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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 评分 | 尺寸 /尺寸 | 高度 -座位(最大) | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 频率 | 输出 | 电压 -电源 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 功能 | 电流 -供应(最大) | 基础谐振器 | 频率稳定性 | (4月) | 传播频谱带宽 | ((((()) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MX553ABA106M250 | - | ![]() | 2874 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MX55 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C | - | 0.197“ LX 0.126” W(5.00mm x 3.20mm) | 0.055“(1.40mm) | 表面安装 | 6-llga | XO (标准) | 106.25 MHz | lvpecl | 2.375V〜3.63V | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 启用/禁用 | 120mA | 水晶 | ±50ppm | - | - | - | ||||||
DSA1001DI1-005.0000VAO | - | ![]() | 3102 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1001 | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C | AEC-Q100 | 0.098“ l x 0.079” w(2.50mm x 2.00mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 4-vdfn | XO (标准) | DSA1001 | 5 MHz | CMOS | 1.7v〜3.6V | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1001DI1-005.0000VAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 140 | ((() | 8mA | mems | ±50ppm | - | - | 15µA | ||
DSA1001DI1-019.2000VAO | - | ![]() | 5292 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1001 | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C | AEC-Q100 | 0.098“ l x 0.079” w(2.50mm x 2.00mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 4-vdfn | XO (标准) | DSA1001 | 19.2 MHz | CMOS | 1.7v〜3.6V | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1001DI1-019.2000VAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 140 | ((() | 8mA | mems | ±50ppm | - | - | 15µA | ||
DSA1001DI2-012.2880VAO | - | ![]() | 3815 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1001 | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C | AEC-Q100 | 0.098“ l x 0.079” w(2.50mm x 2.00mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 4-vdfn | XO (标准) | DSA1001 | 12.288 MHz | CMOS | 1.7v〜3.6V | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1001DI2-012.2880VAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 140 | ((() | 8mA | mems | ±25ppm | - | - | 15µA | ||
DSA1001DI2-025.0000TVAO | - | ![]() | 9008 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1001 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | AEC-Q100 | 0.098“ l x 0.079” w(2.50mm x 2.00mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 4-vdfn | XO (标准) | DSA1001 | 25 MHz | CMOS | 1.7v〜3.6V | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1001DI2-025.0000TVAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ((() | 8mA | mems | ±25ppm | - | - | 15µA | ||
DSA1001DI2-026.0000TVAO | - | ![]() | 4512 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1001 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | AEC-Q100 | 0.098“ l x 0.079” w(2.50mm x 2.00mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 4-vdfn | XO (标准) | DSA1001 | 26 MHz | CMOS | 1.7v〜3.6V | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1001DI2-026.0000TVAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ((() | 8mA | mems | ±25ppm | - | - | 15µA | ||
DSA1001DI2-026.0000VAO | - | ![]() | 7130 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1001 | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C | AEC-Q100 | 0.098“ l x 0.079” w(2.50mm x 2.00mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 4-vdfn | XO (标准) | DSA1001 | 26 MHz | CMOS | 1.7v〜3.6V | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1001DI2-026.0000VAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 140 | ((() | 8mA | mems | ±25ppm | - | - | 15µA | ||
DSA1001DI2-027.0000VAO | - | ![]() | 9741 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1001 | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C | AEC-Q100 | 0.098“ l x 0.079” w(2.50mm x 2.00mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 4-vdfn | XO (标准) | DSA1001 | 27 MHz | CMOS | 1.7v〜3.6V | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1001DI2-027.0000VAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 140 | ((() | 8mA | mems | ±25ppm | - | - | 15µA | ||
DSA1001DI2-033.333333TVAO | - | ![]() | 7719 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1001 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | AEC-Q100 | 0.098“ l x 0.079” w(2.50mm x 2.00mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 4-vdfn | XO (标准) | DSA1001 | 33.3333 MHz | CMOS | 1.7v〜3.6V | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1001DI2-033.3333TVAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ((() | 10.5mA | mems | ±25ppm | - | - | 15µA | ||
DSA1001DI2-125.0000TVAO | - | ![]() | 3345 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1001 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | AEC-Q100 | 0.098“ l x 0.079” w(2.50mm x 2.00mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 4-vdfn | XO (标准) | DSA1001 | 125 MHz | CMOS | 1.7v〜3.6V | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1001DI2-125.0000TVAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ((() | 8mA | mems | ±25ppm | - | - | 15µA | ||
