SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电流 -io(io) 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
GBJ25B GeneSiC Semiconductor GBJ25B 0.9795
RFQ
ECAD 1534年 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBJ GBJ25 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 1242-GBJ25B Ear99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 12.5 A 10 µA @ 100 V 25 a 单相 100 v
DB101 SMC Diode Solutions DB101 0.0936
RFQ
ECAD 1801年 0.00000000 SMC二极管解决方案 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) DB101 标准 DB-M 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 50 V 1 a 单相 50 V
KBPC1510W GeneSiC Semiconductor KBPC1510W 2.1825
RFQ
ECAD 5560 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,KBPC-W KBPC1510 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V 15 a 单相 1 kV
KBJA802-BP Micro Commercial Co KBJA802-bp 0.4017
RFQ
ECAD 6263 0.00000000 微商业公司 - 大部分 积极的 -55°C〜150°C 通过洞 4-SIP,JB KBJA802 标准 JB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,800 1.1 V @ 4 A 10 µA @ 200 V 8 a 单相 200 v
BU1506-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU1506-E3/51 2.5400
RFQ
ECAD 8428 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,bu BU1506 标准 ISOCINK+™BU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 7.5 A 5 µA @ 600 V 3.4 a 单相 600 v
GBJ1002-F Diodes Incorporated GBJ1002-F 1.7300
RFQ
ECAD 102 0.00000000 二极管合并 - 管子 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBJ GBJ1002 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 15 1.05 V @ 5 A 10 µA @ 200 V 10 a 单相 200 v
GBU1002 Diodes Incorporated GBU1002 1.4890
RFQ
ECAD 6351 0.00000000 二极管合并 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU1002 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 5 A 5 µA @ 200 V 10 a 单相 200 v
2W01G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2W01G-E4/51 0.8200
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4圆形,沃格 2W01 标准 沃格 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1.1 V @ 2 A 5 µA @ 100 V 2 a 单相 100 v
GBU606-G Comchip Technology GBU606-G 0.9200
RFQ
ECAD 1932年 0.00000000 comchip技术 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU606 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 3 A 10 µA @ 600 V 6 a 单相 600 v
MB2S Fairchild Semiconductor MB2S -
RFQ
ECAD 5890 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 MB2 标准 MD-S 下载 Ear99 8541.10.0080 1 1.05 V @ 400 mA 5 µA @ 200 V 500 MA 单相 200 v
EFG15F Sensata-Crydom EFG15F -
RFQ
ECAD 4629 0.00000000 sensata-crydom - 大部分 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 底盘安装 模块 标准 模块 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 1.4 V @ 100 A 125 a 单相 1.2 kV
VS-2KBB80R Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2KBB80R 1.7300
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,2KBB 2KBB80 标准 2KBB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 1.9 A 10 µA @ 800 V 1.9 a 单相 800 v
KBL601 Rectron USA KBL601 0.6800
RFQ
ECAD 5354 0.00000000 美国直发 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBL 标准 KBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2516-KBL601 Ear99 8541.10.0080 4,600 1.1 V @ 6 A 10 µA @ 50 V 6 a 单相 50 V
GBPC3506 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBPC3506 2.1600
RFQ
ECAD 1879年 0.00000000 Yangzhou Yangjie电子技术有限公司 - 盒子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 4平方英尺,GBPC 标准 GBPC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 50 1.1 V @ 17.5 A 10 µA @ 600 V 35 a 单相 600 v
GSIB2040N-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB2040N-M3/45 1.8371
RFQ
ECAD 6098 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GSIB-5 GSIB2040 标准 GSIB-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1200 1 V @ 7.5 A 10 µA @ 400 V 20 a 单相 400 v
GBJ1008-F Diodes Incorporated GBJ1008-F 1.6693
RFQ
ECAD 7086 0.00000000 二极管合并 - 管子 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBJ GBJ1008 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 15 1.05 V @ 5 A 10 µA @ 800 V 10 a 单相 800 v
