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晶体、振荡器、谐振器(193603)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度（最大） 安装类型 包装/箱 类型 基本产品编号 频率 输出 电压 - 电源 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 电源（最大） 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源（禁用）（最大）
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 ECAD 2283 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 28.6363兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±50ppm - - 31毫安
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 ECAD 7183 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 4兆赫 LVCMOS、LVTTL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±20ppm - - 31毫安
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 ECAD 2760 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 75兆赫 LVCMOS、LVTTL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±20ppm - - 31毫安
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 ECAD 1784 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 19.44兆赫 LVCMOS、LVTTL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 断电 33毫安 微机电系统 ±20ppm - - 70微安
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 ECAD 4552 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 27兆赫 LVCMOS、LVTTL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 断电 33毫安 微机电系统 ±20ppm - - 70微安
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 ECAD 4243 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 60兆赫 LVCMOS、LVTTL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 断电 33毫安 微机电系统 ±20ppm - - 70微安
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 ECAD 8521 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 75兆赫 LVCMOS、LVTTL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 断电 33毫安 微机电系统 ±20ppm - - 70微安
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 ECAD 8903 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 14兆赫 LVCMOS、LVTTL 1.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 31毫安 微机电系统 ±25ppm - - 30毫安
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 ECAD 5896 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ - 0.106英寸长x 0.094英寸宽（2.70毫米x 2.40毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） SIT8208 33兆赫 LVCMOS、LVTTL 1.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 启用/禁用 31毫安 微机电系统 ±25ppm - - 30毫安
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 ECAD 8688 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 74.25兆赫 LVCMOS、LVTTL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 断电 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 70微安
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 ECAD 4801 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 16.367667兆赫 LVCMOS、LVTTL 1.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 31毫安 微机电系统 ±10ppm - - 30毫安
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 ECAD 3348 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.197英寸长x 0.126英寸宽（5.00毫米x 3.20毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 24.576兆赫 LVCMOS、LVTTL 1.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 启用/禁用 31毫安 微机电系统 ±10ppm - - 30毫安
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 ECAD 8010 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 10兆赫 LVCMOS、LVTTL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 31毫安
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 ECAD 8184 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 14兆赫 LVCMOS、LVTTL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 31毫安
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 ECAD 3076 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 19.44兆赫 LVCMOS、LVTTL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 31毫安
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 ECAD 5150 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 38.4兆赫 LVCMOS、LVTTL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 31毫安
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 ECAD 7783 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 10兆赫 LVCMOS、LVTTL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 断电 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 70微安
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 ECAD 4804 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 27兆赫 LVCMOS、LVTTL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 断电 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 70微安
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 ECAD 3952 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 38兆赫 LVCMOS、LVTTL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 断电 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 70微安
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 ECAD 5369 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 66兆赫 LVCMOS、LVTTL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 断电 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 70微安
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 ECAD 1726 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.031英寸（0.80毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 66.666兆赫 LVCMOS、LVTTL 3.3V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 断电 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 70微安
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 ECAD 2488 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.039英寸（1.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 28.6363兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 31毫安
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 ECAD 6720 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.039英寸（1.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 3.57兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 31毫安
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 ECAD 5325 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.039英寸（1.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 6兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 启用/禁用 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 31毫安
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 ECAD 3410 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.039英寸（1.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 20兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 250 断电 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 70微安
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 ECAD 9020 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.039英寸（1.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 7.3728兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 断电 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 70微安
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 ECAD 3571 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.039英寸（1.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 7.3728兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 断电 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 70微安
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 ECAD 4286 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.039英寸（1.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 75兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 断电 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 70微安
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 ECAD 8774 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.039英寸（1.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 8.192兆赫 LVCMOS、LVTTL 2.5V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 断电 33毫安 微机电系统 ±10ppm - - 70微安
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 ECAD 9402 0.00000000 硅泰 SiT8208 卷带式 (TR) 的积极 -20℃～70℃ - 0.276英寸长x 0.197英寸宽（7.00毫米x 5.00毫米） 0.039英寸（1.00毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 XO（标准） 26兆赫 LVCMOS、LVTTL 1.8V 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 31毫安 微机电系统 ±10ppm - - 30毫安
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