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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 评级 | 尺寸/尺寸 | 坐姿高度(最大) | 安装类型 | 包装/箱 | 类型 | 基本产品编号 | 频率 | 输出 | 电压 - 电源 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | 电流 - 电源(最大) | 基础桁架器 | 频率稳定性 | 绝对拉力范围 (APR) | 扩频带宽 | 电流 - 电源(禁用)(最大) |
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ASFLM1-10.000MHZ-CT | 1.6555 | ![]() | 1807年 | 0.00000000 | 阿布拉肯有限责任公司 | ASFLM,纯硅™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 0℃~70℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 10兆赫 | LVCMOS | 3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 断电 | 15毫安 | 微机电系统 | ±50ppm | - | 15微安 | ||||
ASFLM1-32.000MHZ-CT | - | ![]() | 8204 | 0.00000000 | 阿布拉肯有限责任公司 | ASFLM,纯硅™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | 0℃~70℃ | - | 0.197英寸长x 0.126英寸宽(5.00毫米x 3.20毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 32兆赫 | LVCMOS | 3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 断电 | 15毫安 | 微机电系统 | ±50ppm | - | 15微安 | ||||
![]() | ASE3-25.000MHZ-KT | 1.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 阿布拉肯有限责任公司 | ASE3 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -10℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.047英寸(1.20毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 25兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 启用/禁用 | 4毫安 | 水晶 | ±30ppm | - | 10微安 | |||
![]() | ASE-7.3728MHZ-LCT | 1.6300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 阿布拉肯有限责任公司 | 日月光公司 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.047英寸(1.20毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 7.3728兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 启用/禁用 | 7毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | 10微安 | |||
![]() | ASE-12.000MHZ-LCT | 1.2200 | ![]() | 113 | 0.00000000 | 阿布拉肯有限责任公司 | 日月光公司 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.047英寸(1.20毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 12兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 启用/禁用 | 7毫安 | 水晶 | ±50ppm | - | 10微安 | |||
![]() | DSC6101JI2A-027.0000 | - | ![]() | 6378 | 0.00000000 | 微芯片 | DSC61XX | 管子 | 过时的 | -40℃~85℃ | AEC-Q100 | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.89毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 27兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V~3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 140 | 启用/禁用 | 3mA(典型值) | 微机电系统 | ±25ppm | - | - | 12微安 | ||
![]() | SG-210STF 24.5760MS3 | 2.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 爱普生 | SG-210STF | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 24.576兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.6V~3.6V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 断电 | 2.2毫安 | 水晶 | ±25ppm | - | 2.7微安 | |||
![]() | TG-5500CA-27N 24.5760M0 | - | ![]() | 3677 | 0.00000000 | 爱普生 | TG-5500CA | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40℃~85℃ | - | 0.276英寸长x 0.197英寸宽(7.00毫米x 5.00毫米) | 0.067英寸(1.70毫米) | 表面贴装 | 10-SMD,无铅 | VCTCXO | 24.576兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 2.7V~5.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 启用/禁用 | 6毫安 | 水晶 | ±280ppb | - | - | ||||
![]() | DSC1001DI2-028.6363 | 1.2100 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 微芯片 | DSC1001 | 管子 | 的积极 | -40℃~85℃ | AEC-Q100 | 0.098英寸长x 0.079英寸宽(2.50毫米x 2.00毫米) | 0.035英寸(0.90毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | DSC1001 | 28.6363兆赫 | 互补金属O化物半导体 | 1.8V~3.3V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 140 | 断电 | 7.2毫安 | 微机电系统 | ±25ppm | - | - | 15微安 | |
![]() | SIT8208AC-2F-25E-16.368000Y | 3.6149 | ![]() | 8799 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 16.368兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | ||
![]() | SIT8208AC-2F-25E-25.000000T | 3.6149 | ![]() | 第1363章 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 25兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | ||
![]() | SIT8208AC-2F-25E-4.000000Y | 3.6149 | ![]() | 5796 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 4兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | ||
![]() | SIT8208AC-2F-25S-12.000000T | 3.6149 | ![]() | 5327 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 12兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | ||
![]() | SIT8208AC-2F-25S-12.000000Y | 3.6149 | ![]() | 8465 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 12兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | ||
![]() | SIT8208AC-2F-25S-12.288000Y | 3.6149 | ![]() | 3045 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 12.288兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | ||
![]() | SIT8208AC-2F-25S-16.367667T | 3.6149 | ![]() | 9603 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 16.367667兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | ||
![]() | SIT8208AC-2F-25S-26.000000Y | 3.6149 | ![]() | 2725 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 26兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | ||
![]() | SIT8208AC-2F-25S-33.000000T | 3.6149 | ![]() | 5195 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 33兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | ||
![]() | SIT8208AC-2F-25S-33.300000X | 4.3488 | ![]() | 7944 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 33.3兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | ||
![]() | SIT8208AC-2F-25S-4.000000Y | 3.6149 | ![]() | 8429 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 4兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.5V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 断电 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 70微安 | ||
![]() | SIT8208AC-2F-18E-27.000000X | 4.3488 | ![]() | 8062 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 27兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 启用/禁用 | 31毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 30毫安 | ||
![]() | SIT8208AC-2F-18E-3.570000T | 3.6149 | ![]() | 7321 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 3.57兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 启用/禁用 | 31毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 30毫安 | ||
![]() | SIT8208AC-2F-18E-33.333000X | 4.3488 | ![]() | 8500 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 33.333兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 启用/禁用 | 31毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 30毫安 | ||
![]() | SIT8208AC-2F-18E-8.192000T | 3.6149 | ![]() | 1208 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 8.192兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 启用/禁用 | 31毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 30毫安 | ||
![]() | SIT8208AC-2F-18S-33.333000Y | 3.6149 | ![]() | 3022 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 33.333兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 断电 | 31毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 10微安 | ||
![]() | SIT8208AC-2F-18S-66.666000X | 4.3488 | ![]() | 8759 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 66.666兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 断电 | 31毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 10微安 | ||
![]() | SIT8208AC-2F-18S-8.192000T | 3.6149 | ![]() | 9175 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 8.192兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 1.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 断电 | 31毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 10微安 | ||
![]() | SIT8208AC-2F-28E-16.000000T | 3.6149 | ![]() | 8158 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 16兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | ||
![]() | SIT8208AC-2F-28E-30.000000Y | 3.6149 | ![]() | 3429 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 30兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 | ||
![]() | SIT8208AC-2F-28E-37.500000X | 4.3488 | ![]() | 3387 | 0.00000000 | 硅泰 | SiT8208 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -20℃~70℃ | - | 0.126英寸长x 0.098英寸宽(3.20毫米x 2.50毫米) | 0.031英寸(0.80毫米) | 表面贴装 | 4-SMD,无铅 | XO(标准) | 37.5兆赫 | LVCMOS、LVTTL | 2.8V | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | 启用/禁用 | 33毫安 | 微机电系统 | ±10ppm | - | - | 31毫安 |
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