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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电流 -io(io) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VUO82-08NO7 | 36.1120 | ![]() | 2649 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | PWS-D | VUO82 | 标准 | PWS-D | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.6 V @ 150 A | 300 µA @ 800 V | 88 a | 三期 | 800 v | ||
![]() | CDBHM260L-G | 0.3335 | ![]() | 2363 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | TO-269AA,4-Besop | CDBHM260 | 肖特基 | MBS-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 700 mv @ 2 a | 1 mA @ 60 V | 2 a | 单相 | 60 V | ||
![]() | B80C1000G-E4/51 | 0.6100 | ![]() | 635 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4圆形,沃格 | B80 | 标准 | 沃格 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 125 V | 1 a | 单相 | 125 v | ||
![]() | ABS10 | 0.0480 | ![]() | 8014 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | 标准 | 腹肌 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2796-ABS10TR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.1 V @ 800 mA | 5 µA @ 1000 V | 800 MA | 单相 | 1 kV | |||
GBLA02-M3/45 | - | ![]() | 3434 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,gbl | GBLA02 | 标准 | GBL | 下载 | (1 (无限) | 112-GBLA02-M3/45 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 200 V | 4 a | 单相 | 200 v | ||||
![]() | GBPC1510 | 5.2300 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | GBPC15 | 标准 | GBPC | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | GBPC1510FS | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 1000 V | 15 a | 单相 | 1 kV | |
MB151 | - | ![]() | 5337 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方,MB | MB151 | 标准 | MB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 100 V | 15 a | 单相 | 100 v | |||
![]() | VUO86-12NO7 | 18.1300 | ![]() | 6449 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | Eco-PAC1 | VUO86 | 标准 | Eco-PAC1 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1.14 V @ 30 A | 40 µA @ 1200 V | 86 a | 三期 | 1.2 kV | ||
![]() | VBO20-08NO2 | - | ![]() | 7223 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,fo-a | VBO20 | 标准 | fo-a | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 1.8 V @ 55 A | 300 µA @ 800 V | 31 a | 单相 | 800 v | ||
![]() | B250C800G-E4/51 | 0.6100 | ![]() | 7729 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4圆形,沃格 | B250 | 标准 | 沃格 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 900 MA | 10 µA @ 400 V | 900 MA | 单相 | 400 v | ||
DBLS205G C1G | - | ![]() | 9616 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | DBLS205 | 标准 | DBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.15 V @ 2 A | 2 µA @ 600 V | 2 a | 单相 | 600 v | |||
![]() | VBO22-18NO8 | 13.0172 | ![]() | 3621 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,fo-b | VBO22 | 标准 | fo-b | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 2.2 V @ 150 A | 300 µA @ 1800 V | 21 a | 单相 | 1.8 kV | ||
![]() | MP506 | - | ![]() | 3738 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 过时的 | -50°C〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,MP-50 | MP506 | 标准 | MP-50 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.2 V @ 25 A | 10 µA @ 600 V | 50 a | 单相 | 600 v | ||
![]() | GBJ5006 | 1.5400 | ![]() | 7861 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie电子技术有限公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBJ | 标准 | GBJ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 750 | 1 V @ 25 A | 5 µA @ 600 V | 50 a | 单相 | 600 v | ||||
![]() | TS10K40-A | 0.9300 | ![]() | 149 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS4K | TS10K40 | 标准 | TS4K | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 5 A | 10 µA @ 400 V | 10 a | 单相 | 400 v | ||
![]() | NTE5306 | 2.1600 | ![]() | 714 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4圆 | 标准 | - | 下载 | Rohs不合规 | 2368-NTE5306 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 800 V | 1.5 a | 单相 | 800 v | ||||
![]() | 2KBP01M-E4/51 | - | ![]() | 4682 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 托盘 | 过时的 | -55°C〜165°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbpm | 2KBP01 | 标准 | kbpm | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 100 V | 2 a | 单相 | 100 v | ||
![]() | FUO50-16N | 22.1800 | ![]() | 408 | 0.00000000 | ixys | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | I4-PAC™-5 | fuo50 | 标准 | ISOPLUS I4-PAC™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | FUO5016N | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 1.15 V @ 15 A | 20 µA @ 1600 V | 50 a | 三期 | 1.6 kV | |
![]() | NTE5301 | 1.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NTE Electronics,Inc | - | 包 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-ESIP | 标准 | 4-sip | 下载 | rohs3符合条件 | 2368-NTE5301 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 8 A | 5 µA @ 600 V | 8 a | 单相 | 600 v | ||||
![]() | GBS4B | 0.9390 | ![]() | 1 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip | 标准 | 4-sip | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2721-GBS4B | 8541.10.0000 | 500 | 1.05 V @ 2 A | 5 µA @ 100 V | 2.3 a | 单相 | 100 v | ||||
![]() | VUO22-14NO1 | - | ![]() | 8038 | 0.00000000 | ixys | - | 盒子 | 过时的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | v1-a | VUO22 | 标准 | v1-a | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 24 | 1.19 V @ 10 A | 10 µA @ 1400 V | 25 a | 三期 | 1.4 kV | ||
![]() | GBPC2510 | 2.6600 | ![]() | 45 | 0.00000000 | 涌 | - | 包 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | 标准 | GBPC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2616-GBPC2510 | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 1000 V | 25 a | 单相 | 1 kV | ||
![]() | DF1508S-G | 0.2210 | ![]() | 3442 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | DF1508 | 标准 | DFS | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1.5 A | 10 µA @ 800 V | 1.5 a | 单相 | 800 v | ||
![]() | GBJ802 | - | ![]() | 1085 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 管子 | 在sic中停产 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBJ | 标准 | GBJ | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | GBJ802DI | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 200 V | 8 a | 单相 | 200 v | ||
MB356-F | - | ![]() | 2245 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 大部分 | 在sic中停产 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方,MB | MB356 | 标准 | MB | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | MB356-FDI | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.2 V @ 17.5 A | 10 µA @ 600 V | 35 a | 单相 | 600 v | ||
GSIB15A60N-M3/45 | 1.6650 | ![]() | 8651 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GSIB-5 | GSIB15 | 标准 | GSIB-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 600 V | 15 a | 单相 | 600 v | |||
![]() | GBPC1504 | 5.4300 | ![]() | 90 | 0.00000000 | Onmi | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | GBPC15 | 标准 | GBPC | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | GBPC1504F | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 400 V | 15 a | 单相 | 400 v | |
![]() | KBPC3500WP | 2.0900 | ![]() | 7097 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方,KBPC | KBPC3500 | 标准 | KBPC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | 2721-KBPC3500WP | Ear99 | 1 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 50 V | 35 a | 单相 | 50 V | ||
![]() | 2W02G-E4/51 | 0.8000 | ![]() | 364 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4圆形,沃格 | 2W02 | 标准 | 沃格 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1.1 V @ 2 A | 5 µA @ 200 V | 2 a | 单相 | 200 v | ||
![]() | C50VB160-G | - | ![]() | 1806年 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 4平方英尺,CVB | 标准 | CVB | - | 641-C50VB160-G | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 25 A | 100 µA @ 1600 V | 50 a | 单相 | 1.6 kV |
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