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晶体、振荡器、谐振器(193603)
| 参考图片 | 产品编号 | 价格（美元） | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量（公斤） | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 评级 | 尺寸/尺寸 | 坐姿高度（最大） | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 频率 | 输出 | 电压 - 电源 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级（MSL） | REACH状态 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | 电流 - 电源（最大） | 基础桁架器 | 频率稳定性 | 绝对拉力范围 (APR) | 扩频带宽 | 电流 - 电源（禁用）（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIT8208AC-2F-33E-14.000000Y | 3.6149 |  | 8184 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） | 0.031英寸（0.80毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 14兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
| SIT8208AC-2F-33E-19.440000X | 4.3488 | | 3076 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） | 0.031英寸（0.80毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 19.44兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
| SIT8208AC-2F-33E-38.400000Y | 3.6149 | | 5150 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） | 0.031英寸（0.80毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 38.4兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
| SIT8208AC-2F-33S-10.000000X | 4.3488 | | 7783 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） | 0.031英寸（0.80毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 10兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | |
| SIT8208AC-2F-33S-27.000000T | 3.6149 | | 4804 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） | 0.031英寸（0.80毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 27兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | |
| SIT8208AC-2F-33S-38.000000T | 3.6149 | | 3952 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） | 0.031英寸（0.80毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 38兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | |
| SIT8208AC-2F-33S-66.000000T | 3.6149 | | 3712 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） | 0.031英寸（0.80毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 66兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | |
| SIT8208AC-2F-33S-66.000000X | 4.3488 | | 5369 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） | 0.031英寸（0.80毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 66兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | |
| SIT8208AC-2F-33S-66.666000X | 4.3488 | | 1726 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） | 0.031英寸（0.80毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 66.666兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | |
 | SIT8208AC-8F-25E-28.636300Y | 3.7918 | | 2488 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） | 0.039英寸（1.00毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 28.6363兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
| SIT8208AC-8F-25E-3.570000X | 4.5616 | | 6720 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） | 0.039英寸（1.00毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 3.57兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
| SIT8208AC-8F-25E-6.000000T | 3.7918 | | 5325 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） | 0.039英寸（1.00毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 6兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
| SIT8208AC-8F-25S-20.000000X | 4.5616 | | 3410 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） | 0.039英寸（1.00毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 20兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | |
| SIT8208AC-8F-25S-7.372800T | 3.7918 | | 9020 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） | 0.039英寸（1.00毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 7.3728兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | |
| SIT8208AC-8F-25S-7.372800Y | 3.7918 | | 3571 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） | 0.039英寸（1.00毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 7.3728兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | |
| SIT8208AC-8F-25S-75.000000T | 3.7918 | | 4286 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） | 0.039英寸（1.00毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 75兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | |
| SIT8208AC-8F-25S-8.192000T | 3.7918 | | 8774 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） | 0.039英寸（1.00毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 8.192兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | |
| SIT8208AC-8F-18E-26.000000Y | 3.7918 | | 9402 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） | 0.039英寸（1.00毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 26兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 启用/禁用 | 31毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 30毫安 | |
| SIT8208AC-8F-18E-33.000000T | 3.7918 | | 5473 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） | 0.039英寸（1.00毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 33兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 启用/禁用 | 31毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 30毫安 | |
| SIT8208AC-8F-18E-38.000000X | 4.5616 | | 9470 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） | 0.039英寸（1.00毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 38兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 启用/禁用 | 31毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 30毫安 | |
| SIT8208AC-8F-18S-24.576000X | 4.5616 | | 3187 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） | 0.039英寸（1.00毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 24.576兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 断电 | 31毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 10微安 | |
| SIT8208AC-8F-18S-25.000625X | 4.5616 | | 8319 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） | 0.039英寸（1.00毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 25.000625兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 断电 | 31毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 10微安 | |
| SIT8208AC-8F-18S-33.000000X | 4.5616 | | 7328 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） | 0.039英寸（1.00毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 33兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 断电 | 31毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 10微安 | |
| SIT8208AC-8F-18S-40.000000Y | 3.7918 | | 8623 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） | 0.039英寸（1.00毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 40兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 断电 | 31毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 10微安 | |
| SIT8208AC-8F-18S-50.000000X | 4.5616 | | 9865 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） | 0.039英寸（1.00毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 50兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 断电 | 31毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 10微安 | |
| SIT8208AC-8F-18S-66.666000Y | 3.7918 | | 5216 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） | 0.039英寸（1.00毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 66.666兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 断电 | 31毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 10微安 | |
| SIT8208AC-8F-18S-74.250000Y | 3.7918 | | 1150 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） | 0.039英寸（1.00毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 74.25兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 断电 | 31毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 10微安 | |
 | SIT8208AC-3F-33E-30.000000X | 4.5616 | | 1958年 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） | 0.031英寸（0.80毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 30兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
| SIT8208AC-3F-33E-75.000000X | 4.5616 | | 9520 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） | 0.031英寸（0.80毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 75兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | |
| SIT8208AC-3F-33S-33.600000X | 4.5616 | | 6926 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃～70℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） | 0.031英寸（0.80毫米） | 表面贴装 | 4-SMD，无铅 | XO（标准） | 33.6兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1（无限制） | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 |
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