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振荡器（（15893）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	评分	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	类型	频率	输出	电压 -电源	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	功能	电流 -供应（最大）	基础谐振器	频率稳定性	（4月）	传播频谱带宽	（（（（（））
DSC1004BI2-025.0000T	-	RFQ	8678	微芯片技术	DSC1004	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	25 MHz	CMOS	1.7v〜3.6V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC1004BI2-025.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	6.5mA	mems	±25ppm	-	-	15µA
DSA1202CL2-156M2500VAO	-	RFQ	2577	微芯片技术	DSA12X2	管子	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	156.25 MHz	lvpecl	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA1202CL2-156M2500VAO	Ear99	8542.39.0001	110	（（（）	50mA （典型）	mems	±25ppm	-	-	5µA
DSC1001BI1-002.0480T	-	RFQ	5098	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	2.048 MHz	CMOS	1.7v〜3.6V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC1001BI1-002.0480TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	6.5mA	mems	±50ppm	-	-	15µA
DSC1203NL1-208M1250	-	RFQ	6419	微芯片技术	DSC1203	管子	积极的	-40°C〜105°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	208.125 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC1203NL1-208M1250	Ear99	8542.39.0001	50	（（（）	32ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	5µA
DSA6112JL2B-025.0000VAO	-	RFQ	2509	微芯片技术	DSA61XX	管子	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	25 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA6112JL2B-025.0000VAO	Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	-	mems	±25ppm	-	-	1.5µA（）
DSA1003DL1-025.0000VAO	-	RFQ	8664	微芯片技术	DSA1003	管子	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	25 MHz	CMOS	1.7v〜3.6V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA1003DL1-025.0000VAO	Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	8mA	mems	±50ppm	-	-	15µA
TX-7090-EAE-106C-100M000000	-	RFQ	9676	微芯片技术	TX-709	条	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.120“ 3.05mm）	表面安装	8-SMD，没有铅	tcxo	100 MHz	HCMOS	3.3V	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-TX-7090-EAE-106C-100M000000	Ear99	8542.39.0001	10	低g灵敏度	35mA	水晶	±1ppm	-	-	-
VTM3-1000-26M0000000	-	RFQ	7937	微芯片技术	-	大部分	上次购买											-				150-VTM3-1000-26M0000000			1
VT-820-1087-25M0000000	-	RFQ	8744	微芯片技术	-	大部分	上次购买											下载				150-VT-820-1087-25M0000000			1
M911221CI2-65M53600T	-	RFQ	7628	微芯片技术	M9112x1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	65.536 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载				150-M911221CI2-65M53600TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	27ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	5µA
M911221NA3-125M0000	-	RFQ	6590	微芯片技术	M9112x1	管子	积极的	-40°C〜125°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	125 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载				150-M911221NA3-125M0000	Ear99	8542.39.0001	50	（（（）	27ma（类型）	mems	±20ppm	-	-	5µA
HTM6101JA1B-032.0000T	-	RFQ	9476	微芯片技术	htm61xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	32 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101JA1B-032.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	4ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
M911221CI2-25M00000	-	RFQ	4595	微芯片技术	M9112x1	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	25 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载				150-M911221CI2-25M00000	Ear99	8542.39.0001	110	（（（）	27ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	5µA
HTM6101MA2B-012.0000	-	RFQ	8052	微芯片技术	htm61xx	包	积极的	-40°C〜125°C	-	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	12 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101MA2B-012.0000	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	4ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
HTM6101JA2B-050.0000T	-	RFQ	8246	微芯片技术	htm61xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	50 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101JA2B-050.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	4ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
M921223BI1-106M2500	-	RFQ	1177	微芯片技术	M9212x3	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	106.25 MHz	LVD	2.5V，3.3V	下载				150-M921223BI1-106M2500	Ear99	8542.39.0001	72	启用/禁用	32ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	23ma （典型）
HTM6101JA1B-050.0000	-	RFQ	9448	微芯片技术	htm61xx	管子	积极的	-40°C〜125°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	50 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101JA1B-050.0000	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	4ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
M906101JI2B-033.3333T	-	RFQ	1565年	微芯片技术	M9061xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	33.3333 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载				150-M906101JI2B-033.333333TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	4ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
M911201CI3-80M00000	-	RFQ	4137	微芯片技术	M9112x1	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	80 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载				150-M911201CI3-80M00000	Ear99	8542.39.0001	110	启用/禁用	27ma（类型）	mems	±20ppm	-	-	23ma （典型）
M911221BI3-25M00000T	-	RFQ	7791	微芯片技术	M9112x1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	25 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载				150-M911221BI3-25M00000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	27ma（类型）	mems	±20ppm	-	-	5µA
M911221BI1-40M00000T	-	RFQ	2805	微芯片技术	M9112x1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	40 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载				150-M911221BI1-40M00000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	27ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	5µA
M911221DI2-40M00000T	-	RFQ	6437	微芯片技术	M9112x1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	40 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载				150-M911221DI2-40M00000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	27ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	5µA
HTM6101MA2B-012.0000T	-	RFQ	7922	微芯片技术	htm61xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	12 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101MA2B-012.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	4ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
HTM6101JA1B-025.0000	-	RFQ	7565	微芯片技术	htm61xx	管子	积极的	-40°C〜125°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	25 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	-				150-HTM6101JA1B-025.0000	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	4ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
M911221CI1-125M0000	-	RFQ	4386	微芯片技术	M9112x1	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	125 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载				150-M911221CI1-125M0000	Ear99	8542.39.0001	110	（（（）	27ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	5µA
HTM6101JI1B-008.0000T	-	RFQ	8807	微芯片技术	htm61xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	8 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101JI1B-008.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	4ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
M911221BI1-40M00000	-	RFQ	3826	微芯片技术	M9112x1	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	40 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载				150-M911221BI1-40M00000	Ear99	8542.39.0001	72	（（（）	27ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	5µA
HTM6111JA2B-040.0000	-	RFQ	4854	微芯片技术	htm61xx	管子	积极的	-40°C〜125°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	40 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6111JA2B-040.0000	Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	4ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	1.5µA（）
HTM6101JA1B-016.0000T	-	RFQ	4519	微芯片技术	htm61xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	16 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101JA1B-016.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	4ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
HTM6101JA1B-100.0000T	-	RFQ	6786	微芯片技术	htm61xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	100 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101JA1B-100.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	4ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

振荡器（（15893）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²