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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电流 -io(io) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
kbu6j | 0.7100 | ![]() | 5162 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbu | 标准 | KBU | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0080 | 84 | 1 V @ 6 A | 10 µA @ 50 V | 6 a | 单相 | 600 v | ||||||
![]() | DMA120B800LB-TRR | 20.7578 | ![]() | 5142 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 表面安装 | 9-PowersMD | DMA120 | 标准 | 9-SMPD-B | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-DMA120B800LB-TRRTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 130 a | 单相 | 800 v | ||||
![]() | DLA100B800LB-TRR | 18.5219 | ![]() | 6902 | 0.00000000 | ixys | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 9-PowersMD | DLA100 | 标准 | 9-SMPD-B | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 238-DLA100B800LB-TRRTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.45 V @ 100 A | 10 µA @ 800 V | 124 a | 单相 | 800 v | ||
![]() | 3N258 | 0.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip,kbpm | 标准 | kbpm | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 1.1 V @ 3.14 A | 5 µA @ 800 V | 2 a | 单相 | 800 v | |||||
![]() | GBU2506-HF | 1.0898 | ![]() | 7727 | 0.00000000 | comchip技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU2506 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 641-GBU2506-HF | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 600 V | 25 a | 单相 | 600 v | ||
![]() | MB4S-W | 0.0370 | ![]() | 3547 | 0.00000000 | 美国直发 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | 标准 | MD-S | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2516-MB4S-WTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1.05 V @ 500 mA | 5 µA @ 400 V | 500 MA | 单相 | 400 v | |||
![]() | GBU3010-bp | 1.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | GBU3010 | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 353-GBU3010-bp | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1 V @ 15 A | 5 µA @ 1000 V | 30 a | 单相 | 1 kV | |
![]() | PB3510 BP-HF | 2.5500 | ![]() | 6318 | 0.00000000 | 微商业公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-ESIP,PB | PB3510 | 标准 | pb | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 1000 V | 35 a | 单相 | 1 kV | ||
![]() | B80C1500A | 3.2110 | ![]() | 7 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip | 标准 | 4-sip | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2721-B80C1500A | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 2 A | 5 µA @ 160 V | 1.8 a | 单相 | 160 v | ||||
![]() | B80C1500B | 3.2110 | ![]() | 13 | 0.00000000 | diotec半导体 | - | 盒子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-sip | 标准 | 4-sip | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 2721-B80C1500B | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 2 A | 5 µA @ 160 V | 1.8 a | 单相 | 160 v | ||||
![]() | GBPC2504W | 2.6600 | ![]() | 240 | 0.00000000 | 涌 | - | 包 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | 标准 | GBPC-W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2616-GBPC2504W | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 400 V | 25 a | 单相 | 400 v | ||
![]() | gbu8g | 0.6600 | ![]() | 2679 | 0.00000000 | 涌 | - | 包 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2616-GBU8G | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 400 V | 3 a | 单相 | 400 v | ||
![]() | GBPC3504 | 2.6700 | ![]() | 182 | 0.00000000 | 涌 | - | 包 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | 标准 | GBPC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2616-GBPC3504 | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 17.5 A | 5 µA @ 400 V | 35 a | 单相 | 400 v | ||
![]() | GBJ15J | 0.8000 | ![]() | 249 | 0.00000000 | 涌 | - | 包 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBJ | 标准 | GBJ(5s) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2616-GBJ15J | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 600 V | 3.5 a | 单相 | 600 v | ||
![]() | GBJ15G | 0.8000 | ![]() | 250 | 0.00000000 | 涌 | - | 包 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBJ | 标准 | GBJ(5s) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2616-GBJ15G | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 400 V | 3.5 a | 单相 | 400 v | ||
