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振荡器(312)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 评级 尺寸/尺寸 坐姿高度（最大） 安装类型 包装/箱 类型 频率 输出 电压 - 电源 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 电流 - 电源（最大） 基础桁架器 频率稳定性 绝对拉力范围 (APR) 扩频带宽 电流 - 电源（禁用）（最大）
501HCA12M0000BAFR Silicon Labs 501HCA12M0000BAFR -
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 ECAD 第1741章 0.00000000 硅实验室 硅501 卷带式 (TR) 过时的 -20℃～70℃ - 0.157英寸长x 0.126英寸宽（4.00毫米x 3.20毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 12兆赫 LVCMOS 1.7V~3.6V 2（1年） EAR99 8542.39.0001 1,500人 启用/禁用 4.9毫安 微机电系统 ±20ppm - - 4.9毫安
501JAA24M0000BAF Silicon Labs 501JAA24M0000BAF -
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 ECAD 2179 0.00000000 硅实验室 硅501 条 过时的 -20℃～70℃ - 0.157英寸长x 0.126英寸宽（4.00毫米x 3.20毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 24兆赫 LVCMOS 3.3V 2（1年） 336-2916 EAR99 8542.39.0001 50 启用/禁用 4.9毫安 微机电系统 ±50ppm - - 4.9毫安
501EAA48M0000DAF Silicon Labs 501EAA48M0000DAF -
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 ECAD 4321 0.00000000 硅实验室 硅501 条 过时的 -20℃～70℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 48兆赫 LVCMOS 1.7V~3.6V 2（1年） 336-2974 EAR99 8542.39.0001 50 启用/禁用 2.5毫安 微机电系统 ±50ppm - - 2.5毫安
501JCA10M0000CAFR Silicon Labs 501JCA10M0000CAFR -
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 ECAD 5882 0.00000000 硅实验室 硅501 卷带式 (TR) 过时的 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 10兆赫 LVCMOS 3.3V 2（1年） EAR99 8542.39.0001 2,500人 启用/禁用 4.9毫安 微机电系统 ±20ppm - - 4.9毫安
501JCA20M0000CAFR Silicon Labs 501JCA20M0000CAFR -
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 ECAD 5881 0.00000000 硅实验室 硅501 卷带式 (TR) 过时的 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 20兆赫 LVCMOS 3.3V 2（1年） EAR99 8542.39.0001 2,500人 启用/禁用 4.9毫安 微机电系统 ±20ppm - - 4.9毫安
501JCA20M0000CAF Silicon Labs 501JCA20M0000CAF -
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 ECAD 9817 0.00000000 硅实验室 硅501 条 过时的 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 20兆赫 LVCMOS 3.3V 2（1年） 336-2906 EAR99 8542.39.0001 50 启用/禁用 4.9毫安 微机电系统 ±20ppm - - 4.9毫安
501AAA25M0000BAF Silicon Labs 501AAA25M0000BAF -
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 ECAD 9575 0.00000000 硅实验室 硅501 条 过时的 -20℃～70℃ - 0.157英寸长x 0.126英寸宽（4.00毫米x 3.20毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 25兆赫 LVCMOS 1.7V~3.6V 2（1年） 336-2928 EAR99 8542.39.0001 50 启用/禁用 2.5毫安 微机电系统 ±50ppm - - 2.5毫安
501ACA10M0000CAFR Silicon Labs 501ACA10M0000CAFR -
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 ECAD 1983年 0.00000000 硅实验室 硅501 卷带式 (TR) 过时的 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 10兆赫 LVCMOS 1.7V~3.6V 2（1年） EAR99 8542.39.0001 2,500人 启用/禁用 2.5毫安 微机电系统 ±20ppm - - 2.5毫安
501EAA48M0000CAF Silicon Labs 501EAA48M0000CAF -
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 ECAD 3824 0.00000000 硅实验室 硅501 条 过时的 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 48兆赫 LVCMOS 1.7V~3.6V 2（1年） 336-2972 EAR99 8542.39.0001 50 启用/禁用 2.5毫安 微机电系统 ±50ppm - - 2.5毫安
501AAA27M0000BAF Silicon Labs 501AAA27M0000BAF -
