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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电流 -io(io) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GBJ25B | 0.9795 | ![]() | 1534年 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBJ | GBJ25 | 标准 | GBJ | 下载 | rohs3符合条件 | 1242-GBJ25B | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.05 V @ 12.5 A | 10 µA @ 100 V | 25 a | 单相 | 100 v | |||
![]() | DB101 | 0.0936 | ![]() | 1801年 | 0.00000000 | SMC二极管解决方案 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) | DB101 | 标准 | DB-M | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 50 V | 1 a | 单相 | 50 V | ||
![]() | KBPC1510W | 2.1825 | ![]() | 5560 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 4平方英尺,KBPC-W | KBPC1510 | 标准 | KBPC-W | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 1000 V | 15 a | 单相 | 1 kV | |||
![]() | KBJA802-bp | 0.4017 | ![]() | 6263 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜150°C | 通过洞 | 4-SIP,JB | KBJA802 | 标准 | JB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 1.1 V @ 4 A | 10 µA @ 200 V | 8 a | 单相 | 200 v | ||
BU1506-E3/51 | 2.5400 | ![]() | 8428 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,bu | BU1506 | 标准 | ISOCINK+™BU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05 V @ 7.5 A | 5 µA @ 600 V | 3.4 a | 单相 | 600 v | |||
![]() | GBJ1002-F | 1.7300 | ![]() | 102 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 管子 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBJ | GBJ1002 | 标准 | GBJ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.05 V @ 5 A | 10 µA @ 200 V | 10 a | 单相 | 200 v | ||
![]() | GBU1002 | 1.4890 | ![]() | 6351 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU1002 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 5 A | 5 µA @ 200 V | 10 a | 单相 | 200 v | ||
![]() | 2W01G-E4/51 | 0.8200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4圆形,沃格 | 2W01 | 标准 | 沃格 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1.1 V @ 2 A | 5 µA @ 100 V | 2 a | 单相 | 100 v | ||
![]() | GBU606-G | 0.9200 | ![]() | 1932年 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU606 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 3 A | 10 µA @ 600 V | 6 a | 单相 | 600 v | ||
![]() | MB2S | - | ![]() | 5890 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | MB2 | 标准 | MD-S | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.05 V @ 400 mA | 5 µA @ 200 V | 500 MA | 单相 | 200 v | |||||
![]() | EFG15F | - | ![]() | 4629 | 0.00000000 | sensata-crydom | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | 标准 | 模块 | 下载 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.4 V @ 100 A | 125 a | 单相 | 1.2 kV | |||||
![]() | VS-2KBB80R | 1.7300 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,2KBB | 2KBB80 | 标准 | 2KBB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 1.9 A | 10 µA @ 800 V | 1.9 a | 单相 | 800 v | ||
![]() | KBL601 | 0.6800 | ![]() | 5354 | 0.00000000 | 美国直发 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBL | 标准 | KBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2516-KBL601 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,600 | 1.1 V @ 6 A | 10 µA @ 50 V | 6 a | 单相 | 50 V | |||
GBPC3506 | 2.1600 | ![]() | 1879年 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie电子技术有限公司 | - | 盒子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 4平方英尺,GBPC | 标准 | GBPC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 600 V | 35 a | 单相 | 600 v | |||||
GSIB2040N-M3/45 | 1.8371 | ![]() | 6098 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GSIB-5 | GSIB2040 | 标准 | GSIB-5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 400 V | 20 a | 单相 | 400 v | |||
![]() | GBJ1008-F | 1.6693 | ![]() | 7086 | 0.00000000 | 二极管合并 | - | 管子 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBJ | GBJ1008 | 标准 | GBJ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.05 V @ 5 A | 10 µA @ 800 V | 10 a | 单相 | 800 v | ||
![]() | GBL08-M3/45 | 0.8804 | ![]() | 7080 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,gbl | GBL08 | 标准 | GBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1 V @ 2 A | 10 µA @ 800 V | 4 a | 单相 | 800 v | ||
![]() | BR2510L | 1.7800 | ![]() | 1125 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie电子技术有限公司 | - | 盒子 | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4- esip,带散热器 | 标准 | br-l | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 120 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 1000 V | 25 a | 单相 | 1 kV | ||||
![]() | CBR35-100PW | - | ![]() | 6969 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,fpw | 标准 | 4盘FPW | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.2 V @ 17.5 A | 10 µA @ 1000 V | 35 a | 单相 | 1 kV | |||||
![]() | KBJ4005G | 0.5160 | ![]() | 5366 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBJ | KBJ4005 | 标准 | KBJ | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | KBJ4005GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.1 V @ 4 A | 5 µA @ 50 V | 4 a | 单相 | 50 V | ||
![]() | B80C3700A | 1.3425 | ![]() | 6 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip | 标准 | 4-sip | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2796-B80C3700A | 8541.10.0000 | 500 | 1 V @ 3 A | 5 µA @ 160 V | 2.7 a | 单相 | 160 v | ||||
![]() | PB2506 | 1.1040 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Yangjie技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,PB | 标准 | pb | - | Rohs符合条件 | 到达不受影响 | 4617-PB2506 | Ear99 | 750 | 1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 600 V | 25 a | 单相 | 600 v | ||||
GBPC2501M T0G | - | ![]() | 4132 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC-M | GBPC2501 | 标准 | GBPC-M | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 100 V | 25 a | 单相 | 100 v | |||
![]() | CBR1A-060 | - | ![]() | 1725年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4圆,一个情况 | 标准 | 案件 | 下载 | (1 (无限) | CBR1A-060 PBFRE | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 600 V | 1.5 a | 单相 | 600 v | ||||
![]() | CBR10-J090 | - | ![]() | 7434 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,厘米 | 标准 | 厘米 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.2 V @ 5 A | 10 µA @ 100 V | 5 a | 单相 | 100 v | |||||
![]() | MB12S | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-269AA,4-Besop | 标准 | TO-269AA(MBS) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 400 MA | 5 µA @ 20 V | 500 MA | 单相 | 20 v | |||
CBRHD-06 TR13 PBFRE | 0.8500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | CBRHD-06 | 标准 | 4-HD蘸酱 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 1 V @ 400 MA | 5 µA @ 600 V | 500 MA | 单相 | 600 v | |||
![]() | GBJ2508 bp-hf | 0.8915 | ![]() | 3431 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBJ | GBJ2508 | 标准 | GBJ | 下载 | 353-GBJ2508-bp-hf | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 800 V | 25 a | 单相 | 800 v | ||||
![]() | KBL601G | 0.5805 | ![]() | 1260 | 0.00000000 | 基因半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBL | KBL601 | 标准 | KBL | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | KBL601GGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 50 V | 6 a | 单相 | 50 V | ||
![]() | B125C1500G-E4/51 | 0.8200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | 4圆形,沃格 | B125 | 标准 | 沃格 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 1.5 A | 10 µA @ 125 V | 1.5 a | 单相 | 200 v |
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