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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 评级 | 尺寸/尺寸 | 坐姿高度(最大) | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 频率 | 输出 | 电压 - 电源 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | 电流 - 电源(最大) | 基础桁架器 | 频率稳定性 | 绝对拉力范围 (APR) | 扩频带宽 | 电流 - 电源(禁用)(最大) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SIT8208AC-GF-33S-33.330000T | 3.6149 | ![]() | 2479 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.106英寸长x 0.094英寸宽(2.70毫米x 2.40毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 33.33兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | |
![]() | SIT8208AC-GF-33S-65.000000X | 4.3488 | ![]() | 1621 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.106英寸长x 0.094英寸宽(2.70毫米x 2.40毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 65兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | |
![]() | SIT8208AC-GF-33S-66.660000T | 3.6149 | ![]() | 6228 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.106英寸长x 0.094英寸宽(2.70毫米x 2.40毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 66.66兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | |
![]() | SIT8208AC-GF-33S-8.192000T | 3.6149 | ![]() | 4297 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.106英寸长x 0.094英寸宽(2.70毫米x 2.40毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 8.192兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | |
![]() | SIT8208AI-3F-25E-10.000000X | 4.8668 | ![]() | 8171 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 10兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
![]() | SIT8208AI-3F-25E-33.300000Y | 4.1097 | ![]() | 7462 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 33.3兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
![]() | SIT8208AI-3F-25E-33.333300X | 4.8668 | ![]() | 8398 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 33.3333兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
![]() | SIT8208AI-3F-25E-33.600000X | 4.8668 | ![]() | 7567 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 33.6兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
![]() | SIT8208AI-3F-25E-38.000000Y | 4.1097 | ![]() | 5883 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 38兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
![]() | SIT8208AI-3F-25E-4.096000Y | 4.1097 | ![]() | 1949年 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 4.096兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
![]() | SIT8208AI-3F-25E-60.000000X | 4.8668 | ![]() | 1006 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 60兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
![]() | SIT8208AI-3F-25E-72.000000T | 4.1097 | ![]() | 5631 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 72兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
![]() | SIT8208AI-3F-25E-74.250000Y | 4.1097 | ![]() | 3110 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 74.25兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
![]() | SIT8208AI-3F-25E-77.760000Y | 4.1097 | ![]() | 1710 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 77.76兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
![]() | SIT8208AI-2F-25S-77.760000T | 3.8969 | ![]() | 第1456章 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 77.76兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | |
![]() | SIT8208AI-2F-28E-18.432000Y | 3.8969 | ![]() | 4962 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 18.432兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
![]() | SIT8208AI-2F-28E-31.250000Y | 3.8969 | ![]() | 6005 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 31.25兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
![]() | SIT8208AI-2F-28E-40.000000T | 3.8969 | ![]() | 2180 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 40兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
![]() | SIT8208AI-2F-28E-40.000000Y | 3.8969 | ![]() | 2408 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 40兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
![]() | SIT8208AI-2F-28E-62.500000T | 3.8969 | ![]() | 7935 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 62.5兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
![]() | SIT8208AI-2F-28E-65.000000T | 3.8969 | ![]() | 9608 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 65兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
![]() | SIT8208AI-2F-28S-35.840000X | 4.6880 | ![]() | 6910 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 35.84兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | |
![]() | SIT8208AI-2F-28S-6.000000Y | 3.8969 | ![]() | 6805 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 6兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | |
![]() | SIT8208AC-GF-28S-37.500000X | 4.3488 | ![]() | 4701 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.106英寸长x 0.094英寸宽(2.70毫米x 2.40毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 37.5兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | |
![]() | SIT8208AC-GF-28S-66.660000X | 4.3488 | ![]() | 8977 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.106英寸长x 0.094英寸宽(2.70毫米x 2.40毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 66.66兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | |
![]() | SIT8208AC-GF-28S-66.660000Y | 3.6149 | ![]() | 6380 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.106英寸长x 0.094英寸宽(2.70毫米x 2.40毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 66.66兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | |
![]() | SIT8208AC-GF-28S-74.175824Y | 3.6149 | ![]() | 3177 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.106英寸长x 0.094英寸宽(2.70毫米x 2.40毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 74.175824兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | |
![]() | SIT8208AC-GF-28S-8.192000Y | 3.6149 | ![]() | 8725 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.106英寸长x 0.094英寸宽(2.70毫米x 2.40毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 8.192兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | |
![]() | SIT8208AC-GF-33E-12.000000X | 4.3488 | ![]() | 3393 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.106英寸长x 0.094英寸宽(2.70毫米x 2.40毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 12兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
![]() | SIT8208AC-GF-33E-12.288000X | 4.3488 | ![]() | 3944 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.106英寸长x 0.094英寸宽(2.70毫米x 2.40毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 12.288兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 |

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