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 ECAD 2619 0.00000000 硅实验室 硅501 条 过时的 -20℃～70℃ - 0.157英寸长x 0.126英寸宽（4.00毫米x 3.20毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 27兆赫 LVCMOS 1.7V~3.6V 2（1年） 336-2952 EAR99 8542.39.0001 50 启用/禁用 2.5毫安 微机电系统 ±50ppm - - 2.5毫安
501BAA16M0000CAFR Silicon Labs 501BAA16M0000CAFR -
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 ECAD 9977 0.00000000 硅实验室 硅501 卷带式 (TR) 过时的 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 16兆赫 LVCMOS 3.3V 2（1年） EAR99 8542.39.0001 2,500人 启用/禁用 2.5毫安 微机电系统 ±50ppm - - 2.5毫安
501JCA25M0000BAFR Silicon Labs 501JCA25M0000BAFR -
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 ECAD 8895 0.00000000 硅实验室 硅501 卷带式 (TR) 过时的 -20℃～70℃ - 0.157英寸长x 0.126英寸宽（4.00毫米x 3.20毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 25兆赫 LVCMOS 3.3V 2（1年） EAR99 8542.39.0001 1,500人 启用/禁用 4.9毫安 微机电系统 ±20ppm - - 4.9毫安
501BAA16M0000BAG Silicon Labs 501BAA16M0000BAG -
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 ECAD 8664 0.00000000 硅实验室 硅501 条 过时的 -40℃～85℃ - 0.157英寸长x 0.126英寸宽（4.00毫米x 3.20毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 16兆赫 LVCMOS 3.3V 2（1年） 336-2899 EAR99 8542.39.0001 50 启用/禁用 2.5毫安 微机电系统 ±50ppm - - 2.5毫安
501ABA8M00000BAF Silicon Labs 501ABA8M00000BAF -
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 ECAD 3048 0.00000000 硅实验室 硅501 条 过时的 -20℃～70℃ - 0.157英寸长x 0.126英寸宽（4.00毫米x 3.20毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 8兆赫 LVCMOS 1.7V~3.6V 2（1年） 336-2868 EAR99 8542.39.0001 50 启用/禁用 2.5毫安 微机电系统 ±30ppm - - 2.5毫安
501JAA25M0000CAG Silicon Labs 501JAA25M0000CAG -
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 ECAD 1995年 0.00000000 硅实验室 硅501 条 过时的 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 25兆赫 LVCMOS 3.3V 2（1年） 336-2937 EAR99 8542.39.0001 50 启用/禁用 4.9毫安 微机电系统 ±50ppm - - 4.9毫安
501HCAM032768CAGR Silicon Labs 501HCAM032768复合年建设 -
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 ECAD 1590 0.00000000 硅实验室 硅501 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 32.768 kHz LVCMOS 1.7V~3.6V 2（1年） EAR99 8542.39.0001 2,500人 启用/禁用 4.9毫安 微机电系统 ±20ppm - - 4.9毫安
501JCA24M0000DAGR Silicon Labs 501JCA24M0000DAGR -
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 ECAD 9355 0.00000000 硅实验室 硅501 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 24兆赫 LVCMOS 3.3V 2（1年） EAR99 8542.39.0001 2,500人 启用/禁用 4.9毫安 微机电系统 ±20ppm - - 4.9毫安
501BAA50M0000DAGR Silicon Labs 501BAA50M0000DAGR -
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 ECAD 6195 0.00000000 硅实验室 硅501 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 50兆赫 LVCMOS 3.3V 2（1年） EAR99 8542.39.0001 2,500人 启用/禁用 2.5毫安 微机电系统 ±50ppm - - 2.5毫安
501HCA27M0000DAGR Silicon Labs 501HCA27M0000DAGR -
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 ECAD 7044 0.00000000 硅实验室 硅501 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 27兆赫 LVCMOS 1.7V~3.6V 2（1年） EAR99 8542.39.0001 2,500人 启用/禁用 4.9毫安 微机电系统 ±20ppm - - 4.9毫安
501JAA25M0000DAGR Silicon Labs 501JAA25M0000DAGR -
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 ECAD 4353 0.00000000 硅实验室 硅501 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 25兆赫 LVCMOS 3.3V 2（1年） EAR99 8542.39.0001 2,500人 启用/禁用 4.9毫安 微机电系统 ±50ppm - - 4.9毫安
