA @ 1000 V | -55°C 〜175°C | ||
![]() | MBRF2045CT-JT | - | ![]() | 1989 | 0.00000000 | 二极管合并 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | 肖特基 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | MBRF2045CT-JTDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 10a | 640 mv @ 10 a | 100 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | SBR3060CTFP | 1.2500 | ![]() | 51 | 0.00000000 | 二极管合并 | SBR® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | SBR3060 | 超级障碍 | ITO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | SBR3060CTFPDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 15a | 550 mv @ 15 A | 500 µA @ 60 V | -65°C〜150°C | ||
![]() | DD230S20KHPSA1 | - | ![]() | 3090 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 2000 v | 261a | 1.74 V @ 800 A | 160 ma @ 2000 V | 150°C | |||||
![]() | BAW56 | - | ![]() | 7183 | 0.00000000 | Onmi | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAW56 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 85 v | 200mA | 1.25 V @ 150 mA | 6 ns | 2.5 µA @ 70 V | 150°C (最大) | |||
![]() | VI30100C-E3/4W | 1.8900 | ![]() | 915 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | TMBS® | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | VI30100 | 肖特基 | TO-262AA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 15a | 800 mv @ 15 A | 500 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | |||
![]() | stth8003cy | 10.7800 | ![]() | 508 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Q汽车 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-247-3 | Stth8003 | 标准 | Max247™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 300 v | 40a | 1.25 V @ 40 A | 60 ns | 80 µA @ 300 V | 175°c (最大) | ||
![]() | 88CNQ060SL | 14.8104 | ![]() | 8111 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | PRM2-SL | 88cnq | 肖特基 | PRM2-SL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 88CNQ060SLSMC | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 40a | 770 mv @ 40 a | 640 µA @ 60 V | -55°C 〜175°C | ||
![]() | MUR40005CTR | - | ![]() | 3094 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 双子塔 | 标准 | 双子塔 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | MUR40005CTRGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 50 V | 200a | 1.3 V @ 125 A | 90 ns | 25 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | |||
BAV170 | - | ![]() | 5039 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BAV170 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 85 v | 125mA(dc) | 1.1 V @ 50 mA | 3 µs | 5 na @ 75 V | -65°C〜150°C | |||
![]() | MBR25H35CTHE3/45 | - | ![]() | 3877 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | MBR25 | 肖特基 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 15a | 640 mv @ 15 A | 100 µA @ 35 V | -65°C〜175°C | |||
![]() | SBL4035PT | - | ![]() | 2250 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | SBL4035 | 肖特基 | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 35 v | 40a | 580 mv @ 20 a | 1 mA @ 35 V | -55°C〜125°C | |||
![]() | VS-30CTQ060SPBF | - | ![]() | 4119 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 在sic中停产 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | 30CTQ060 | 肖特基 | TO-263AB(D²Pak) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 60 V | 15a | 620 MV @ 15 A | 800 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | |||
![]() | VS-30CTH03PBF | - | ![]() | 6442 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | Fredpt® | 管子 | 在sic中停产 | 通过洞 | TO-220-3 | 30cth03 | 标准 | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 300 v | 15a | 1.25 V @ 15 A | 36 NS | 40 µA @ 300 V | -65°C〜175°C | ||
![]() | MBRT60020RL | - | ![]() | 2670 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 底盘安装 | 三个塔 | 肖特基 | 三个塔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对公共阳极 | 20 v | 300A | 580 mv @ 300 A | 3 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | ||||||
![]() | MSRT100120D | 87.1935 | ![]() | 5976 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘安装 | 三个塔 | MSRT100 | 标准 | 三个塔 | 下载 | rohs3符合条件 | 1242-MSRT100120D | Ear99 | 8541.10.0080 | 40 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1对系列连接 | 1200 v | 100a | 1.1 V @ 100 A | 10 µA @ 1200 V | -55°C〜150°C | ||||
![]() | 30CPQ100 | 1.8400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | 30cpq | 肖特基 | TO-247AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | 1655-1010 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | - | 860 mv @ 15 A | 550 µA @ 100 V | -55°C 〜175°C |
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