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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电流 -io(io) 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
NTE5314 NTE Electronics, Inc NTE5314 4.4200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 NTE Electronics,Inc - 积极的 -55°C〜125°C(TJ) 通过洞 4平方 标准 - 下载 rohs3符合条件 2368-NTE5314 Ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 4 A 10 µA @ 400 V 8 a 单相 400 v
GBL4J SURGE GBL4J 0.5000
RFQ
ECAD 246 0.00000000 GBL4 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 标准 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 供应商不确定 2616-GBL4J 3A001 8541.10.0080 1 1 V @ 2 A 4 a 单相 600 v
LMB32S-TP Micro Commercial Co LMB32S-TP 0.2166
RFQ
ECAD 7305 0.00000000 微商业公司 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 LMB32 肖特基 LMBS-1 下载 353-LMB32S-TP Ear99 8541.10.0080 1 550 MV @ 1.5 A 500 µA @ 20 V 3 a 单相 20 v
CDTO269-BR1380L Bourns Inc. CDTO269-BR1380L -
RFQ
ECAD 6618 0.00000000 Bourns Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -50°C〜150°C(TJ) 表面安装 TO-269AA,4-Besop CDTO269 标准 TO-269AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 950 MV @ 1 A 5 µA @ 190 V 1 a 单相 380 v
MBS4 Taiwan Semiconductor Corporation MBS4 0.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 台湾半导体公司 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-Besop (0.173“,4.40mm宽度) MBS4 标准 MBS 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 2 A 5 µA @ 400 V 800 MA 单相 400 v
RBV810 EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV810 1.3000
RFQ
ECAD 700 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,RBV-25 标准 RBV-25 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 2439-RBV810 8541.10.0000 100 1 V @ 4 A 10 µA @ 1000 V 8 a 单相 1 kV
DF75LA80 SanRex Corporation DF75LA80 44.4000
RFQ
ECAD 1318 0.00000000 Sanrex Corporation - 托盘 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 标准 - 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) 4076-DF75LA80 Ear99 8541.10.0080 1 1.3 V @ 75 A 8 ma @ 800 V 75 a 三期 800 v
DF15005M Diodes Incorporated DF15005M -
RFQ
ECAD 4657 0.00000000 二极管合并 - 管子 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-Edip(0.300英寸,7.62mm) DF15005 标准 DFM 下载 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1.5 A 10 µA @ 50 V 1.5 a 单相 50 V
GBU1010_T0_00601 Panjit International Inc. GBU1010_T0_00601 0.9000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Panjit International Inc. - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU1010 标准 GBU-2 下载 (1 (无限) 到达不受影响 3757-GBU1010_T0_00601 Ear99 8541.10.0080 1,000 1.05 V @ 5 A 5 µA @ 1000 V 10 a 单相 1 kV
DB1P Harris Corporation DB1P -
RFQ
ECAD 4117 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) 标准 BR-4 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.10.0080 18 1.1 V @ 1 A 10 µA @ 1000 V 1 a 单相 1 kV
GBI25G Diotec Semiconductor GBI25G 0.9312
RFQ
ECAD 24 0.00000000 diotec半导体 - 盒子 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBI 标准 GBI 下载 rohs3符合条件 不适用 2796-GBI25G 8541.10.0000 500 1.1 V @ 12.5 A 5 µA @ 400 V 4.2 a 单相 400 v
W10G-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division W10G-E4/51 0.8000
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4圆形,沃格 W10 标准 沃格 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1 V @ 1 A 5 µA @ 1000 V 1.5 a 单相 1 kV
B483F-2T Sensata-Crydom B483F-2T 58.9600
RFQ
ECAD 1661年 0.00000000 sensata-crydom - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) QC终端 B48模块 B483F 标准 - 下载 Rohs符合条件 不适用 Ear99 8541.10.0080 10 1.35 V @ 50 A 35 a 单相 1.2 kV
GBJ1006-F Diodes Incorporated GBJ1006-F 1.7300
RFQ
ECAD 172 0.00000000 二极管合并 - 管子 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBJ GBJ1006 标准 GBJ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 15 1.05 V @ 5 A 10 µA @ 600 V 10 a 单相 600 v
KBJA1001-BP Micro Commercial Co kbja1001-bp 0.5408
RFQ