501JCA24M0000DAFR Silicon Labs 501JCA24M0000DAFR -
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 ECAD 3452 0.00000000 硅实验室 硅501 卷带式 (TR) 过时的 -20℃～70℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 24兆赫 LVCMOS 3.3V 2（1年） EAR99 8542.39.0001 2,500人 启用/禁用 4.9毫安 微机电系统 ±20ppm - - 4.9毫安
501JCAM032768CAFR Silicon Labs 501JCAM032768CAFR -
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 ECAD 4101 0.00000000 硅实验室 硅501 卷带式 (TR) 过时的 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 32.768 kHz LVCMOS 3.3V 2（1年） EAR99 8542.39.0001 2,500人 启用/禁用 4.9毫安 微机电系统 ±20ppm - - 4.9毫安
501JCA20M0000BAG Silicon Labs 501JCA20M0000袋 -
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 ECAD 4347 0.00000000 硅实验室 硅501 条 过时的 -40℃～85℃ - 0.157英寸长x 0.126英寸宽（4.00毫米x 3.20毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 20兆赫 LVCMOS 3.3V 2（1年） 336-2905 EAR99 8542.39.0001 50 启用/禁用 4.9毫安 微机电系统 ±20ppm - - 4.9毫安
501AAA25M0000CAF Silicon Labs 501AAA25M0000CAF -
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 ECAD 6134 0.00000000 硅实验室 硅501 条 过时的 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 25兆赫 LVCMOS 1.7V~3.6V 2（1年） 336-2930 EAR99 8542.39.0001 50 启用/禁用 2.5毫安 微机电系统 ±50ppm - - 2.5毫安
501HCA12M0000DAFR Silicon Labs 501HCA12M0000DAFR -
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 ECAD 2375 0.00000000 硅实验室 硅501 卷带式 (TR) 过时的 -20℃～70℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 12兆赫 LVCMOS 1.7V~3.6V 2（1年） EAR99 8542.39.0001 2,500人 启用/禁用 4.9毫安 微机电系统 ±20ppm - - 4.9毫安
501ACA10M0000DAGR Silicon Labs 501ACA10M0000DAGR -
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 ECAD 5929 0.00000000 硅实验室 硅501 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 10兆赫 LVCMOS 1.7V~3.6V 2（1年） EAR99 8542.39.0001 2,500人 启用/禁用 2.5毫安 微机电系统 ±20ppm - - 2.5毫安
501JCA20M0000BAF Silicon Labs 501JCA20M0000BAF -
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 ECAD 4846 0.00000000 硅实验室 硅501 条 过时的 -20℃～70℃ - 0.157英寸长x 0.126英寸宽（4.00毫米x 3.20毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 20兆赫 LVCMOS 3.3V 2（1年） 336-2904 EAR99 8542.39.0001 50 启用/禁用 4.9毫安 微机电系统 ±20ppm - - 4.9毫安
501BCAM032768CAG Silicon Labs 501BCAM032768CAG -
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 ECAD 3510 0.00000000 硅实验室 硅501 条 过时的 -40℃～85℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 32.768 kHz LVCMOS 3.3V 2（1年） 336-2853 EAR99 8542.39.0001 50 启用/禁用 2.5毫安 微机电系统 ±20ppm - - 2.5毫安
501JCA100M000CAF Silicon Labs 501JCA100M000CAF -
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 ECAD 2497 0.00000000 硅实验室 硅501 条 过时的 -20℃～70℃ - 0.126英寸长x 0.098英寸宽（3.20毫米x 2.50毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 100兆赫 LVCMOS 3.3V 2（1年） 336-2996 EAR99 8542.39.0001 50 启用/禁用 8.9毫安 微机电系统 ±20ppm - - 4.9毫安
501EAA48M0000DAG Silicon Labs 501EAA48M0000DAG -
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 ECAD 2960 0.00000000 硅实验室 硅501 条 过时的 -40℃～85℃ - 0.098英寸长x 0.079英寸宽（2.50毫米x 2.00毫米） 0.035英寸（0.90毫米） 表面贴装 4-SMD，无铅 CMEMS® 48兆赫 LVCMOS 1.7V~3.6V 2（1年） 336-2975 EAR99 8542.39.0001 50 启用/禁用 2.5毫安 微机电系统 ±50ppm - - 2.5毫安
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    智能仓库

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