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晶体、振荡器、谐振器(193603)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度（最大） 安装类型 包装/箱 类型 基本产品编号 频率 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 电源（最大） 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源（禁用）（最大）
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 ECAD 9918 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 72兆赫 LVCMOS、LVTTL 1.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 启用/禁用 31毫安 微机电系统 ±10ppm - - 30毫安
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 ECAD 9288 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 74.175824兆赫 LVCMOS、LVTTL 1.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 启用/禁用 31毫安 微机电系统 ±10ppm - - 30毫安
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 ECAD 第1381章 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 16.367667兆赫 LVCMOS、LVTTL 1.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 断电 31毫安 微机电系统 ±10ppm - - 10微安
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 ECAD 1518 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 27兆赫 LVCMOS、LVTTL 1.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 断电 31毫安 微机电系统 ±10ppm - - 10微安
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 ECAD 6895 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 32.768兆赫 LVCMOS、LVTTL 1.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 断电 31毫安 微机电系统 ±10ppm - - 10微安
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 ECAD 1803 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 20兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 断电 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 70微安
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 ECAD 5479 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 24兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 断电 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 70微安
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 ECAD 1031 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 25兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 断电 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 70微安
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 ECAD 2438 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 6兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 断电 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 70微安
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 ECAD 4396 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 62.5兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 断电 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 70微安
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 ECAD 1596 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 62.5兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 断电 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 70微安
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 ECAD 7370 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 77.76兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 断电 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 70微安
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 ECAD 1033 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 12.8兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 31毫安
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 ECAD 7467 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 27兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 31毫安
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 ECAD 5295 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 31毫安
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 ECAD 6598 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33.3兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 31毫安
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 ECAD 9928 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 33.3兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 31毫安
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 ECAD 7235 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 26兆赫 LVCMOS、LVTTL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 断电 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 70微安
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 ECAD 第1283章 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 26兆赫 LVCMOS、LVTTL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 断电 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 70微安
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 ECAD 5262 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 33.3333兆赫 LVCMOS、LVTTL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 断电 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 70微安
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 ECAD 5268 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 48兆赫 LVCMOS、LVTTL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 断电 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 70微安
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 ECAD 4440 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 66兆赫 LVCMOS、LVTTL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 断电 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 70微安
SIT8208AC-G2-33S-66.660000Y SiTime SIT8208AC-G2-33S-66.660000Y 1.5196
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 ECAD 3573 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 66.66兆赫 LVCMOS、LVTTL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 断电 33毫安 微机电系统 ±25ppm - - 70微安
SIT8208AC-G3-18E-10.000000X SiTime SIT8208AC-G3-18E-10.000000X 1.5750
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 ECAD 9228 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 10兆赫 LVCMOS、LVTTL 1.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 启用/禁用 31毫安 微机电系统 ±50ppm - - 30毫安
SIT8208AC-G3-18E-16.367667T SiTime SIT8208AC-G3-18E-16.367667T 1.2250
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 ECAD 4759 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 16.367667兆赫 LVCMOS、LVTTL 1.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 启用/禁用 31毫安 微机电系统 ±50ppm - - 30毫安
SIT8208AC-G3-18E-33.330000T SiTime SIT8208AC-G3-18E-33.330000T 1.2250
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 ECAD 4226 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 33.33兆赫 LVCMOS、LVTTL 1.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 启用/禁用 31毫安 微机电系统 ±50ppm - - 30毫安
SIT8208AC-G3-18E-33.333000Y SiTime SIT8208AC-G3-18E-33.333000Y 1.2906
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 ECAD 2523 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 33.333兆赫 LVCMOS、LVTTL 1.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 31毫安 微机电系统 ±50ppm - - 30毫安
SIT8208AC-G3-18E-40.500000T SiTime SIT8208AC-G3-18E-40.500000T 1.2250
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 ECAD 6399 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 40.5兆赫 LVCMOS、LVTTL 1.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 启用/禁用 31毫安 微机电系统 ±50ppm - - 30毫安
SIT8208AC-G3-18E-74.175824Y SiTime SIT8208AC-G3-18E-74.175824Y 1.2906
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 ECAD 5767 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 74.175824兆赫 LVCMOS、LVTTL 1.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 31毫安 微机电系统 ±50ppm - - 30毫安
SIT8208AC-G3-18S-12.800000X SiTime SIT8208AC-G3-18S-12.800000X 1.5750
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 ECAD 2996 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 12.8兆赫 LVCMOS、LVTTL 1.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 断电 31毫安 微机电系统 ±50ppm - - 10微安
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