GBL08-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBL08-M3/45 0.8804
RFQ
ECAD 7080 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl GBL08 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 1 V @ 2 A 10 µA @ 800 V 4 a 单相 800 v
BR2510L Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd BR2510L 1.7800
RFQ
ECAD 1125 0.00000000 Yangzhou Yangjie电子技术有限公司 - 盒子 积极的 -55°C〜125°C(TJ) 通过洞 4- esip,带散热器 标准 br-l 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 120 1.1 V @ 12.5 A 10 µA @ 1000 V 25 a 单相 1 kV
CBR35-100PW Central Semiconductor Corp CBR35-100PW -
RFQ
ECAD 6969 0.00000000 中央半导体公司 - 盒子 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,fpw 标准 4盘FPW 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 100 1.2 V @ 17.5 A 10 µA @ 1000 V 35 a 单相 1 kV
KBJ4005G GeneSiC Semiconductor KBJ4005G 0.5160
RFQ
ECAD 5366 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBJ KBJ4005 标准 KBJ 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBJ4005GGN Ear99 8541.10.0080 250 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 50 V 4 a 单相 50 V
B80C3700A Diotec Semiconductor B80C3700A 1.3425
RFQ
ECAD 6 0.00000000 diotec半导体 - 盒子 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip 标准 4-sip 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-B80C3700A 8541.10.0000 500 1 V @ 3 A 5 µA @ 160 V 2.7 a 单相 160 v
PB2506 Yangjie Technology PB2506 1.1040
RFQ
ECAD 75 0.00000000 Yangjie技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,PB 标准 pb - Rohs符合条件 到达不受影响 4617-PB2506 Ear99 750 1 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V 25 a 单相 600 v
GBPC2501M T0G Taiwan Semiconductor Corporation GBPC2501M T0G -
RFQ
ECAD 4132 0.00000000 台湾半导体公司 - 托盘 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC-M GBPC2501 标准 GBPC-M 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 100 V 25 a 单相 100 v
CBR1A-060 Central Semiconductor Corp CBR1A-060 -
RFQ
ECAD 1725年 0.00000000 中央半导体公司 - 盒子 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4圆,一个情况 标准 案件 下载 (1 (无限) CBR1A-060 PBFRE Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 1 A 10 µA @ 600 V 1.5 a 单相 600 v
CBR10-J090 Central Semiconductor Corp CBR10-J090 -
RFQ
ECAD 7434 0.00000000 中央半导体公司 - 盒子 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,厘米 标准 厘米 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 400 1.2 V @ 5 A 10 µA @ 100 V 5 a 单相 100 v
MB12S Good-Ark Semiconductor MB12S 0.4200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 好公园的半导体 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-269AA,4-Besop 标准 TO-269AA(MBS) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 400 MA 5 µA @ 20 V 500 MA 单相 20 v
CBRHD-06 TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CBRHD-06 TR13 PBFRE 0.8500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 中央半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 CBRHD-06 标准 4-HD蘸酱 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 1 V @ 400 MA 5 µA @ 600 V 500 MA 单相 600 v
GBJ2508-BP-HF Micro Commercial Co GBJ2508 bp-hf 0.8915
RFQ
ECAD 3431 0.00000000 微商业公司 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBJ GBJ2508 标准 GBJ 下载 353-GBJ2508-bp-hf Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 12.5 A 10 µA @ 800 V 25 a 单相 800 v
KBL601G GeneSiC Semiconductor KBL601G 0.5805
RFQ
ECAD 1260 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBL KBL601 标准 KBL 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBL601GGN Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 50 V 6 a 单相 50 V
B125C1500G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division B125C1500G-E4/51 0.8200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 4圆形,沃格 B125 标准 沃格 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 1.5 A 10 µA @ 125 V 1.5 a 单相 200 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库