DSA1001DI3-020.0000VAO | - | ![]() | 2223 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1001 | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C | AEC-Q100 | 0.098“ l x 0.079” w(2.50mm x 2.00mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 4-vdfn | XO (标准) | DSA1001 | 20 MHz | CMOS | 1.7v〜3.6V | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1001DI3-020.0000VAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 140 | ((() | 8mA | mems | ±20ppm | - | - | 15µA | ||
DSA1001DL1-025.0000VAO | - | ![]() | 6745 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1001 | 管子 | 积极的 | -40°C〜105°C | AEC-Q100 | 0.098“ l x 0.079” w(2.50mm x 2.00mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 4-vdfn | XO (标准) | DSA1001 | 25 MHz | CMOS | 1.7v〜3.6V | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1001DL1-025.0000VAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 140 | ((() | 8mA | mems | ±50ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSA1001DL1-060.0000TVAO | - | ![]() | 1704年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1001 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C | AEC-Q100 | 0.098“ l x 0.079” w(2.50mm x 2.00mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 4-vdfn | XO (标准) | DSA1001 | 60 MHz | CMOS | 1.7v〜3.6V | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1001DL1-060.0000TVAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ((() | 10.5mA | mems | ±50ppm | - | - | 15µA | ||
DSA1001DL2-006.0053VAO | - | ![]() | 7379 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1001 | 管子 | 积极的 | -40°C〜105°C | AEC-Q100 | 0.098“ l x 0.079” w(2.50mm x 2.00mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 4-vdfn | XO (标准) | DSA1001 | 6.0053 MHz | CMOS | 1.7v〜3.6V | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1001DL2-006.0053VAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 140 | ((() | 8mA | mems | ±25ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSA1001DL2-026.0000TVAO | - | ![]() | 4217 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1001 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C | AEC-Q100 | 0.098“ l x 0.079” w(2.50mm x 2.00mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 4-vdfn | XO (标准) | DSA1001 | 26 MHz | CMOS | 1.7v〜3.6V | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1001DL2-026.0000TVAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ((() | 8mA | mems | ±25ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSA1001DL3-008.0000TVAO | - | ![]() | 2028 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1001 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C | AEC-Q100 | 0.098“ l x 0.079” w(2.50mm x 2.00mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 4-vdfn | XO (标准) | DSA1001 | 8 MHz | CMOS | 1.7v〜3.6V | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1001DL3-008.008.008.0000TVAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ((() | 8mA | mems | ±20ppm | - | - | 15µA | ||
DSA1001DL3-026.0000TVAO | - | ![]() | 9339 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1001 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C | AEC-Q100 | 0.098“ l x 0.079” w(2.50mm x 2.00mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 4-vdfn | XO (标准) | DSA1001 | 26 MHz | CMOS | 1.7v〜3.6V | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1001DL3-026.0000TVAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ((() | 8mA | mems | ±20ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSA1001DL3-032.7680TVAO | - | ![]() | 3567 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1001 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C | AEC-Q100 | 0.098“ l x 0.079” w(2.50mm x 2.00mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 4-vdfn | XO (标准) | DSA1001 | 32.768 MHz | CMOS | 1.7v〜3.6V | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1001DL3-032.7680TVAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ((() | 10.5mA | mems | ±20ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSA1001DL3-048.0000VAO | - | ![]() | 4032 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1001 | 管子 | 积极的 | -40°C〜105°C | AEC-Q100 | 0.098“ l x 0.079” w(2.50mm x 2.00mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 4-vdfn | XO (标准) | DSA1001 | 48 MHz | CMOS | 1.7v〜3.6V | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1001DL3-048.0000VAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 140 | ((() | 10.5mA | mems | ±20ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSA1001DL3-100.0000TVAO | - | ![]() | 4573 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1001 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C | AEC-Q100 | 0.098“ l x 0.079” w(2.50mm x 2.00mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 4-vdfn | XO (标准) | DSA1001 | 100 MHz | CMOS | 1.7v〜3.6V | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1001DL3-100.0000TVAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ((() | 16.6mA | mems | ±20ppm | - | - | 15µA | ||
