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晶体、振荡器、谐振器(193603)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度（最大） 安装类型 包装/箱 类型 基本产品编号 频率 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 电源（最大） 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源（禁用）（最大）
SIT8208AC-G2-18S-74.176000Y SiTime SIT8208AC-G2-18S-74.176000Y 1.5196
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 ECAD 5689 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 74.176兆赫 LVCMOS、LVTTL 1.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 断电 31毫安 微机电系统 ±25ppm - - 10微安
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 ECAD 8592 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 20兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 31毫安
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 ECAD 3095 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 25兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 31毫安
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 ECAD 8913 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 28.6363兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 31毫安
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 ECAD 4056 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 33.3兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 31毫安
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 ECAD 第1542章 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 38兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 31毫安
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 ECAD 第1557章 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.039英寸（1.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 14兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 31毫安
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 ECAD 5672 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.039英寸（1.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33.6兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 31毫安
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 ECAD 5879 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.039英寸（1.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 35.84兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 31毫安
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 ECAD 9868 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.039英寸（1.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 19.2兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 断电 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 70微安
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 ECAD 5926 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.039英寸（1.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33.3兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 断电 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 70微安
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 ECAD 3577 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.039英寸（1.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33.333兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 断电 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 70微安
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 ECAD 2608 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.039英寸（1.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33.6兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 断电 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 70微安
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 ECAD 4316 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.039英寸（1.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 66.666兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 断电 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 70微安
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 ECAD 6317 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 28.6363兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 断电 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 70微安
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 ECAD 4245 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 30兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 断电 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 70微安
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 ECAD 2925 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 40兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 断电 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 70微安
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 ECAD 5269 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 48兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 断电 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 70微安
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 ECAD 7915 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 62.5兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 断电 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 70微安
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 ECAD 5789 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 62.5兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 断电 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 70微安
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 ECAD 3993 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 66.6兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 断电 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 70微安
SIT8208AC-G2-25S-66.660000Y SiTime SIT8208AC-G2-25S-66.660000Y 1.5196
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 ECAD 2034 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 66.66兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 1473-SIT8208AC-G2-25S-66.660000YTR EAR99 8542.39.0001 1,000 断电 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 70微安
SIT8208AC-G2-25S-74.175824T SiTime SIT8208AC-G2-25S-74.175824T 1.4148
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 ECAD 6885 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 74.175824兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 断电 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 70微安
SIT8208AC-G2-28E-20.000000T SiTime SIT8208AC-G2-28E-20.000000T 1.4148
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 ECAD 9451 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 20兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 31毫安
SIT8208AC-G2-28E-24.000000Y SiTime SIT8208AC-G2-28E-24.000000Y 1.5196
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 ECAD 4503 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 24兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 31毫安
SIT8208AC-G2-28E-60.000000X SiTime SIT8208AC-G2-28E-60.000000X 1.8340
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 ECAD 1117 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 60兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 31毫安
SIT8208AC-G2-28E-60.000000Y SiTime SIT8208AC-G2-28E-60.000000Y 1.5196
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 ECAD 5556 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 60兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 31毫安
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 ECAD 9646 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 14兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 断电 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 70微安
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 ECAD 1975年 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 10兆赫 LVCMOS、LVTTL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±20ppm - - 31毫安
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 ECAD 4019 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 12兆赫 LVCMOS、LVTTL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 1473-SIT8208AC-G1-33E-12.000000XTR EAR99 8542.39.0001 250 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±20ppm - - 31毫安
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