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振荡器（（15893）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	评分	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	输出	电压 -电源	Rohs状态	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	功能	电流 -供应（最大）	基础谐振器	频率稳定性	（4月）	传播频谱带宽	（（（（（））
DSC6111JI2B-027.0000	-	RFQ	2469	微芯片技术	DSC61XXB	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		27 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC6111JI2B-027.0000	Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	-	1.5µA（）
DSC6331JI2AB-010.0000	-	RFQ	6071	微芯片技术	DSC63XXB	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		10 MHz	lvcmos	1.71V〜3.63V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC6331JI2AB-010.0000	Ear99	8542.39.0001	140	-	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	±0.25％，中心扩展	-
DSC1001CE1-006.1760	-	RFQ	9895	微芯片技术	DSC1001	管子	积极的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）		6.176 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC1001CE1-006.1760	Ear99	8542.39.0001	110	（（（）	6.5mA	mems	±50ppm	-	-	15µA
DSC1223BI2-50M00000T	-	RFQ	2786	微芯片技术	DSC12X3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		50 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC1223BI2-50M00000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	32ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	23ma （典型）
DSC6101JE3B-032K768	-	RFQ	5522	微芯片技术	DSC61XXB	管子	积极的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		32.768 kHz	CMOS	1.71V〜3.63V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC6101JE3B-032K768	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±20ppm	-	-	-
DSC6301JI1FB-002.0000T	-	RFQ	4200	微芯片技术	DSC63XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		2 MHz	lvcmos	1.71V〜3.63V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC6301JI1FB-002.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	±2.50％，中心扩展	-
DSC6112JI2A-028.1250T	-	RFQ	1612	微芯片技术	DSC61XX	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		28.125 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	rohs3符合条件		150-DSC6112JI2A-028.1250TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	-	80µA（）
DSC1223DI1-50M00000T	-	RFQ	5677	微芯片技术	DSC12X3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		50 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC1223DI1-50M00000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	32ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	23ma （典型）
DSC1001CL1-016.0000TV11	-	RFQ	4888	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）		16 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC1001CL1-016.0000TV11TR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	6.5mA	mems	±50ppm	-	-	15µA
DSA1121DL2-033.333333TVAO	-	RFQ	8435	微芯片技术	DSA1121	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSA1121	33.3333 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSA1121DL2-033.3333TVAOTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	35mA	mems	±25ppm	-	-	22ma
DSC6101HE2A-012.0000	-	RFQ	3782	微芯片技术	DSC61XX	包	积极的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6101	12 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC6101HE2A-012.0000	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSC6101HE2A-012.0000T	-	RFQ	9572	微芯片技术	DSC61XX	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6101	12 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC6101HE2A-012.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSC1123CI3-125.0000T	-	RFQ	3265	微芯片技术	DSC1123	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1123	125 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC1123CI3-125.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	32ma	mems	±20ppm	-	-	22ma
DSC6001JI3B-259K200	-	RFQ	2648	微芯片技术	DSC60XXB	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		259.2 kHz	CMOS	1.71V〜3.63V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC6001JI3B-259K200	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±20ppm	-	-	-
DSC6102JI1B-080.0000T	-	RFQ	7499	微芯片技术	DSC61XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		80 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC6102JI1B-080.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	-	-
DSC1101CE2-050.0000	-	RFQ	1737年	微芯片技术	DSC1101	管子	积极的	-20°C〜70°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		50 MHz	CMOS	2.25V〜3.6V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC1101CE2-050.0000	Ear99	8542.39.0001	110	（（（）	35mA	mems	±25ppm	-	-	95µA
DSC1121AE5-020.0000	-	RFQ	6058	微芯片技术	DSC1121	管子	积极的	-20°C〜70°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	XO （标准）	DSC1121	20 MHz	CMOS	2.25V〜3.6V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC1121AE5-020.0000	Ear99	8542.39.0001	50	启用/禁用	35mA	mems	±10ppm	-	-	22ma
DSC6111HI3B-074.2500	-	RFQ	8042	微芯片技术	DSC61XXB	包	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6111	74.25 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC6111HI3B-074.2500	Ear99	8542.39.0001	100	（（（）	（3ma （典型）	mems	±20ppm	-	-	1.5µA（）
DSC6001HI2A-012.2880	-	RFQ	7331	微芯片技术	DSC60XX	包	过时的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		12.288 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	rohs3符合条件		150-DSC6001HI2A-012.2880	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSC6001ME1B-052.4280T	-	RFQ	8152	微芯片技术	DSC60XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6001	52.428 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC6001ME1B-052.4280TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
DSC1001CI5-026.6000T	-	RFQ	5441	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	DSC1001	26.6 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC1001CI5-026.6000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	6.5mA	mems	±10ppm	-	-	15µA
DSC1103CL5-212.5000	-	RFQ	3463	微芯片技术	DSC1103	管子	积极的	-40°C〜105°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1103	212.5 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC1103CL5-212.5000	Ear99	8542.39.0001	110	（（（）	32ma	mems	±10ppm	-	-	95µA
DSA1203DL2-156M2500TVAO	-	RFQ	8336	微芯片技术	DSA12X3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		156.25 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSA1203DL2-156M2500TVAOTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	32ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	5µA
DSC6111JI2B-100.0000T	-	RFQ	6372	微芯片技术	DSC61XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	DSC6111	100 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC6111JI2B-100.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	-	1.5µA（）
DSA1001DL3-012.5000TVAO	-	RFQ	5610	微芯片技术	DSA1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	DSA1001	12.5 MHz	CMOS	1.7v〜3.6V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSA1001DL3-012.5000TVAOTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	6.5mA	mems	±20ppm	-	-	15µA
DSC6011HE2B-064.0000	-	RFQ	1655年	微芯片技术	DSC60XXB	包	积极的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		64 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC6011HE2B-064.0000	Ear99	8542.39.0001	100	（（（）	1.3mA ty（类型）	mems	±25ppm	-	-	1.5µA（）
DSA1223CL2-125M0000VAO	-	RFQ	2836	微芯片技术	DSA12X3	管子	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSA1223	125 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSA1223CL2-125M0000VAO	Ear99	8542.39.0001	110	启用/禁用	32ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	23ma （典型）
DSA6331JL2AB-012.2880VAO	-	RFQ	8909	微芯片技术	DSA63XX	管子	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		12.288 MHz	lvcmos	1.71V〜3.63V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSA6331JL2AB-012.2880VAO	Ear99	8542.39.0001	140	-	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	±0.25％，中心扩展	-
DSC6011MI1B-012.2880	-	RFQ	7391	微芯片技术	DSC60XXB	包	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		12.288 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC6011MI1B-012.2880	Ear99	8542.39.0001	100	（（（）	1.3mA ty（类型）	mems	±50ppm	-	-	1.5µA（）
DSC6101JA2B-027.0000T	-	RFQ	4110	微芯片技术	DSC61XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		27 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC6101JA2B-027.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

振荡器（（15893）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²