![]() | DSA1101BA3-020.0000TVAO | - | ![]() | 1866年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C | AEC-Q100 | 0.197“ LX 0.126” W(5.00mm x 3.20mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 6-vdfn | XO (标准) | DSA1101 | 20 MHz | CMOS | 2.25V〜3.63V | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1101BA3-020.0000TVAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ((() | 35mA | mems | ±20ppm | - | - | 95µA | |
![]() | DSA1101BA3-025.0000TVAO | - | ![]() | 3536 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C | AEC-Q100 | 0.197“ LX 0.126” W(5.00mm x 3.20mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 6-vdfn | XO (标准) | DSA1101 | 25 MHz | CMOS | 2.25V〜3.63V | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1101BA3-025.0000TVAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ((() | 35mA | mems | ±20ppm | - | - | 95µA | |
![]() | DSA1101BA3-025.0000VAO | - | ![]() | 1172 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1101 | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C | AEC-Q100 | 0.197“ LX 0.126” W(5.00mm x 3.20mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 6-vdfn | XO (标准) | DSA1101 | 25 MHz | CMOS | 2.25V〜3.63V | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1101BA3-025.0000VAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 72 | ((() | 35mA | mems | ±20ppm | - | - | 95µA | ||
![]() | DSA1101BI3-034.3680VAO | - | ![]() | 2135 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1101 | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C | AEC-Q100 | 0.197“ LX 0.126” W(5.00mm x 3.20mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 6-vdfn | XO (标准) | DSA1101 | 34.368 MHz | CMOS | 2.25V〜3.63V | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1101BI3-034.3680VAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 72 | ((() | 35mA | mems | ±20ppm | - | - | 95µA | |
![]() | DSA1101CA1-025.0000TVAO | - | ![]() | 9639 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C | AEC-Q100 | 0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 6-vdfn | XO (标准) | DSA1101 | 25 MHz | CMOS | 2.25V〜3.63V | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1101CA1-025.0000TVAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ((() | 35mA | mems | ±50ppm | - | - | 95µA | |
![]() | DSA1101CA2-010.0000VAO | - | ![]() | 2556 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1101 | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C | AEC-Q100 | 0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 6-vdfn | XO (标准) | DSA1101 | 10 MHz | CMOS | 2.25V〜3.63V | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1101CA2-010.0000VAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 110 | ((() | 35mA | mems | ±25ppm | - | - | 95µA | ||
![]() | DSA1101CI1-050.0000TVAO | - | ![]() | 1226 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | AEC-Q100 | 0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 6-vdfn | XO (标准) | DSA1101 | 50 MHz | CMOS | 2.25V〜3.63V | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1101CI1-050.0000TVAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | ((() | 35mA | mems | ±50ppm | - | - | 95µA | ||
![]() | DSA1101CI1-050.0000VAO | - | ![]() | 9945 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSA1101 | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C | AEC-Q100 | 0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm) | 0.035“(0.90mm) | 表面安装 | 6-vdfn | XO (标准) | DSA1101 | 50 MHz | CMOS | 2.25V〜3.63V | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSA1101CI1-050.0000VAO | Ear99 | 8542.39.0001 | 110 | ((() | 35mA | mems | ±50ppm | - | - | 95µA | ||
![]() | DSC6101MA3B-026.0000 | - | ![]() | 6715 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSC61XXB | 包 | 积极的 | -40°C〜125°C | AEC-Q100 | 0.079“ l x 0.063” W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035“(0.89mm) | 表面安装 | 4-vflga | XO (标准) | DSC6101 | 26 MHz | CMOS | 1.71V〜3.63V | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSC6101MA3B-026.0000 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 启用/禁用 | (3ma (典型) | mems | ±20ppm | - | - | - | ||
![]() | DSC6102MI2B-125K000 | - | ![]() | 7948 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DSC61XXB | 包 | 积极的 | -40°C〜85°C | AEC-Q100 | 0.079“ l x 0.063” W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035“(0.89mm) | 表面安装 | 4-vflga | XO (标准) | DSC6102 | 125 kHz | CMOS | 1.71V〜3.63V | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-DSC6102MI2B-125K000 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | 启用/禁用 | (3ma (典型) | mems | ±25ppm | - | - | - |
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