![]() | GBPC2504 | 2.6600 | ![]() | 248 | 0.00000000 | 涌 | GBPC25 | 包 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 标准 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2616-GBPC2504 | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 400 V | 25 a | 单相 | 400 v | |||||
![]() | gbl4g | 0.5000 | ![]() | 250 | 0.00000000 | 涌 | GBL4 | 包 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 标准 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2616-GBL4G | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 2 A | 10 µA @ 400 V | 4 a | 单相 | 400 v | ||||
![]() | GBU4M | 0.6100 | ![]() | 5915 | 0.00000000 | 涌 | - | 包 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2616-GBU4M | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 1000 V | 3 a | 单相 | 1 kV | ||
![]() | GBPC1006 | 2.2100 | ![]() | 250 | 0.00000000 | 涌 | GBPC10 | 包 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 标准 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2616-GBPC1006 | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 5 A | 5 µA @ 600 V | 10 a | 单相 | 600 v | |||||
![]() | GBPC2506W | 2.6600 | ![]() | 7160 | 0.00000000 | 涌 | GBPC25 | 包 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 标准 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 2616-GBPC2506W | 3A001 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 600 V | 25 a | 单相 | 600 v | |||||
![]() | DFB2020 | 1.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,TS-6P | 标准 | TS-6P | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 1.1 V @ 20 A | 10 µA @ 200 V | 20 a | 单相 | 200 v | ||||||
![]() | GBU1506 | 2.6300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 台湾半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-Esip,Gbu | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1801-GBU1506 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 V @ 15 A | 5 µA @ 800 V | 15 a | 单相 | 800 v | ||
![]() | GBPC25005W | 2.7900 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4平方英尺,GBPC-W | GBPC25005 | 标准 | GBPC-W | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 117 | 1.1 V @ 7.5 A | 5 µA @ 50 V | 25 a | 单相 | 50 V | |||||
![]() | GBPC1210 | 1.0000 | ![]() | 8187 | 0.00000000 | Fairchild半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,GBPC | 标准 | GBPC | 下载 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 V @ 6 A | 5 µA @ 1 V | 12 a | 单相 | 1 kV | ||||||
![]() | 3503m卢比 | 2.4800 | ![]() | 3822 | 0.00000000 | 美国直发 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,Rs-35m | 标准 | Rs-35m卢比卢比 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2516-RS3503M | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 1 V @ 17.5 A | 500 na @ 200 V | 35 a | 单相 | 200 v | |||
![]() | MSB207 | 0.3600 | ![]() | 4191 | 0.00000000 | 美国直发 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,平坦的铅 | 标准 | MSB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2516-MSB207STR | Ear99 | 8541.10.0080 | 24,000 | 1.1 V @ 2 A | 1 µA @ 1000 V | 2 a | 单相 | 1 kV | |||
![]() | 1006m卢比 | 0.4700 | ![]() | 1377年 | 0.00000000 | 美国直发 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,卢比1M | 标准 | 卢比 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2516-RS106M | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,400 | 1.1 V @ 1 A | 2 µA @ 800 V | 1 a | 单相 | 800 v | |||
![]() | KBL608 | 0.6800 | ![]() | 2748 | 0.00000000 | 美国直发 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,KBL | 标准 | KBL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2516-KBL608 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,600 | 1.1 V @ 6 A | 10 µA @ 800 V | 6 a | 单相 | 800 v | |||
![]() | MSB306S | 0.3600 | ![]() | 2151 | 0.00000000 | 美国直发 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,平坦的铅 | MSB30 | 标准 | MSB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2516-MSB306STR | Ear99 | 8541.10.0080 | 24,000 | 1.1 V @ 3 A | 1 µA @ 800 V | 3 a | 单相 | 800 v | ||
![]() | KDB3200S | 0.4900 | ![]() | 2731 | 0.00000000 | 美国直发 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | 肖特基 | DB-S | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 2516-KDB3200STR | Ear99 | 8541.10.0080 | 8,000 | 850 mv @ 3 a | 20 µA @ 200 V | 3 a | 单相 | 200 v |
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