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振荡器（（15893）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	评分	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	输出	电压 -电源	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	功能	电流 -供应（最大）	基础谐振器	频率稳定性	（4月）	传播频谱带宽	（（（（（））
DSC6102MI3B-030.0000T	-	RFQ	2902	微芯片技术	DSC61XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		30 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载			到达不受影响	150-DSC6102MI3B-030.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±20ppm	-	-	-
VCC1-9009-114M285000TR	-	RFQ	7397	微芯片技术	VCC1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.075“（1.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		114.285 MHz	CMOS	1.8V〜5V	下载			到达不受影响	150-VCC1-9009-114M285000TR	Ear99	8541.60.0080	1,000	启用/禁用	60mA	水晶	-	-	-	30µA
DSC1121DM2-100.0000	-	RFQ	1317	微芯片技术	DSC1121	管子	积极的	-55°C〜125°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1121	100 MHz	CMOS	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	35mA	mems	±25ppm	-	-	22ma
DSC6013HI2A-003.6864	-	RFQ	6004	微芯片技术	DSC60XX	包	过时的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		3.6864 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.39.0001	100	（（（）	1.3mA ty（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSC1103DI5-032.0000	-	RFQ	9850	微芯片技术	DSC1103	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1103	32 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	32ma	mems	±10ppm	-	-	95µA
DSC1001DI1-028.6363T	-	RFQ	2843	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	28.6363 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	7.2mA	mems	±50ppm	-	-	15µA
DSA1123CL2-026.0000TVAO	-	RFQ	8234	微芯片技术	DSA1123	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	（（（）		26 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA1123CL2-026.0000TVAOTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	32ma	mems	±25ppm	-	-	22ma
DSC6001HE1A-018.4320	1.2000	RFQ	885	微芯片技术	DSC60XX	包	过时的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		18.432 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	（（（）	1.3mA ty（类型）	mems	±50ppm	±50ppm	-	-
DSC6001CI1A-080.0000T	-	RFQ	8066	微芯片技术	DSC60XX	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		80 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
DSC6102MI2A-012.0000	-	RFQ	2827	微芯片技术	DSC61XX	包	过时的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		12 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	-	80µA（）
DSC6001CI1A-052.0000T	-	RFQ	1578年	微芯片技术	DSC60XX	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）		52 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载		（1 （无限）		150-DSC6001CI1A-052.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
DSA1223CL1-100M0000VAO	-	RFQ	7501	微芯片技术	DSA12X3	管子	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSA1223	100 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA1223CL1-100M0000VAO	Ear99	8542.39.0001	110	启用/禁用	32ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	23ma （典型）
DSC6101JI2A-096.0000	-	RFQ	4705	微芯片技术	DSC61XX	包	过时的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		96 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSC1001CL1-024.0000T	-	RFQ	2831	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	24 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	6.3mA	mems	±50ppm	-	-	15µA
DSC1033BI1-025.0000	-	RFQ	8527	微芯片技术	DSC1033，Puresilicon™	管子	过时的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		25 MHz	CMOS	3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	72	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	-	1µA
VCC1-B3D-28M6363600	-	RFQ	4925	微芯片技术	VCC1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.075“（1.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		28.63636 MHz	CMOS	3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-VCC1-B3D-28M6363600TR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	20mA	水晶	±50ppm	-	-	30µA
DSA1001DI3-024.0000VAO	-	RFQ	2628	微芯片技术	DSA1001	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	DSA1001	24 MHz	CMOS	1.7v〜3.6V	下载			到达不受影响	150-DSA1001DI3-024.0000VAO	Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	8mA	mems	±20ppm	-	-	15µA
MO-9000AE-6K-EE-1M22880000	-	RFQ	2996	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000
DSC1103CI2-052.0000T	-	RFQ	8108	微芯片技术	DSC1103	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1103	52 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	32ma	mems	-	±25ppm	-	95µA
DSC6011HI1A-005.0000T	-	RFQ	2864	微芯片技术	DSC60XX	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		5 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	1.3mA ty（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
DSC1223NE1-125M0000T	-	RFQ	2983	微芯片技术	DSC12X3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜70°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1223	125 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1223NE1-125M0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	32ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	23ma （典型）
DSC6011CI2A-012.2880T	1.0700	RFQ	2	微芯片技术	DSC60XX	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		12.288 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	1.3mA ty（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
VCC1-F3G-1M54400000	-	RFQ	4765	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000
DSC1123NI3-050.0015	-	RFQ	1448	微芯片技术	DSC1123	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1123	50.0015 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	启用/禁用	32ma	mems	-	-	-	22ma
DSC6111HE1A-033.3300T	-	RFQ	2877	微芯片技术	DSC61XX	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		33.33 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	-	80µA（）
M906101JI1B-050.0000	-	RFQ	7381	微芯片技术	M9061xx	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		50 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载				150-M906101JI1B-050.0000	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	4ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
DSC1001DI1-036.0000	-	RFQ	5148	微芯片技术	DSC1001	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		36 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1001DI1-036.0000	Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	8mA	mems	±50ppm	-	-	15µA
MX575ANN25M0000-TR	-	RFQ	9833	微芯片技术	MX57	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.055“（1.40mm）	表面安装	6-llga	XO （标准）	MX575ANN25M0000	25 MHz	CMOS	2.375V〜3.63V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-MX575ANN25M0000-TR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	95mA	水晶	±50ppm	-	-	-
DSA1001DI1-008.0000TVAO	-	RFQ	4604	微芯片技术	DSA1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）		8 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载			到达不受影响	150-DSA1001DI1-008.008.0000TVAOTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	8mA	mems	±50ppm	-	-	15µA
DSC1001CE2-033.0000T	-	RFQ	9057	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	33 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	7.2mA	mems	±25ppm	-	-	15µA

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

振荡器（（15893）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²