ECAD 3263 0.00000000 微商业公司 - 大部分 积极的 -55°C〜150°C 通过洞 4-SIP,JB KBJA1001 标准 JB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,800 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 100 V 10 a 单相 100 v
VS-70MT140KPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70MT140KPBF 70.0987
RFQ
ECAD 6972 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 Mt-k模块 70MT140 标准 MT-K 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS70MT140KPBF Ear99 8541.10.0080 15 70 a 三期 1.4 kV
LDB106S Rectron USA LDB106S 0.3800
RFQ
ECAD 9652 0.00000000 美国直发 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 标准 DB-S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2516-LDB106STR Ear99 8541.10.0080 24,000 1 V @ 1 A 1 µA @ 800 V 1 a 单相 800 v
DB106G GeneSiC Semiconductor DB106G 0.1980
RFQ
ECAD 5029 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-Edip(0.321英寸,8.15mm) DB106 标准 DB 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) DB106GGN Ear99 8541.10.0080 2,500 1.1 V @ 1 A 10 µA @ 800 V 1 a 单相 800 v
GBPC5008T GeneSiC Semiconductor GBPC5008T 4.0155
RFQ
ECAD 5381 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC5008 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 800 V 50 a 单相 800 v
GBPC1501W GeneSiC Semiconductor GBPC1501W 2.4180
RFQ
ECAD 5572 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,GBPC-W GBPC1501 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) GBPC1501WGS Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 100 V 15 a 单相 100 v
KBPC5006W GeneSiC Semiconductor KBPC5006W 2.5875
RFQ
ECAD 2626 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,KBPC-W KBPC5006 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 A 5 µA @ 600 V 50 a 单相 600 v
GBPC25005T GeneSiC Semiconductor GBPC25005T 2.5335
RFQ
ECAD 3216 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC25005 标准 GBPC 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 50 V 25 a 单相 50 V
KBL406G GeneSiC Semiconductor KBL406G 0.5385
RFQ
ECAD 6670 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBL KBL406 标准 KBL 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) KBL406GGN Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 600 V 4 a 单相 600 v
KBPC5001W GeneSiC Semiconductor KBPC5001W 2.5875
RFQ
ECAD 5691 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,KBPC-W KBPC5001 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 A 5 µA @ 100 V 50 a 单相 100 v
KBL603G GeneSiC Semiconductor KBL603G -
RFQ
ECAD 4714 0.00000000 基因半导体 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,KBL 标准 KBL 下载 (1 (无限) KBL603GGN Ear99 8541.10.0080 500 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 200 V 6 a 单相 200 v
BR806 EIC SEMICONDUCTOR INC. BR806 0.9100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 EIC半导体公司 - 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 4平方,BR-10 标准 BR-10 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 2439-BR806 8541.10.0000 200 1 V @ 4 A 10 µA @ 600 V 8 a 单相 600 v
GBPC5006W GeneSiC Semiconductor GBPC5006W 4.0155
RFQ
ECAD 7989 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,GBPC-W GBPC5006 标准 GBPC-W 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.2 V @ 25 A 5 µA @ 600 V 50 a 单相 600 v
KBPC1504W GeneSiC Semiconductor KBPC1504W 2.1795
RFQ
ECAD 5268 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,KBPC-W KBPC1504 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 7.5 A 5 µA @ 400 V 15 a 单相 400 v
KBPC50005W GeneSiC Semiconductor KBPC50005W 2.5875
RFQ
ECAD 9569 0.00000000 基因半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,KBPC-W KBPC50005 标准 KBPC-W 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 25 A 5 µA @ 50 V 50 a 单相 50 V
B40C800DM-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division B40C800DM-E3/45 0.6400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 4-Edip(0.300英寸,7.62mm) B40 标准 DFM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 1 V @ 900 MA 10 µA @ 65 V 900 MA 单相 65 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库